基本半导体亮相亚洲电源技术发展论坛,斩获“国产功率器件行业卓越奖”、“功率器件-SiC行业优秀奖”双料大奖
2023年2月25日,基本半导体受邀参加第十三届亚洲电源技术发展论坛,公司技术营销总监魏炜以《深度发掘SiC SBD用于IGBT续流二极管的应用潜力》为题作技术分享。在同期举办的2022电源行业配套品牌颁奖晚会上,基本半导体凭借先进的技术实力和创新的产品能力,斩获「国产功率器件行业卓越奖」「功率器件-SiC行业优秀奖」双料大奖。
第十三届亚洲电源技术发展论坛由21Dianyuan主办,上百家企业于会议现场展示企业形象及旗下新技术、新产品,逾3000名工程师精英们齐聚一堂,共同探讨前沿技术、分享实战经验,堪称工程师的年度技术盛会。
《深度发掘SiC SBD用于IGBT续流二极管的应用潜力》
在上一届的亚洲电源技术发展论坛上,魏炜老师围绕碳化硅MOSFET技术作主题演讲,凭借对MOS技术的深刻理解,魏老师生动有趣、深入浅出的演讲风格吸引了众多工程师的热烈好评与持续关注。今年的论坛上,魏老师推陈出新,精心为大家准备了题为《深度发掘SiC SBD用于IGBT续流二极管的应用潜力》的主题报告,与大家进一步探讨碳化硅肖特基二极管的创新应用,再度收获了现场工程师们的点赞与支持!
“现代尖端电力电子设备的性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力,对开关损耗是很大的拖累,需要高性能与性价比兼具的主开关器件。”讲座中,魏老师提出,在IGBT应用中,把续流二极管(FWD)用碳化硅肖特基二极管替代硅基FRD,可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放,开关损耗大幅降低。
为此,基本半导体推出的650V与1200V混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封,在部分应用中可以替代传统的IGBT,大幅降低了IGBT的开关损耗,特别适用于对功率密度提升有需求,同时更强调性价比的电源应用场景,如光储一体机、储能、车载电源充电机(OBC)、通信电源、高频DC-DC电源转换器等领域。
会上,基本半导体携旗下碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、汽车级碳化硅功率模块、混合碳化硅分立器件等最新产品亮相出展,吸引了众多行业人士的热烈关注。创芯无界,创新不止,基本半导体将持续以高性能、高可靠性的创新产品拥抱蓬勃发展中的碳化硅功率时代,助力中国“双碳“事业飞速发展!
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由犀牛先生转载自基本半导体公众号,原文标题为:展会前沿 | 基本半导体亮相第十三届亚洲电源技术发展论坛 斩获双料大奖,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
希尔电子整流器件、FRD器件、IGBT器件和SiC SBD/MOSFET四大产品线亮相2024年慕尼黑上海展
2024年7月8-10日的慕尼黑上海电子展已完美落幕。在这场电子行业的盛会中,希尔电子紧扣主题,四大核心产品线闪耀登场——整流器件、FRD器件、IGBT器件和SiC SBD/MOSFET,吸引了行业客户瞩目。
基本半导体发布适配EasyPACK封装的Pcore2 E2B碳化硅功率模块和门极驱动芯片系列新品
7月11-13日,在2023慕尼黑上海电子展上,基本半导体正式发布工业级碳化硅功率模块——Pcore™2 E2B模块以及门极驱动芯片系列新品, 至此公司产品阵容进一步完善,充分展现了基本半导体的专业技术实力和创新能力,吸引了国内外客户及行业人士的广泛关注。
芯达茂出席2023大湾区数字能源产业发展高峰论坛,分享IGBT和碳化硅功率器件在储能产品上应用趋势
近日,2023大湾区数字能源产业发展高峰论坛在深圳市南山区三诺智慧大厦隆重举行,XDM芯达茂应邀出席本次论坛。会上,芯达茂微电子副总经理李邦能分享了IGBT和碳化硅功率器件在储能产品上应用趋势。新能源汽车、充电桩、光伏、储能,以及UPS是IGBT和碳化硅功率器件的五大主要应用领域,SiC芯片价格降低、SiC器件性能优化,以及功率模块封装优化都是碳化硅功率器件面临的挑战。
【产品】1200V/100A七管封装功率IGBT模块,采用英飞凌第四代IGBT芯片技术
flow7PACK 2是Vincotech推出的一款具有优异电磁兼容性能,采用低电感flow 2封装的功率模块。
【元件】新洁能650V Gen.7 IGBT “V”系列产品,非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用
