【元件】 PANJIT推出最新30V＆40V车用MOSFET，已通过AEC-Q101认证，工作结温高达175℃

时间： 2024-01-26 来源：PANJIT官网

技术问答

PANJIT推出新款P沟道和N沟道MOSFET，旨在提升汽车电子系统的性能。P沟道MOSFET通过了AEC-Q101认证，结温高达175°C，为追求可靠性和简化电路的设计工程师提供了最佳选择。这些MOSFET最大限度地降低了RDS(ON)，并提高了雪崩坚固性，采用DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA、TO-263和TO-263-7L封装。

PANJIT的N沟道功率MOSFET采用先进的沟槽技术，具有出色的性能系数(FOM)、更低的RDS(ON)和电容。这些MOSFET采用DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA封装，有助于实现高效可靠的PCB设计。

通过将创新与可靠性相结合，PANJIT的低压MOSFET简化了电源设计电路，满足了汽车设计工程师不断变化的需求。这些元件证明了PANJIT致力于打造汽车电子产品的未来，为高性能汽车应用提供最佳解决方案。

30V和40V汽车级P沟道MOSFET的主要特性：

• P沟道增强型逻辑电平MOSFET
• 低RDS(ON)，可最大限度地减少传导损耗
• 低热阻封装
• 通过100% UIS测试
• 具有静电保护(ESD)功能
• 通过AEC-Q101认证并符合PPAP要求
• 175℃高工作结温
• 高电流TO-263-7L 封装

30V和40V汽车级N沟道MOSFET的主要特性：

• 低RDS(ON)，可最大限度地降低传导损耗
• 低FOM，可将驱动器损耗降至最低
• 提供标准和逻辑电平
• 通过AEC-Q101认证，符合PPAP要求
• 175℃高工作结温

30V&40V车用P沟道MOSFET产品

30V&40V车用N沟道MOSFET产品

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由星晴123转载自PANJIT官网，原文标题为:PANJIT最新30V & 40V车用 MOSFET，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

60V/30A的N沟道MOSFET SL30N06D，在汽车模拟领域有卓越的性能和广泛的应用前景

SL30N06D是一款性能卓越的N沟道MOSFET，该器件的高漏源电压（60V）、大电流承载能力（30A）、低导通电阻（27mΩ@10V，30A）以及较低的阈值电压（1.6V@250μA）等特点，使其成为汽车电子系统中的理想选择，在汽车模拟领域展现出了卓越的性能和广泛的应用前景。

产品发布时间 : 2024-05-23

PANJIT‘s Latest 30V＆40V Automotive-Grade MOSFETs with a High 175℃ Junction Temperature

PANJIT introduces new P-channel and N-channel MOSFETs designed to boost automotive electronic systems. By combining innovation with reliability, PANJIT‘s low voltage MOSFETs simplify power design circuitry, addressing the evolving needs of automotive design engineers.

产品发布时间 : 2024-01-30

-60V/-2A的P沟道MOSFET SL2309A，适用于电动垂直起降飞行器

SL2309A是一款具有-60V漏源电压、-2.0A连续漏极电流、低导通电阻（158mΩ@-10V,-2A）和低阈值电压（-1.9V@-250μA）等优秀特性的P沟道MOSFET。该功率器件适用于电动垂直起降飞行器的动力系统和控制系统设计，为电动飞行器提供了稳定可靠的电力输出、高效能量利用和有效控制，推动着电动垂直起降飞行器技术的不断创新和发展。

产品发布时间 : 2024-05-09

【应用】基于低成本N沟道MOSFET 2N7002K实现低速接口自动双向电平转换

在通信电路的设计中，经常会需要在不同电平之间进行相互转换，比如CPU的IO是3.3V，外设的IO电压是5V，这时就需要进行电平转换。对于低速通信电路，本文中笔者采用MOSFET来做，具体型号是PANJIT的2N7002K。从测试波形图可以看到，使用该器件的电路完全可以满足低速通信接口的双向电平转换要求，可用于如GPIO、I2C、UART等通信接口的电平转换。

应用方案发布时间 : 2020-01-16

强茂（PANJIT）MOSFET选型表

提供强茂电子低压MOSFET/中压MOSFET/小信号MOSFET等产品，覆盖漏源电压20V/30V/40V ，N沟道低压MOSFET，-20V/-30V/-40V P沟道低压MOSFET ,-60至100V中压MOSFET/小信号MOSFET ,包括Single/Dual/Comple等，涵盖SOT、DFN、TO等主流贴片与插件封装。

选型表 - PANJIT 立即选型

60/100/150V Automotive-Grade N-Channel MOSFET AEC-Q101 Qualified with 175℃ Junction Temperature

