本文由玉鹤甘茗转载自巴丁微电子公众号,原文标题为:巴丁微“芯”品速递:600V高压半桥驱动芯片BDR6307B,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
鸿翼芯推出8通道半桥驱动芯片HE99MD90088,灵活可配驱动有刷直流电机或步进电机
鸿翼芯全新推出HE99MD9008多通道半桥栅极驱动芯片,可形成8路高边/8路低边/或高低边灵活配置,支持驱动多通道大电流双极性步进电机、有刷直流电机、继电器和LED等,也可以作为多通道高边开关使用,兼容性更好,满足市场对高边、低边、全桥的需求。
【产品】屹晶微电子的三相独立半桥驱动芯片,可用于驱动大功率MOS管、IGBT管的栅极
屹晶微电子的EG2334是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
【产品】工作电压可达260V的EG2124A三相独立半桥驱动芯片,自带闭锁功能,最高频率支持500KHz
屹晶微电子推出的EG2124A是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
EG2124A 芯片数据手册:三相独立半桥驱动芯片
描述- EG2124A是一款高性能的三相独立半桥驱动芯片,适用于大功率MOS管和IGBT管的栅极驱动。它具备高端悬浮自举电源设计,耐压高达260V,集成三路独立半桥驱动,支持5V、3.3V输入电压,最高频率达500kHz。该芯片还包含欠压保护和内建死区控制电路,提供TSSOP20和QFN24两种封装形式。
型号- EG2124A,EG2124
巴丁微电子(BD MCRIO)电机驱动芯片选型指南
目录- 公司简介 电机驱动芯片产品列表及应用领域
型号- BDR2L00,BDR6121B,BDR6133,BDR6121,BDR6121H,BDR6300,BDR6120H,BDR6200,BDR6126,BDP4056,BDR6136,BDR6622T,BDR6831T,BDR6306,BD6525,BDR6319,BDR6307,BDR6318,BDR6120S,BDR6122TC,BDR6122T,BDR6316A
拓尔微提供基于TMI8721-Q1单通道全桥N+N栅极驱动芯片的汽车车窗解决方案,助力车窗智能升降
当前汽车车窗应用主要还是以直流有刷方案为主,直流有刷电机最主要的是性价比高。TOLL推出驱动方案:TMI8721-Q1集成过流保护的单通道全桥N+N栅极驱动,精准监控负载状态,节省布板面积,可调节SINK/source电流,改善EMC,集成SPI通讯,控制更灵活。
SGM48211高压半桥栅极驱动芯片共性问题及应对方案应用指南
描述- 本文档为圣邦微电子(北京)股份有限公司发布的应用指南,主要针对SGM48211高压半桥栅极驱动芯片的共性问题及应对方案进行详细分析。内容包括栅极驱动器简介、SGM48211芯片的主要优势、拓扑结构和工作原理,以及自举电容选取、HS引脚负压di/dt噪声和dv/dt噪声的应对措施。
型号- SGM48209,SGM48211 系列,SGM48211
【产品】三相独立半桥驱动芯片EG2134,耐压可达300V,采用TSSOP20和QFN24封装
屹晶微电子推出的EG2134是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。其工作电压可达300V,低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V;具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输出电流能力IO+1.2A/-1.4A,采用TSSOP20和QFN24封装。
三相半桥栅极驱动芯片 CH283手册
描述- CH283是一款工业级三相半桥栅极驱动芯片,用于48V以下三相无刷直流电机驱动,集成了三个独立半桥,支持6只N沟道MOSFET功率管的栅极驱动,内置电压调节器、PWM信号输入电路、死区时间控制、欠压保护电路等。
型号- CH283,CH283C,CH283T,CH283U
【产品】集成防穿通死区时间为200ns的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT而设计
上海贝岭BL8203是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计,可在高达250V电压下工作。BL8203内置VCC和VBS欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作,提高效率。
EG2133 三相独立半桥驱动芯片 数据手册
描述- 本文档介绍了EG2133三相独立半桥驱动芯片的技术规格和应用信息。该芯片适用于大功率MOS管和IGBT管的栅极驱动,具备高端悬浮自举电源设计,耐压高达300V,支持5V、3.3V输入电压,最高频率达500kHz。它还具有内置死区控制和闭锁功能,以防止上、下管同时导通。芯片采用TSSOP20封装。
型号- EG2133
EG2186 芯片数据手册 高压 600V 半桥驱动芯片
描述- EG2186是一款高压600V半桥驱动芯片,适用于大功率MOS管和IGBT管栅极驱动。该芯片具有高端悬浮自举电源设计,适应5V、3.3V输入电压,最高频率支持500KHZ,具有VCC和VB电源欠压保护,输出电流能力IO+/- 4A/4A,采用SOP8封装,适用于移动电源、电动车控制器、变频水泵控制器等领域。
型号- EG2186
EG2134 三相独立半桥驱动芯片 数据手册
描述- EG2134是一款高性能的三相独立半桥驱动芯片,具备高端悬浮自举电源设计,耐压高达300V。它集成三路独立半桥驱动,适用于5V、3.3V输入电压,最高频率达500kHz。芯片内置死区控制和闭锁功能,确保安全可靠操作。
型号- EG2134
类比半导体专研模拟及数模混合芯片,车规级8通道半桥智能栅极驱动器DR7808Q入选2023“中国芯”优秀产品
日前,以“芯机遇,新未来”为主题的2023琴珠澳集成电路产业促进峰会在珠海开幕。国内优秀的模拟及数模混合芯片设计商上海类比半导体技术有限公司受邀出席。类比半导体车规级8通道半桥智能栅极驱动器DR7808Q成功入选优秀技术创新产品。
电子商城
服务
可定制变压器电压最高4.5KV,高频30MHz;支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量: 100000 提交需求>
Ignion可支持多协议、宽频段的物联网天线方案设计,协议:Wi-Fi、Bluetooth、UWB、Lora、Zigbee、2G、3G、4G、5G、CBRS、GNSS、GSM、LTE-M、NB-IoT等,频段范围:400MHz~10600MHz。
最小起订量: 2500 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论