NCE新洁能650V Gen.7系列IGBT产品,基于微沟槽场截止技术,可大幅提高器件的元胞结构密度。本文要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性,非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。
森未科技200kW+储能PCS用IGBT:S3L225R12GA7H_C20,带铜基板,增加了输出能力
森未科技正式发布GA系列首发产品:S3L225R12GA7HC20,采用第七代IGBT芯片技术,具备低开关损耗、低寄生电感的模块设计、带铜基板的特点,可用于200kW+储能。
【应用】如何正确使用IGBT驱动解决米勒电容导致寄生导通问题
本文以Silicon Labs门极智能驱动Si8285为例,介绍如何正确使用IGBT门极智能驱动解决米勒电容导致的寄生导通问题以提高产品可靠性。
IGBT设计驱动电路的基本要求以及过流保护方法
驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大,以驱动IGBT,保证IGBT的可靠工作,驱动电路起着至关重要的作用。本文SEMI-FUTURE来为大家介绍IGBT设计驱动电路的基本要求以及过流保护方法,希望对各位工程师朋友有所帮助。
ROHM(罗姆)IGBT选型指南(中文)
描述- ROHM的IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品为高电压、大电流广泛应用的高效化和节能化做出了贡献。
型号- RGSX5TS65HR,RGS30TSX2DHR,RGWS SERIES,MG7110WZ,RGTH40TS65,RGW40TK65,MG6404WZ,RGS60TS65DHR,MH2106WZ,RGW40TS65,RGSX5TS65DHR,MG6307WZ,RGS30TSX2D,MG7107WZ,MH2204WZ,RGTH60TS65D,MG6405WZ,RGTH40TK65,MG7215WZ,RGT40TS65D,RGW80TS65,RGW80TK65,RGT50TM65D,RGW60TS65D,RGTV60TS65D,RGT50NS65D,MG6403WZ,RGCL SERIES,RGS80TSX2HR,SG6610WN,MG6306WZ,RGTH80TS65,MG6305WZ,RGT40TM65D,RGCL80TK60,RGS30TSX2,RGTVX2TS65D,RGS00TS65DHR,RGPR20BM36HR,RGW00TS65D,MG7106WZ,MH2203WZ,RGTH80TK65,RGCL80TS60,RGS80TSX2DHR,RGWS80TS65D,RGPZ10BM40FH,RGT20NL65D,MG7216WZ,RGTH80TK65D,RGWS80TS65,RGS80TS65HR,RGTH50TS65D,RGW60TS65HR,RGW50TK65D,RGS80TS65DHR,RGS80TSX2,RGW00TS65,RGTVX6TS65,RGT30TM65D,RGW80TS65D,MH2206WZ,RGWX5TS65D,RGC,RGPR10BM40FH,RGTV80TK65,RGCL80TK60D,RGS50TSX2DHR,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,MG7213WZ,RGT,RGS,RGT20NL65,RGWX5TS65DHR,RGW,RGCL60TK60D,RGPR30BM40HR,MH2107WZ,RGTVX6TS65D,RGTH40TS65D,RGT00TS65D,RGS80TSX2D,MG6308WZ,RGSX5TS65EHR,RGPR20NS43HR,MG7104WZ,RGWSX2TS65D,SG7110WN,RGW40TK65D,MH2205WZ,RGW00TK65,RGS00TS65HR,RGW60TS65,RGT16BM65D,RGT16TM65D,MG7214WZ,RGW60TK65,RGTV80TK65D,RGW50TS65,MG7901WZ,RGW50TK65,RGC SERIES,RGWX5TS65HR,RGW00TS65DHR,MH2208WZ,RGTH50TS65,RGT20TM65D,MH2101WZ,RGWS00TS65D,RGW80TS65DHR,RGT8NS65D,RGPR50NL45HRB,RGTH60TK65D,RGT40NL65D,RGW□80TS65DHR,RGWS60TS65D,RGTH00TK65D,RGTH SERIES,RGT30NS65D,MG7211WZ,RGTVX2TS65,RGW SERIES,RGTV60TK65D,RGT16NL65D,RGS50TSX2D,RGTH,RGTV,RGC80TSX8R,RGW60TK65D,RGW00TK65D,RGS