SMC碳化硅MOSFET器件S2M0025120K入选everything PE年度MOSFET榜单!
近日,SMC碳化硅MOSFET器件S2M0025120K被知名行业媒体everthing PE列入2023年度MOSFET榜单(Top MOSFETs in 2023)。
everything PE是全球电子行业知名杂志媒体,为用户提供行业新闻、产品搜索、行业报告等信息。他们拥有行业领先的数据库,搜索引擎覆盖了全世界范围内大多数芯片和半导体制造商的各类产品。
everything PE在最近登出的榜单中列出了2023年度最受欢迎的的功率MOSFET器件,SMC研发和生产的 S2M0025120K 器件位列其中。此外榜单中也包括了东芝、英飞凌等全球芯片行业独角兽的产品。
▲everything PE拥有全球最大的半导体产品数据库
MOSFET全球需求飙涨
MOSFET是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的缩写,中文全称为金属 - 氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管,具备控制功率小、开关速度快的特点。
在汽车、能源和消费电子等尖端产业中,应用端对精密自动化解决方案十分青睐,因此对功率MOSFET器件的需求与日俱增。随着新能源汽车在中国和全球的不断普及,功率MOSFET市场正在呈指数级加速扩张。功率MOSFET已成为全球半导体应用中炙手可热的主角器件之一。
▲示意图 | 图源网络
SMC的MOSFET器件
此次上榜的 S2M0025120K 是SMC研发和制造的碳化硅功率MOSFET器件,专为复杂环境中的能量敏感型高频应用而生。它的漏源击穿电压超过1200V,栅极阈值电压为2.1V,漏源导通电阻为25毫欧。
这款MOSFET器件的连续漏极电流高达63A,功率耗散小于446W。它的开关损耗低,并配备了一个超高速的坚固本体二极管,总导通损耗极低,开关特性随温度变化稳定。此外,它具有良好的温度特性,适合并行操作。
SMC的 S2M0025120K 器件采用通孔封装,尺寸为39.71 x 15.5 x 4.8 mm,是新能源汽车快充模块、车载充电器、太阳能逆变器、在线UPS/工业UPS、开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器和储能系统(ESS)等应用的理想选择。
▲示意图 | 图源网络
关于 SMC 桑德斯微电子
SMC桑德斯微电子是为航空航天、医疗等尖端领域提供高可靠性电子元件解决方案的领先制造商,我们为开关电源、交直流整流、初级和次级配电、运动控制、瞬态电压尖峰保护和定制应用提供坚固耐用、经济高效的解决方案。
SMC产品已通过 ISO9001、ISO14001 和 IATF16949 认证,广泛应用于通讯设备、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等尖端领域。我们始终严格遵守各个行业的可靠性和质量要求,并以卓越的产品质量与稳定的供应能力赢得客户的广泛认可。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由拾一转载自SMC(桑德斯微电子公众号),原文标题为:新闻 | SMC产品入选everything PE年度MOSFET榜单!,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
国基南方加速碳化硅MOSFET技术攻关,建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线
国基南方持续推进碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用,经过集智攻坚,团队建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线,在国内率先突破6英寸碳化硅MOSFET批产技术,形成了成套具有自主知识产权的碳化硅功率产品技术体系。
【技术】史上最全SiC MOSFET性能分析!包括导通电阻、Vd-Id特性、驱动门极电压,Turn-On特性等
wolfspeed是全球领先的碳化硅肖特基二极管和MOSFET制造商。这些器件应用于包括开关电源和太阳能逆变器等的各种高效率电源转换电路,并能增加开关频率,降低系统的尺寸和重量以及提升效率。
SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效,宽耐压,开关损耗降低50%
世强硬创联合瑶芯微,爱仕特,派恩杰,瞻芯电子,中电国基南方,带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品,最高1700V宽耐压,开关损耗降低50%。
【元件】瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET,已通过AEC-Q101认证
瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)产品(IV1Q12160D7Z),该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证(AEC-Q101)。
瑶芯碳化硅功率MOSFET AK1CK2M040WAM-A用于车载充电器,可匹配绝大多数驱动方案
瑶芯微推出的AK1CK2M040WAM-A碳化硅功率MOSFET漏源之间最大耐压值可达1200V,足以满足OBC应用需求。同时还有着较低的导通电阻,栅-源控制电压为15V时导通电阻仅有40mΩ,这显著降低了导通损耗和开关损耗,从而提高了OBC的整体效率。
瑶芯微碳化硅功率MOSFET AK1CK2M040WAM可用于车载充电器,低阻值低损耗更具性价比
车载充电器(OBC)作为连接电动汽车与电网的关键组件,其销售额也在迅速增长,2024年第一季度装机量达到了170.12万套,同比增长42.68%。车载充电器可以直接从电源插座接收电力,为电动汽车提供便捷的充电方式,相比于车外充电器,OBC因尺寸和成本等限制,对效率和可靠性的要求更高。瑶芯微碳化硅功率MOSFET AK1CK2M040WAM可用于车载充电器,低阻值低损耗更具性价比。
【经验】基于SiC MOSFET设计的ANPC电路,其低侧MOSFET的双脉冲测试结果及原因分析
Vincotech 碳化硅(SiC) MOSFET能够满足1500V太阳能逆变器的高开关速度、高系统效率要求,可实现高集成度和高功率密度,但在开关性能方面仍有不足之处。本文基于SiC MOSFET设计的ANPC电路,介绍其低侧MOSFET的双脉冲测试结果及原因分析。
华轩阳电子17款电压等级从650至1700V不等的碳化硅MOSFET产品推荐——工业与新能源汽车领域
碳化硅(SiC)功率器件已在全球工业和新能源汽车领域展现出了强大的竞争优势。华轩阳电子研发生产的17款高性能碳化硅MOSFET产品系列,这些产品凭借其出色的VDSS、RDON和ID参数范围,以及TO247封装形式,为不同应用需求提供了最佳解决方案。
森国科碳化硅MOSFET K3M075120-J用于焊机技术,大大提升能效转换,降低流程损耗
森国科的碳化硅MOS管K3M075120-J在120A焊机上的应用展现了碳化硅技术在工业焊接领域的巨大优势。通过提高能效、加快响应速度、增强可靠性、减小体积以及扩展使用范围,该技术不仅提升了焊接设备的性能,也为制造业带来了更高的生产效率和更低的运营成本。随着碳化硅技术的不断成熟和普及,我们有理由相信,未来焊接技术将因此实现更大的飞跃。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论