SiC科普 | 谈混合式IGBT——硅FRD的安全问题限制IGBT的开通速度

时间： 2024-01-30 来源：基本半导体官网

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传统电力电子应用中，IGBT的续流二极管一般以硅基FRD（快恢复二极管）为主，而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力，对开关损耗是很大的拖累。为此，基本半导体研发推出了一种混合式IGBT（即混合碳化硅分立器件）来解决这一问题，即在IGBT中把续流二极管用碳化硅SBD（肖特基二极管）替代硅基FRD，可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放，开关损耗大幅降低。

今天的“SiC科普小课堂”，基本半导体市场部总监魏炜老师将继续为大家带来混合式IGBT话题第二讲，由于硅的FRD的反向恢复行为对杂散电感的敏感度很高，会限制IGBT的开通速度，那么将硅的FRD替换为碳化硅肖特基二极管后，会有什么不一样的表现呢？今天的课堂将围绕这一点为大家展开，点击下方视频，去了解究竟。

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浅析快恢复二极管的使用优势

快恢复二极管是一种专为高频应用设计的二极管，广泛应用于开关电源、电力电子、变频器以及脉冲电路等领域。与常规二极管相比，快恢复二极管具有更快的反向恢复时间和更高的工作频率，这使得它在许多高效、高速应用中表现优异。

2024-11-19 - 技术探讨代理服务技术支持现货查询批量订货

混合式IGBT——硅FRD的Snappy现象会限制IGBT的开通速度 ∣ 视频

基本半导体市场部总监魏炜老师将继续带来混合式IGBT话题第三讲，主要介绍硅基FRD反向恢复的Snappy现象对IGBT的开通速度的影响，以及用碳化硅肖特基二极管的替代解决办法，点击视频一探究竟！

2024-05-07 - 技术探讨代理服务技术支持现货查询批量订货

介绍快恢复二极管常见的品质问题及其解决方案

快恢复二极管是一种常用于高频、高效能电路中的半导体器件。它们在电力电子设备中扮演着关键角色，如开关电源、逆变器和电机驱动器等。然而，快恢复二极管在实际应用中可能会遇到各种品质问题，这些问题不仅会影响设备的性能，还可能导致系统故障。本文中辰达行来给大家介绍快恢复二极管常见的品质问题及其解决方案。

2024-06-30 - 技术探讨代理服务技术支持现货查询批量订货

描述- 中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题；申请发明专利超过200多项，其中PCT10项，已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V，电流覆盖2A-150A，产品性能和可靠性满足多种应用需求，已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。

型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B

2024/7/30 - 中电国基南方 - 选型指南代理服务技术支持现货查询批量订货

如何判定快恢复二极管的性能好坏？

快恢复二极管是一种特殊设计的半导体器件，旨在解决标准二极管在高频应用中开关速度慢的问题。它们在现代电子和电力电子系统中广泛应用，特别是在需要快速开关和高效能转换的场合。本文中辰达行将为大家介绍判定快恢复二极管性能好坏的方法。

2024-04-09 - 设计经验代理服务技术支持现货查询批量订货

混合式IGBT可解决硅基FRD的Snappy现象限制IGBT的开通速度问题

基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，在部分应用中可以替代传统的IGBT，使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。

2024-07-09 - 器件选型代理服务技术支持现货查询批量订货

中电国基南方率先实现碳化硅产品批量应用，赢得电力电子器件发展先机

近年来，中电国基南方（以下简称国基南方）积极融入数字经济建设，发挥第三代半导体技术优势，瞄准重点数字产业，增强产业链关键环节竞争力，氮化镓技术产品保障新型装备、5Ｇ通信需求，2022年再次率先在碳化硅领域取得突破性进展，SiC MOSFET等碳化器件实现批量产用。

2022-07-06 - 原厂动态代理服务技术支持现货查询批量订货

SiC科普小课堂 | 谈混合式IGBT——硅FRD的正向恢复现象会增大IGBT的关断电压尖峰

2024-04-29 - 技术探讨代理服务技术支持现货查询批量订货

介绍快恢复二极管在使用上的优点

快恢复二极管是一种具有快速反向恢复特性的半导体器件，广泛应用于电力电子和高频电路中。相比于传统的普通二极管，快恢复二极管在反向恢复时间、开关速度、效率和稳定性等方面都有显著的优势。本文中辰达行来给大家介绍快恢复二极管在使用上的优点，希望对各位工程师有所帮助。

2024-06-15 - 技术探讨代理服务技术支持现货查询批量订货

分析快恢复二极管在电路中加载过热的原因

快恢复二极管在电力电子设备中广泛使用，因其具有快速切换特性，能有效减少开关时的能量损失，提高系统效率。然而，在实际应用中，这种二极管有时会出现过热问题，这不仅影响其性能，还可能导致设备故障或损坏。本文中辰达行就来为大家分析快恢复二极管在电路中加载过热的原因。

2024-02-03 - 设计经验代理服务技术支持现货查询批量订货

Shindengen（新电元）快恢复二极管D1FL20U数据手册

型号- D1FL20U-5053,D1FL20U

2016年02月17日 - SHINDENGEN - 数据手册代理服务技术支持现货查询批量订货

快恢复二极管代换原则有哪些？

快恢复二极管是在电力电子设备中广泛使用的一种半导体器件，它们在开关电源、逆变器、整流器和频率转换器中扮演着关键角色。快恢复二极管的特点是具有较短的反向恢复时间（trr），使得它们能够在高频下工作而产生的损耗较小。当需要替换现有设计中的快恢复二极管时，了解代换原则是非常重要的，以确保电路的性能不会受到影响。