【IC】知融科技正式发布Ka频段GaN功率放大器芯片ZRA1153/54，连续波输出功率分别为7W和14W

时间： 2024-02-07 来源：知融科技官网

技术问答

新年伊始，万象更新。随着2024年新年钟声的敲响，知融科技 GaN功率放大器系列产品震撼登场。

近期，公司顺利完成了两款Ka频段GaN功率放大器芯片 ZRA1154和ZRA1153的全面测试、验证，并已开始送样。测试结果显示，其性能指标完全符合预期。

这两款放大器的工作频率均在27~31GHz，连续波输出功率分别为7W和14W，同时展现出卓越的线性度，尤其适合在卫星通信设备中应用。用户将之与竞品公司的QPA2210D和QPA2211D的性能参数对比后，给予了极高的评价。

随着GaN PA系列产品的发布，知融科技在卫星通信领域的芯片产品线得到了进一步完善。知融科技始终致力于为新一代无线通信技术提供卓越的芯片级解决方案。目前，知融科技的产品系列包括：

1.适用于卫星通信相控阵天线的硅基波束赋形芯片（Beamformer IC，BFIC）；

2.采用GaAs工艺的PA和LNA芯片，既适合与知融科技BFIC芯片配套使用，也可单独使用；

3.适用于卫星通信BUC设备的GaN PA芯片。

无“线”进步，连接未来。知融科技将继续秉持创新精神，不断推出更多引领行业的芯片产品，助力全球无线通信技术的快速发展。公司坚信，知融科技的产品将为卫星通信和其他无线通信领域带来更多的突破与可能。

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目录- 多通道波束成形芯片-Rx 低噪声放大器芯片驱动放大器芯片 & 功率放大器有源混频器

型号- ZRA1271LP5,ZRM7301,ZRA1153,ZRL1101,ZRF8165,ZRL1403LP2,ZRF8103,ZRF8301,ZRF8104,ZRF8203,ZRF8302,ZRL1304LP3,ZRF8101,ZRF8365,ZRL103,ZRF8102,ZRF8366,ZRL1402,ZRF8204,ZRF8303,ZRA125LP4,ZRL1304,ZRA1160,ZRL103LP3,ZRA1164,ZRA1163,ZRL1402LP2H,ZRA125

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描述- 2021年成立于中国深圳，主要从事为第三代半导体硅基GaN材料技术的集成电路的研发和销售，其芯片设计中心位于美国芝加哥，产品应用中心位于中国深圳与厦门。

型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC

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CHA6682-QKB 24 - 27.5GHz 4W Linear Power Amplifier GaN Monolithic Microwave IC in QFN package

型号- CHA6682-QKB/XY,CHA6682-QKB

数据手册 - UMS - 8 Aug 24 PDF 英文下载

亚成微电子（Reactor Microelectronics）AC-DC电源管理芯片选型指南

描述- 亚成微电子股份有限公司（简称“亚成微”），成立于2006年，是—家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，总部位于西安，在厦门、深圳、宁波、中山等地设有研发中心或客户支持中心。目前，基于“高速率功率集成技术平台”已量产包括射频功率放大器供电管理方案-包络跟踪芯片（ET)、智能功率开关芯片、AC/DC电源管理芯片、线性LED照明驱动芯片以及功率MOSFET在内五大产品线，可被广泛应用于无线通信、工业控制、汽车电子、消费电子以及LED照明等领域。

型号- RM6648S,RM673X,RM335X系列,RM6801ND,RM6601SDL,RM3353SA,RM3432SH,RM3434SH,RM3411SL,RM3352S,RM6515D,RM3360T,RM3432SA,RM3434SA,RM6648SC,RM6801NDL,RM335X,RM6514S,RM343X,RM673X 系列,RM3365DL,RM6510T,RM6732S,RM3430T,RM3430TH,RM341X 系列,RM672X 系列,RM1342S,RM3353DA,RM3368SL,RM3364SL,RM336X,RM6602T,RM6601SN,RM6601NDL,RM3360TL,RM6727S,RM3354SA,RM6601NDQ,RM3352SA,RM6000T,RM6501S,RM3412SL,RM3435SH,RM6501SN,RM6517D,RM6820NQL,RM1342SDL,RM3402AL,RM6601SD,RM3392SH,RM6603SC,RM6801SDL,RM3436DH,RM6734S,RM341X,RM672X,RM6604NDQ,RM336X系列,RM6730S,RM6604NDL,RM343X系列,RM6314DA,RM3402SA,RM6312DA,RM6801SD,RM3363SL

