【IC】 知融科技正式发布Ka频段GaN功率放大器芯片ZRA1153/54,连续波输出功率分别为7W和14W

2024-02-07 知融科技官网
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新年伊始,万象更新。随着2024年新年钟声的敲响,知融科技GaN功率放大器系列产品震撼登场。


近期,公司顺利完成了两款Ka频段GaN功率放大器芯片ZRA1154ZRA1153的全面测试、验证,并已开始送样。测试结果显示,其性能指标完全符合预期。


这两款放大器的工作频率均在27~31GHz,连续波输出功率分别为7W和14W,同时展现出卓越的线性度,尤其适合在卫星通信设备中应用。用户将之与竞品公司的QPA2210D和QPA2211D的性能参数对比后,给予了极高的评价。


随着GaN PA系列产品的发布,知融科技在卫星通信领域的芯片产品线得到了进一步完善。知融科技始终致力于为新一代无线通信技术提供卓越的芯片级解决方案。目前,知融科技的产品系列包括:

1.适用于卫星通信相控阵天线的硅基波束赋形芯片Beamformer ICBFIC);

2.采用GaAs工艺的PA和LNA芯片,既适合与知融科技BFIC芯片配套使用,也可单独使用;

3.适用于卫星通信BUC设备的GaN PA芯片。


无“线”进步,连接未来。知融科技将继续秉持创新精神,不断推出更多引领行业的芯片产品,助力全球无线通信技术的快速发展。公司坚信,知融科技的产品将为卫星通信和其他无线通信领域带来更多的突破与可能。

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型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC

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知融科技低噪声放大器芯片、多通道波束成形芯片、功率放大器芯片、GaN功率放大器芯片选型表

知融科技(ZIRO)提供以下技术参数的放大器(LNA)芯片选型,工作频率范围(GHz):+4~+40;増益 (dB)范围:+10~+33;P1dB (dBm) 范围:-40~+34.7;具有DFN、Die、QFN、WLCSP等多种封装形式,可广泛应用于卫星通信,安防,工业设备,相控阵天线,毫米波通信等行业。

产品型号
品类
工作频率(GHz)
増益 (dB)
P1dB (dBm)
芯片尺寸 (mm)
噪声系数 (dB)
功耗 (V/mA)
功能描述
ZRL164
低噪声放大器芯片
4~7
33
16
2.6X1.1
1.2
5/48 (单电源)
C波段低噪放

选型表  -  知融科技 立即选型

CHA6354-QQA 27.5-30GHz 4W HPA,采用单刀双掷氮化镓单片微波IC,QFN封装

描述- 该资料详细介绍了CHA6354-QQA,一款27.5-30GHz频段,输出功率达4W的GaN高功率放大器。该放大器采用三阶GaN HEMT技术,内置SPDT开关,具有宽带性能、高线性度、低功耗等特点,适用于卫星通信上行链路和5G通信应用。

型号- CHA6354-QQA

01 Jul 24  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 批量订货

GH15氮化镓技术

描述- GH15 GaN工艺针对高功率、高PAE和高线性度优化,适用于30GHz以上频率。该工艺结合氮化镓功率密度和碳化硅散热基板,在30GHz时功率密度超过3W/mm。工艺包括MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属互连层。适用于设计高功率和高PAE放大器、稳健的LNA和高功率开关。主要应用领域包括Pt到Pt无线电、5G、卫星通信、雷达、宽带放大和Hi-Rel产品。工艺设计套件(PDK)包含非线性电热模型、噪声模型、二极管和开关模型、无源模型,以及相关库元素。

型号- GH15

2019/08/14  - UMS  - 技术文档 代理服务 技术支持 批量订货 查看更多版本

CHA6682-QKB 24-27.5GHz 4W线性功率放大器氮化镓单片微波集成电路,采用QFN封装

描述- 该资料介绍了UMS公司的CHA6682-QKB GaN Monolithic微波集成电路(MMIC),一款适用于VSAT、卫星通信、5G通信和雷达应用的宽带高功率放大器。该芯片具有高性能和高线性度,低功耗,内置射频功率检测器。

型号- CHA6682-QKB/XY,CHA6682-QKB

8 Aug 24  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 批量订货

高功率氮化镓射频

描述- 该资料主要介绍了UMS公司提供的GaN(氮化镓)射频功率产品,包括GaN功率条、内部匹配的GaN功率晶体管和封装的MMIC(单片微波集成电路)。产品适用于多种应用,如国防、空中交通、卫星和卫星通信。资料详细列出了不同产品的型号、工作频率、增益、饱和功率、效率、偏置电流和电压等参数。此外,还提供了产品图片和公司联系方式。

型号- CHS7012-99F,CHS8618-99F,CHA8710-99F,CHK8015-99F,CHK9014-99F,CHA6710-99F,CHK9013-99F,CHA8610-QYG,CHA8611-99F,CHZ8012-QJA,CHZ9012-QFA