型号- PJQ4568AP-AU,PJQ5592-AU,PJP125N06SA-AU,PJQ5572A-AU,PJP130N10SA-AU,PJP160N10SA-AU,PJQ4576AP-AU,PJD45N15S-AU,PJQ5562A-AU,PJQ5580A-AU,PJN300N10SA-AU,PJQ4580AP-AU,PJQ5574A-AU,PJN400N06SA-AU,PJQ5968A-AU,PJQ4566AP-AU,PJQ4574AP-AU,PJD50N10SA-AU,PJQ5558AC-AU,PJN220N15S-AU,PJP80N10SA-AU,PJQ5560A-AU,PJD100N06SA-AU,PJN350N06SA-AU,PJN200N10SA-AU,PJN240N15S-AU,PJQ5568A-AU,PJD50N15S-AU,PJQ4594P-AU,PJQ5966A-AU,PJQ5576A-AU,PJD70N10SA-AU,PJD30N15S-AU,PJD80N06SA-AU,PJP100N15S-AU,PJQ4564AP-AU,PJQ2566AW-AU,PJQ5590-AU,PJQ5594-AU,PJP150N15S-AU,PJP75N06SA-AU,PJQ5566A-AU,PJD100N10SA-AU,PJQ2570AW-AU,PJQ5570A-AU,PJP100N06SA-AU,PJD65N10SA-AU,PJP95N10SA-AU,PJQ5564A-AU,PJD45N06SA-AU,PJD60N06SA-AU,PJP200N15S-AU,PJQ2568AW-AU

商品及供应商介绍 - PANJIT - REV.01 - May. 2024 PDF 英文下载

【产品】采用DFN3333-8L封装的P沟道增强型MOSFETPJQ4407P，符合IEC 61249标准

PANJIT（强茂）推出了PJQ4407P为P沟道增强型MOSFET。采用DFN3333-8L封装，其中漏-源电压最大额定值为-30V，连续漏极电流最大额定值为-30A。

新产品发布时间 : 2019-08-09

【应用】增强型N沟道MOSFET PJQ4448P成功应用于PCR仪的大功率帕尔帖H桥驱动，热损耗低且体积小

对于PCR仪的大功率帕尔帖H桥驱动中MOSFET的选型，本文使用了强茂PJQ4448P增强型NMOS作为大功率H桥的驱动芯片，强茂PJQ4448P的ID高达42A，在VGS@10V, ID@8A时导通阻抗小于11mΩ，采用先进的沟槽工艺技术，极低的导通阻抗能够保证发热量小，热损耗也比较低。该NMOS采用DFN3333-8L封装，封装尺寸小，节省PCB板空间。

应用方案发布时间 : 2020-03-09

【选型】新电元车规级N沟道MOSFETP98LF6QNK 5071用于汽车座椅风扇，导通电流可达98A

随着现代汽车电子的发展，汽车内部增加电子化模块来提升车内人员的乘坐体验。在汽车座椅风扇系统中，一般会用三相全桥驱动无刷电机，推动风扇转动。本文推荐新电元的车规级N沟道MOSFET P98LF6QNK 5071可以用于汽车座椅风扇设计。

器件选型发布时间 : 2022-11-15

【选型】电池反接保护应用上选择低内阻的N沟道MOSFET PJL9434A，能耗低且温度范围宽

在一些较大负载电流的应用中，采用传统二极管防逆会因较高的正向压降产生较高的能耗，温升较高，长期高温工作会影响管子的性能。为改善传统二极管防逆的缺陷，本文推荐采用PANJIT的N沟道MOSFET PJL9434A代替传统二极管进行防反接的保护，内阻仅12mΩ，耗散功率仅2.5W，其损耗远远低于传统二极管且温度范围宽。

器件选型发布时间 : 2019-12-29

【产品】50V/0.35A的N沟道增强型MOSFET PJE138K，提供ESD保护

PJE138K是PANJIT公司推出的一款采用SOT-523封装的N沟道增强型MOSFET，漏源电压为50V，连续漏极电流为350mA，耗散功率223mW，工作结温和储存温度-55~150℃。

新产品发布时间 : 2019-11-25

【应用】PJD40N04 N沟道增强型MOSFET在汽车车窗电机驱动电路的应用

panjit(强森)公司生产的N沟道增强型MOSFET— PJD40N04，导通电阻最大12mΩ（VGS=10V，ID=20A），并具有高开关速度和合适的电气参数值，适合做为车窗电机的驱动电路主功率器件。

应用方案发布时间 : 2019-07-31

【产品】萨科微推出100V漏极-源极耐压的N沟道中压MOS管BSS123，饱和漏极电流150mA

SLKOR BSS123 MOSFET是一款中压MOS管，作为常用的半导体器件，它具有高输入电阻和低输出电阻的特点；极性为N沟道，漏极-源极耐压为100V，饱和漏极电流为150mA，功率为250mW，可提高开关速度和系统效率。

产品发布时间 : 2023-08-21

【产品】60V/300mA的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管

PANJIT公司的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管，采用先进的沟槽处理技术，高密度单元设计实现超低导通电阻。漏源电压为60V，漏极持续电流为300mA，最大耗散功率为350mW，采用SOT-23封装。

新产品发布时间 : 2020-10-25

【应用】车规级N沟道MOSFET PJQ5476AL-AU运用于汽车电子喇叭，具有体积小、导通电阻低等特点

汽车电子喇叭供电系统通常是由整车12V蓄电池供电，但由于MOS管是控制喇叭线圈电流，在关断过程会产生较大的尖峰电压，故需用有较大余量的Vds电压。一般选用100V耐压的MOS管，同时喇叭工作时，线圈工作电流会有10到15A的峰值电流，故需要选用低导通电阻的MOS。因此本文推荐强茂的车规级N沟道MOSFET PJQ5476AL-AU。

应用方案发布时间 : 2020-01-17