选型指南 - 亚成微电子 - V1.4 - 2022/8/3 PDF 中文下载

知融科技低噪声放大器芯片、多通道波束成形芯片、功率放大器芯片、GaN功率放大器芯片选型表

知融科技(ZIRO)提供以下技术参数的放大器（LNA）芯片选型，工作频率范围（GHz）：+4~+40；増益 (dB)范围：+10~+33；P1dB (dBm) 范围：-40~+34.7；具有DFN、Die、QFN、WLCSP等多种封装形式，可广泛应用于卫星通信,安防,工业设备,相控阵天线,毫米波通信等行业。

产品型号	品类	功能描述	噪声系数（dB）	芯片尺寸 (mm)	功耗 (V/mA)	工作频率（GHz）	P1dB (dBm)	増益 (dB)
ZRL164	低噪声放大器芯片	C波段低噪放	1.2	2.6X1.1	5/48 （单电源）	4~7	16	33

选型表 - 知融科技立即选型

知融科技（ziro-Tech）毫米波射频芯片选型指南（英文）

描述- 成都知融科技有限公司成立于2019年，是一家专注于毫米波集成电路设计的国家高新技术企业，致力于为新一代平板阵列天线系统、毫米波通信系统提供高性能的芯片级解决方案，拥有相关领域的数十项知识产权。

型号- ZRA1297,ZRA1154,ZRM7301,ZRA1292,ZRA1291,ZRA1294,ZRA1293,ZRA1296,ZRA1153,ZRL1101,ZRF8281,ZRF8165,ZRL1405,ZRF8203,ZRL1406,ZRF8365,ZRL103,ZRF8366,ZRL1402,ZRF8204,ZRL1304,ZRA1462,ZRN9100,ZRN9101,ZRA1162,ZRA1461,ZRA1163,ZRN9102,ZRN9301,ZRN9103,ZRN9302,ZRN9104,ZRN9303,ZRN9105,ZRA125

选型指南 - 知融科技 - Rev.A4 - 202403 PDF 英文下载

氮化镓器件在射频领域中的应用，具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势

碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。

应用方案发布时间 : 2024-05-23

High performance MMICs in L, S, C, X,Ku, Ka and Q Bands

型号- CHT4690-FAB,CHK8101-SYC,CHA8252-99F,CHT4660-QAG,CHA8254-99F,CHR3693-QDG,CHA3688AQDG,CHA2595-98F,CHA8262-99F,CHA4253A98F,CHA4253-QQG,CHR3352-QEG,CHR3693-99F,CHW4212-QKA,CHA8012-99F,CHA2595-QDG,CHA4107-99F,CHA3396-QDG,CHA4107-QDG,CHA8362-99F,CHA5005-QDG,CHA3666-99F,CHW4313-QAG,CHA8312-99F,CHA2362-98F,CHR3762-QDG,CHA6653-QXG,CHA3666-QAG,CHA7453-99F,CHA6354-QQA,CHA6653-98F,CHT3091-FAB,CHA3395-98F/QDG,CHA2352-98F,CHW4312-QKA,CHA4253-FAB,CHA8352-99F,CHW4213-QAG,CHA6550-98F,CHR3693-FAB,CHA6282-QCB,CHA7455-99F,CHA3801-FAB,CHA2069-FAB,CHA2368-98F,CHA8612-QDB,CHA3666-FAB,CHA6357-QKB,CHA6550-QXG

商品及供应商介绍 - UMS - 2023/5/15 PDF 英文下载

亚成微电子专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司介绍

描述- 陕西亚成微电子股份有限公司，成立于2006年，是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司,且是注册在西安高新区内的规模以上国家高新技术企业。研发覆盖半导体功率IC和功率器件两大类，主要产品包括包络跟踪射频功率放大器（ET-PA）、AC/DC电源管理芯片、LED驱动芯片以及功率MOSFET等。产品可被广泛应用于无线通信、消费电子、汽车电子以及LED照明等多领域中。

型号- RM9001DD,RM6801X,RM9001DC,RM9001DB,RM9001DA,RM9003B,RM9003A,RM9012GB,RM9010GB,RM9023,RM32XX,RM66040ND,RM34XX,RM6801S,RM9005AG,RM9005AE,RM335X系列,RM9005AC,RM6801X系列,RM9001AF,RM9001AE,MOS-RMX65R系列,RM9001AA,RM9012D,MOS-RMX65R,RM9012B,RM6820系列,RM9035X,RM335X,RM68XX,RM671X,RM343X,RMA65R650SN #2,RMA65R650SN #3,W*65R650 #1,W*65R650 #2,W*65R650 #3,RM6601X,RM9001D,RM6601X系列,RM343X系列,RM9001A,RM33XX,RMA65R650SN #1,RM9006AC,RM9006AB,RM6801SN,RM9010E,RM67XX系列,RM9010B,RM9026B,RM9006F,RM9006A,RM9026A,RM6820,RM65XX,RM63XX,RM67XX

商品及供应商介绍 - 亚成微电子 - 2022/1/13 PDF 中文下载