【元件】 PANJIT推出最新30V＆40V车用MOSFET，已通过AEC-Q101认证，工作结温高达175℃
PANJIT推出新款P沟道和N沟道MOSFET，旨在提升汽车电子系统的性能。P沟道MOSFET通过了AEC-Q101认证，结温高达175°C，为追求可靠性和简化电路的设计工程师提供了最佳选择。这些MOSFET最大限度地降低了RDS(ON)，并提高了雪崩坚固性，采用DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA、TO-263和TO-263-7L封装。
PANJIT的N沟道功率MOSFET采用先进的沟槽技术，具有出色的性能系数(FOM)、更低的RDS(ON)和电容。这些MOSFET采用DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA封装，有助于实现高效可靠的PCB设计。
通过将创新与可靠性相结合，PANJIT的低压MOSFET简化了电源设计电路，满足了汽车设计工程师不断变化的需求。这些元件证明了PANJIT致力于打造汽车电子产品的未来，为高性能汽车应用提供最佳解决方案。
30V和40V汽车级P沟道MOSFET的主要特性：
• P沟道增强型逻辑电平MOSFET
• 低RDS(ON)，可最大限度地减少传导损耗
• 低热阻封装
• 通过100% UIS测试
• 具有静电保护(ESD)功能
• 通过AEC-Q101认证并符合PPAP要求
• 175℃高工作结温
• 高电流TO-263-7L 封装
30V和40V汽车级N沟道MOSFET的主要特性：
• 低RDS(ON)，可最大限度地降低传导损耗
• 低FOM，可将驱动器损耗降至最低
• 提供标准和逻辑电平
• 通过AEC-Q101认证，符合PPAP要求
• 175℃高工作结温
30V&40V车用P沟道MOSFET产品
30V&40V车用N沟道MOSFET产品
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品牌：PANJIT
品类：Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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