方舟微耗尽型MOSFET在工业传感器、智能变送器中的应用

2024-01-27 方舟微
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近年来,耗尽型MOSFET日益受到重视,广泛应用于固态继电器、“常开”开关、线形运放、恒流源、恒压源和开关电源等,涵盖了家用电器、消费电子、工业控制、汽车电子、电信设施和航空航天等领域。


耗尽型MOSFET类型

· N沟道耗尽型MOSFET:导电沟道为N型,参与导电的主要是电子;

· P沟道耗尽型MOSFET:导电沟道为P型,参与导电的主要是空穴。


由于电子的迁移率远高于空穴,N沟道耗尽型MOSFET具有更强的电流处理能力,得到了更广泛地运用。


当栅极-源极电压VGS=0V时,其导电沟道即已存在,器件处于开通状态。当栅极-源极电压VGS<VGS(OFF)时(N沟道)或VGS>VGS(OFF)(P沟道),其导电沟道因沟道中的载流子耗尽而消失,器件处于关断状态。由于在零栅偏时,器件处于导通状态,因此耗尽型器件又称为“常开”(Normally On)器件。图1为N沟道耗尽型MOSFET的示意图。

图1. N沟道耗尽型MOSFET


耗尽型MOSFET的亚阈值特性

利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性,我们可以很方便地建立一个简单的电压调节器,具有高电压调节范围和稳定的电压输出。也可以组成一个稳定的恒流源。同时,这种电压源或电流源具有极佳的抗干扰能力,能有效地抑制瞬态电压或浪涌电流。


图2. N沟道耗尽型MOSFET组成的高电压调节器


如图2所示,当VDD增加时,流过电路的电流IDS增加,导致耗尽型MOSFET源极电位VS升高,即VGS绝对值│VGS│增加,并引起器件导电沟道变窄,电流增加减缓。在此过程中负载RL两端的电压VS无限接近器件的关断电压│VGS(OFF)│,即VS≈│VGS(OFF)│,即VS钳位在│VGS(OFF)│处,不再随输入电压VDD的增加而变化。负载RL流过的电流等于IL=VS/RL,也不随输入电压VDD的增加而变化。VDD的最大值VDD,MAX =BVDSX +│VGS(OFF)│,其中BVDSX为耗尽型MOSFET漏源极之间的击穿电压。


由此可以看出利用耗尽型MOSFET可以组成一个简单稳定的高电压输入的电压调节器或电流源,同时具有极佳的瞬态抑制能力。


利用运算放大器或电压基准源,可以很容易实现指定的输出电压。

图3. 耗尽型MOSFET与运算放大器配合使用


如图3所示,Vo与Vi具有如下关系:

Vo = Vi × ( 1 + R2/R1 )


因此,通过配置R2和R1的组合,可以轻松确定负载的工作电压Vs

Vs =Vo + │VGS(OFF)


其中, VGSOFF为耗尽型MOSFET的关断电压。


传感器、变送器一般工作在恶劣环境中,使用耗尽型MOSFET,不仅实现高电压供电,而且还能有效抑制浪涌或瞬态干扰,保证系统的安全、正常工作。


可以选择的器件有DMX1072DMS4022E、DN2530、BSS149等。

 

典型应用电路

图4. 带HRAT功能的智能变送器典型示意图


在图4中,可以选用方舟微DMX1027和DMS4022E耗尽型MOSFET,给环路供电型4mA~20mA数模转换电路AD421供电。


DMX1072参数:采用SOT-89封装,耗散功率1W,耐压高达100V,饱和电流大于0.7A,导通电阻最大值2Ω,如果直接用在4mA~20mA供电环路中,可支持高达24V的电压输入。


也可以采用DMS4022E,可支持高达48V的高电压输入。同时能抑制高达400V的瞬态浪涌,对系统实行有效的过压、过流保护。这对于诸如工业现场、电机控制、变频调速等复杂电磁环境的应用尤为重要。汽车中有许多电机,这些感性负载可能产生高达300V的电压瞬态,因此选择DMS4022E能有效地防止瞬态干扰或破坏。


DMS4022E参数:采用SOT-223封装,耗散功率1.5W,耐压高达400V,饱和电流大于200mA,导通电阻最大值20Ω左右。

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产品型号
品类
BVDSS (V)
RDSON(Ω) Typ.
ID (A)
VGS (V)
Package
DMZ1511NE
耗尽型MOSFET
150
10~25
0.1
-3.3~-1.5
SOT-23

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