晶圆划片有哪几种方法？
晶圆划片(切割)指的是将单个晶圆切割成多个独立的芯片(“die”)的过程。这个工序在晶圆上完成了所有半导体制造工艺后进行，以便进行后续的封装和测试。而划片的方式有很多种，今天我们就来系统地介绍一下。
为什么要有划片工序？
晶圆上包含了成千上万的芯片，每一粒芯片都是一个独立的单元。当芯片的制造结束后，芯片是一个裸漏的状态，终端环境中的化学腐蚀、灰尘、湿气等都会对芯片造成致命损伤，因此需要将芯片穿上“衣服”(外壳)来保护芯片，也就是封装。而划片工序就是让每个芯片可以单独封装，以便在终端环境中使用。
主流的划片方式？
一般有机械划片，激光划片。而激光划片又分为激光隐切与激光全切。在晶圆上会有纵横交错的切割道，切割道是要切割成单独芯片的边界，一般是沿着切割道进行划片。
机械划片
机械划片是使用金刚石刀片，来物理切割晶圆，是晶圆划片中最传统和常用的一种方法。金刚石刀片在高速旋转下对晶圆进行切割，而产生的热量与碎屑被水流带走。
优点：
1、设备便宜
2、适合各种材料的晶圆
缺点：
1、划片精度不高
2、划片速率较低
3、容易出现崩边等异常
4、不适合太薄晶圆，一般100μm以上厚度的晶圆适合机械划片。
激光切割
有些晶圆比较脆，比较薄，因此用金刚石刀片划片极易发生崩边与破裂的问题，因此需要考虑激光切割。
激光隐切(Stealth Dicing)
激光隐切分为两步：第一步是使用激光束聚焦于晶圆的内部，精确控制激光的聚焦深度，在晶圆内部形成微细的裂纹，而表面保持完整。第二步则是通过机械手段均匀拉伸贴在晶圆背后的胶带，随着胶带的扩展，晶圆上的单个芯片沿着激光预切割的路径分离开来。
激光全切(Laser Full Cut)
激光全切是指激光束直接照射在晶圆表面，贯穿整个晶圆厚度，完全切断晶圆，直接分离出单个芯片。激光全切可以精确控制激光的功率、焦点和速度，以适应不同的材料和厚度要求。与激光隐切不同，激光全切不需要后续的胶带扩展步骤来分离芯片。
激光切割的优点?
1，划片速率极快
2，应力损伤小
3，划片精度极高
缺点：
1，价格昂贵
2，激光全切灼烧产生的碎屑难以清理。
什么是开槽划片?
为了减少划片的崩边问题，可以用激光先开槽，再用金刚石刀片进行划片。也可以用较厚的金刚石刀片先开槽，再用金刚石刀片进行划片。
什么是DBG工艺?
日本Disco公司独家的DBG工艺(Dicing Before Grinding)，指的是先将晶圆正面划片指定的深度(未切透晶圆)，然后再把晶圆背部研磨到对应的切割深度，而达到减少晶圆破裂的问题。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由玉鹤甘茗转载自芯长征科技公众号，原文标题为:晶圆划片有哪几种方法？，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
一文看懂晶圆级封装工艺
晶圆级封装是指晶圆切割前的工艺。晶圆级封装分为扇入型晶圆级芯片封装（Fan-In WLCSP）和扇出型晶圆级芯片封装（Fan-Out WLCSP），其特点是在整个封装过程中，晶圆始终保持完整。除此之外，重新分配层（RDL）封装、倒片（Flip Chip）封装及硅通孔（TSV）封装通常也被归类为晶圆级封装，尽管这些封装方法在晶圆切割前仅完成了部分工序。
技术探讨 发布时间 : 2024-02-08
碳化硅单晶衬底的常用检测技术何如保证功率半导体器件的性能？
在半导体产业链中，衬底材料作为晶圆制造的基础，不仅提供物理支撑，还负责导热和导电。特别是在SiC功率半导体器件中，由于采用了同质外延技术，衬底的质量直接影响外延材料的品质，进而决定了功率半导体器件的性能。鉴于SiC衬底在半导体器件制造中的重要性，其质量检测是确保器件性能的关键环节。本文简要介绍下SiC单晶衬底常用的检测技术。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-26
碳化硅的激光切割技术介绍
近年来，激光切割技术在半导体材料生产加工中变得越来越受欢迎。这种方法的原理是使用聚焦的激光束来修饰基材的表面或内部，从而将其分离。由于这是一种非接触式工艺，避免了刀具磨损和机械应力的影响。因此，它显著提高了晶圆表面的粗糙度和精度，还消除了对后续抛光工艺的需求，减少了材料损失，降低了成本，并减少了传统研磨和抛光工艺可能造成的环境污染。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-23
Yole展望：化合物半导体行业前景先声夺人
Yole集团半导体衬底与材料技术与市场分析师Ali Jaffal博士总结道：“化合物半导体行业正处于向更大直径衬底过渡的关键时刻。在功率电子领域，产能的需求使SiC向8英寸过渡成为了当务之急；在光子领域，人工智能正在推动高数据率激光器的需求，这将加速向6英寸InP衬底的过渡。总之，在功率电子和光子化合物半导体强劲增长的推动下，化合物半导体衬底和外延片市场将不断发展，整个行业前景可期。
行业资讯 发布时间 : 2024-03-01
晶圆级立方碳化硅单晶生长取得新突破
