MOS管输出特性曲线，你看明白了吗？
我们知道，三极管是利用IB的电流去控制电流IC的，所以说三极管是电流控制电流的器件。
图 1
而MOS管是利用VGS的电压去控制电流Id的，所以说MOS管是电压控制电流的器件。
对于N沟道增强型的MOS管，当VGS>VGS(th)时，MOS就会开始导通，如果在D极和S极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。
在一定的VDS下，D极电流Id的大小是与G极电压VGS有关的。
我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：截止区、恒流区、可变电阻区。
图 2
MOSFET输出特性曲线
GS 当满足V截止区：<uGS(th)，MOS管进入截止区。
截止区在输出特性最下面靠近横坐标的部分，表示MOS管不能导电，处在截止状态。截止区也叫夹断区，在该区时沟道全部夹断，电流ID为0，管子不工作。
恒流区：当满足VGS≥VGS(th)，且VDS≥VGS-VGS(th)，MOS管进入恒流区。
恒流区在输出特性曲线中间的位置，电流ID基本不随VDS变化，ID的大小主要决定于电压VGS，所以叫做恒流区，也叫饱和区，当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区（饱和区）。
注：MOS管输出特性的恒流区（饱和区），相当于三极管的放大区。
DS ，且VGS(th)>VGS当满足V可变电阻区：<uGS-VGS(th)，MOS管进入可变电阻区。
可变电阻区在输出特性的最左边，Id随着Vds的增加而上升，两者基本上是线性关系，所以可以看作是一个线性电阻，当VGS不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。
击穿区在输出特性左边区域，随着VDS增大，PN结承受太大的反向电压而被击穿，工作时应该避免让管子工作在该区域。
根据MOS管的输出特性曲线，比如下图是取VDS=10V的点，然后用作图的方法，可取得到相应的转移特性曲线。
图 3
转移特性是表示VDS不变时，ID与VGS之间的关系。
在上图的转移特性曲线上，我们可以看到当VGS大于4V时，ID大幅度增加，而当VGS到达5V以上时，ID基本没有什么大变化了。
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