2018/04/19  - UMS  - 技术文档 代理服务 技术支持 批量订货

裸片形式的CHA8362-99F 27.5-31GHz 25W高功率放大器氮化镓单片微波集成电路

描述- 该资料介绍了CHA8362-99F是一款工作在26.5至31GHz频率范围内的25W高功率放大器。它采用GaN-on-SiC HEMT工艺制造,提供典型的25W饱和输出功率和30%的功率附加效率。该放大器具有超过25dB的小信号增益,适用于卫星通信和其他微波应用。

型号- CHA8362-99F/00,CHA8362-99F

4 Dec 23  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 批量订货 查看更多版本

CHA6357-QKB 27-31 GHz 4W功率放大器SMD无铅封装氮化镓单片微波IC

描述- 该资料介绍了UMS公司的CHA6357-QKB GaN Monolithic微波集成电路(MMIC),这是一款适用于27-31GHz频段的4W功率放大器。它具有高效率、低功耗和高线性度等特点,适合用于VSAT、卫星通信上行链路和5G通信等领域。

型号- CHA6357-QKB/XY,CHA6357-QKB

15 Dec 23  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 批量订货 查看更多版本

高级信息:采用QFN封装的AI2214 24-27.5GHz 4W HPA氮化镓单片微波IC

描述- 该资料介绍了UMS公司生产的24-27.5GHz频段的三级GaN高功率放大器(HPA),型号为CHA6682-QKB。这款HPA采用SiC HEMT工艺制造,提供4W输出功率和26%的功率附加效率,具有25dB的小信号增益。它适用于电信、卫星通信和雷达等微波应用。

型号- CHA6682-QKB

26 Mar 24  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 批量订货

UMS将于11月在GH25 GaN工艺生产上提供多项目晶圆(代工)服务

UMS将于11月在其GH25 GaN工艺生产上提供多项目晶圆(代工)服务。GH25是一种采用SiC基片,空间评估0.25µm HEMT GaN工艺技术,适用于超高功率应用。GH25是设计大功率放大器,开关和LNA,应用于电信,卫星通信,电子战和雷达等高达20GHz应用的理想之选。

2020-10-28 -  行业资讯 代理服务 技术支持 批量订货

UMS卫星通信公司生产L、S、C、X、Ku和Ka波段高性能微波单片集成电路

描述- UMS SATCOM提供高性能MMICs,涵盖L、S、C、X、Ku和Ka频段。产品包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA)和频率转换器,适用于卫星通信终端。UMS采用GaN和GaAs技术,满足客户对卫星通信设备的需求。公司提供空间评估技术和产品认证流程,确保产品适用于卫星设备。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移,并提供广泛的封装解决方案,覆盖GEO和LEO卫星通信的上行和下行链路。产品目录包括多种放大器、衰减器和转换器,适用于不同频率和带宽需求。

型号- CHT4690-FAB,CHA6710-99F,CHA2362-98F,CHA6710-FAB,CHR3762-QDG,CHA6653-QXG,CHA3666-QAG,CHT4660-QAG,CHR3693-QDG,CHA6653-98F,CHA3688AQDG,CHT3091-FAB,CHA8054-99F,CHA4253-FAB,CHA3395-QDG,CHA4253-QQG,CHA5266-FAB,CHR3352-QEG,CHR3693-99F,CHA3656-QAG,CHA6550-98F,CHR3693-FAB,CHA8611-99F,CHA6652-98F,CHA8012-99F,CHA4107-99F,CHA3396-QDG,CHA3801-FAB,CHA2069-FAB,CHA4107-QDG,CHA6551-99F,CHA6652-QXG,CHA3666-FAB,CHA3666-99F,CHX2193-FAB,CHA3024-FDB,CHA8610-99F,CHA6550-QXG

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描述- 该资料介绍了CHA8262-99F是一款27.5至31.5 GHz频段的三级GaN高功率放大器,输出功率达到12W。它采用0.15μm栅长GaN-on-SiC HEMT工艺制造,适用于卫星通信上行链路和5G通信应用。

型号- CHA8262-99F,CHA8262-99F/00

15 Sep 23  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 批量订货 查看更多版本

ZRF8366 17~21.5GHz 16通道K波段双波束接收波束形成器数据表

描述- 本资料介绍了ZRF8366,一款工作在17至21.5GHz频段的16通道K波段双波束接收机阵列。该器件具备高集成度和高性能,适用于卫星通信、雷达系统等领域。

型号- ZRF8366

20230720  - 知融科技  - 数据手册  - Rev.0.4 代理服务 技术支持 批量订货

【应用】大于60W高功率放大器CHZ9012-QFA助力S波段卫星通信系统设计

针对S波段卫星通信系统设计,本文推荐采用UMS公司的GaN高功率放大器解决方案——CHZ9012-QFA,频率范围2.7GHz~3.4GHz,具有高功率(大于60W)、高功率附加效率(大于50%)优势,工作温度范围-40℃~110℃(在考虑最大结温的条件下),最大结温为200℃,可满足卫星上苛刻的工作环境要求。

2019-07-04 -  应用方案 代理服务 技术支持 批量订货
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品类:GaN功率放大器芯片

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品类:射频IC

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品牌:铭科思

品类:射频IC

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品牌:知融科技

品类:低噪声放大器芯片

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品牌:知融科技

品类:功率放大器芯片

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品类:GaAs TR芯片

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