SERIES,RGS30TSX2HR,RGTH50TK65,RGW00TS65CHR,MG7102WZ,MH2207WZ,RGW60TS65EHR,RGT40NS65D,MG7209WZ,RGW80TS65CHR,SH2102WN,RGTH80TS65D,RGCL,RGS60TS65HR,RGWX5TS65EHR,MG7405WZ,MG7212WZ,RGT80TS65D,RGPZ30BM56HR,RGPR20NL43HR,RGW00TS65HR,RGT50TS65D,MG6402WZ,RGW80TS65HR,RGSX5TS65E,RGT30NL65D,MH2104WZ,MG7109WZ,RGW80TK65E,RGW80TK65D,MH2201WZ,RGPR30NS40HR,MG6304WZ,RGS00TS65EHR,RGW60TS65DHR,RGW50TS65D,RGCL60TS60,RGT8TM65D,RGS50TSX2,RGCL60TK60,SH2103WN,RGCL80TS60D,RGTV00TK65D,RGT8BM65D,RGTH00TS65D,RGTV SERIES,RGTV60TS65,RGTV00TK65,RGWX5TS65,RGTV00TS65,RGT8NL65D,RGTH00TK65,MG7902WZ,RGTV60TK65,RGTH60TK65,RGT60TS65D,RGT16NS65D,MG6401WZ,RGT SERIES,RGT20NS65D,RGS50TSX2HR,MH2103WZ,RGWS60TS65,RGWSX2TS65,RGW00TS65EHR,SG6612WN,RGTH40TK65D,RGW60TS65CHR,MG6303WZ,MH2209WZ,MG7108WZ,RGT50NL65D,MH2102WZ,RGW80TS65EHR,RGWS00TS65,MG7210WZ,RGW40TS65D,RGCL60TS60D,SH2104WN,RGTV80TS65D,RGTH60TS65,RGTH50TK65D,RGWS,RGPR30BM56HR,RGTH00TS65
【元件】森未科技推出200kW+储能PCS用IGBT:S3L400R10HA7U_C20,采用Flow2系列封装
森未科技正式发布HA系列首款产品:S3L400R10HA7U_C20,可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能。S3L400R10HA7U_C20为三电平INPC拓扑,采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD,针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。
混合式IGBT可解决硅基FRD的Snappy现象限制IGBT的开通速度问题
基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,在部分应用中可以替代传统的IGBT,使IGBT的开关损耗大幅降低,适用于储能(ESS)、车载充电器(OBC)、不间断电源(UPS)、光伏组串逆变器等领域。
混合式IGBT——硅FRD的Snappy现象会限制IGBT的开通速度 ∣ 视频
基本半导体市场部总监魏炜老师将继续带来混合式IGBT话题第三讲,主要介绍硅基FRD反向恢复的Snappy现象对IGBT的开通速度的影响,以及用碳化硅肖特基二极管的替代解决办法,点击视频一探究竟!
森未科技200kW+储能PCS用IGBT:S3L400R10GA7U_C20,采用三电平INPC拓扑
森未科技正式发布GA系列首品:S3L400R10GA7U_C20,可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能,兼容性好。采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD,针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。
【应用】IGBT功率模块在充电设备上的应用
半导体材料在当前的电池充电应用中扮演着越来越重要的角色,Vincotech公司开发了一系列针对这种应用的全功率范围的功率模块,该模块设计大大节省了PCB板的面积。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
提供电子电气产品的辐射骚扰测试、辐射抗干扰测试,以及RFID,SRD,2G,3G,4G等无线产品的辐射骚扰测试、辐射杂散测试、辐射功率测试以及辐射抗干扰测试。测试频率可覆盖9KHz-26.5GHz。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论