近期，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心的陈小龙团队提出了调控固-液界面能，在异质籽晶上较同质籽晶优先形核和生长的学术思想。该团队自主设计、搭建了超高温熔体表面张力和固-液接触角测试设备，在高温下测量了不同成份熔体的表面张力，熔体与4H-SiC、3C-SiC的接触角，获得了4H-SiC、3C-SiC与高温熔体的固-液界面能的变化规律，验证了界面能调控的可行性。
行业资讯 发布时间 : 2024-03-29
碳化硅外延生长炉的技术路线有哪些不同？
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础，外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-03
晶圆为什么要抛光？
一枚芯片的诞生，中间要经历很多次打磨来降低晶圆的粗糙度和高低起伏，去除表面多余的物质，另外晶圆上各种工艺问题，导致的表面缺陷（defect)，经常也要等到每次打磨完成后，才会暴露出来，所以负责研磨的工程师责任重大，他们既是芯片制程中承上启下的C位，也是生产会议中接盘背锅的T位，他们既要会湿法刻蚀，又得懂物理输出，因为芯片厂最主要的抛光技术。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-25
背面供电技术是如何降低芯片功耗的？
随着晶圆厂应对晶体管小型化的挑战，研究人员正在探索新材料和技术，以提高下一代芯片性能，这是先进半导体技术不断发展领域的一个关键焦点。现在，英特尔正准备通过其背面电源连接提供创新技术，这有助于减少功率损耗并提高器件性能。传统的电力输送在半导体中面临哪些挑战，新的背面电力输送方法如何工作，以及未来设备中还将部署哪些其它方法？
技术探讨 发布时间 : 2024-03-20
碳化硅功率半导体生产流程
碳化硅功率半导体生产流程碳化硅功率半导体生产主要包括前道的晶圆加工，包括长晶、切割、研磨抛光、沉积外延；第二部分芯片加工，这部分跟硅基IGBT类似。第一部分，晶圆加工首先，以高纯硅粉和高纯碳粉为原料生长SiC，通过物理气相传输（PVT）制备单晶。第二，使用多线切割设备切割SiC，晶体切成薄片，厚度不超过1毫米第三，通过不同粒度的金刚石研磨液，将晶圆研磨至所需要的平整度和粗糙度。
技术探讨 发布时间 : 2023-12-28
MOSFET的并联使用教程
与其他半导体器件相比，功率MOSFET的一个显著优点是，很容易将它们并联使用，从而增强电路的驱动能力。虽然这个并联使用的理论是绝对成立的，但是粗心的电路设计者也会遇到一些潜在的问题一个MOSFET是由硅晶圆表面上的并联的单元组成的。这些单元是在同一条件下同时制造出来的。
设计经验 发布时间 : 2024-03-10
“技术、产业、格局大洗牌” 第三代半导体将进入“战国时代”
半导体产业发展至今经历了三个阶段，第一代半导体材料以硅（Si）为代表，以砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导体材料和以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）等宽禁带为代表的第三代半导体材料。相较前两代产品，第三代半导体最大的优点在于能够适应高压，高频和高温的极端环境，性能大幅提升。
行业资讯 发布时间 : 2024-03-05
一文看懂碳化硅功率半导体生产流程
碳化硅功率半导体生产流程主要包括前道的晶圆加工，包括长晶、切割、研磨抛光、沉积外延；第二部分芯片加工，这部分跟硅基IGBT类似。
技术探讨 发布时间 : 2024-02-03
下一代晶体管，晶圆三巨头亮剑
既然三大先进芯片制造商都已经展示了 CFETS（complementary field-effect transistors：互补场效应晶体管），那么晶体管密度几乎翻倍的未来处理器的愿景已开始成形。CFET 是一种单一结构，堆叠了 CMOS 逻辑所需的两种类型的晶体管。在本周于旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议上，英特尔、三星和台积电展示了他们在晶体管的下一代发展方面取得的进展。
行业资讯 发布时间 : 2024-03-06
碳化硅晶圆，2024国产或将占据全球50%份额！
2023年，中国化合物半导体产业实现历史性突破。此前中国碳化硅材料仅占全球约5%的产能，然而业界乐观预计，2024年中国碳化硅晶圆在全球的占比有望达到50%。
行业资讯 发布时间 : 2023-12-14
碳化硅外延设备技术研究
水平热壁反应室具有较好的温度场和气流场环境， 晶圆被正面热辐射和背面热传导双面加热，加热效率 高、升温快、生长速率高。因此，本文以水平热壁反应室为研究对象，对温度场和气流场关键技术进行分析，优化腔室结构设计，获得了具有优异工艺性能的反应腔室。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-05
电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论