DIT050N06导通电阻典型值为14mΩ,助力便携式自给自足的电动自行车充电站
用电动自行车出行方式正在迅速增长,因此对公共自行车充电设施的需求也在迅速增加。在市中心,这些充电站通常可以接入电力线路,但如果我们在郊区,比如公园、湖泊、山区或者户外节日上,情况就不同了。如果我们可以在这些地方简单地放置一个便携式容器,包括多个自行车充电点、屋顶上的太阳能电池板和储能电池,会怎么样?这听起来是个很棒的主意,而且现在已经实现了!
2023年,德国联邦环境、自然保护和核安全部资助了一家设计和生产这种未来概念的初创公司。其目的是建立一个在为整个联邦领土具有示范性的项目:一个充电站,设计成一个标准化、便携、自给自足的集装箱建筑,配有最多有10个自行车停车位和8个充电点。充电站的电源是屋顶上的太阳能电池板,将多余的能量储存在电池中,确保即使在夜晚或阴天也能使用。已经有几个市政府和社区联合起来,为电动自行车的出行发出了明确的信号,并安装了这样的集装箱。
为了避免电池反向放电到太阳能板上,需要一个极性保护元件。在像这种充电容器这样的低压应用中,功率MOSFET是一种节能解决方案。德欧泰克的DIT050N06采用易于组装的TO-220AB封装,提供60V的阻断电压,以及非常低的导通状态电阻,典型值为14mΩ。在8A的电池充电电流下,功耗仅为900mW,仅为传统肖特基二极管解决方案的三分之一。
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型: Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]:-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]:150~175、Power Dissipation Ptot [W]:0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]:-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]:-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]:0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]:-10~10、Turn-OnTime ton[ns]:3~1206、Turn-Off Time toff[ns]:7~991
产品型号
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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选型表 - DIOTEC 立即选型
DI318N06PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI318N06PQ型号的N-Channel Power MOSFET(N-通道功率MOSFET)的特性,包括其静态和动态特性、热特性、封装类型以及应用领域。资料还提供了产品的最大额定值、电气参数和机械数据。
型号- DI318N06PQ
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DI035P04PT P沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI035P04PT型P沟道功率MOSFET的特性,包括静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。产品适用于电源管理、电池供电设备、负载开关和极性保护等应用。
型号- DI035P04PT,DI035P04PT-AQ
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DI050N04PT N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI050N04PT型号的N沟道功率MOSFET的特性,包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸、应用领域等。该器件适用于电源管理、电池供电设备、负载开关和极性保护等应用。
型号- DI050N04PT,DI050N04PT-AQ
DI050P04D1 P沟道功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了DI050P04D1型号的P沟道功率MOSFET的特性,包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。该产品适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动器、同步整流器等应用领域。
型号- DI050P04D1
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【产品】-50A/-30V的P沟道功率MOSFET DI050P03PT, 采用QFN3×3封装
Diotec推出的商用级P沟道功率MOSFET DI050P03PT,采用QFN3×3封装,尺寸小,剖面低,节省空间,具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关的特点。电气参数方面,漏极-源极电压为-30 V,栅极-源极电压为±20V,功率耗散为40 W,允许通过的漏极持续电流为-50 A(TC = 25°C ),漏极峰值电流为-200 A。工作结温和存储温度范围-55~+150︒C。
DIT050N06 N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DIT050N06型号的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点,适用于直流/直流转换器、直流驱动器和商业级电源等领域。
型号- DIT050N06
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服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
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