合科泰HKTD4N65高压功率MOS管采用TO-252封装，最大漏源电压650V，可用于开关电源、快充和电动工具

时间： 2024-02-18 来源：合科泰半导体公众号

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高压功率MOS管是电子设备中非常重要的元件之一，它通常具有高电压、大电流、高频率和高效率等特点，广泛用于高电压和大功率等场合。在高压功率MOS管的应用中，不同的耐压值会对应不同的反应速度，高压MOS管的产品性能与其应用场景息息相关。本期，合科泰给大家推荐一款常用的高压MOS管HKTD4N65，它被客户广泛应用于电源、快充、逆变器和电池保护等领域。

产品特性

合科泰这款HKTD4N65管子由东莞工厂生产，这是一款采用N沟道制作的功率MOS管，它具有非常良好的电学性能，最大漏源电压650V，最大栅源电压±30V，连续漏极电流（也叫最大漏源电流）4A，漏源导通电阻RDS(ON)2.22Ω，最小栅极阈值电压（开启电压）2V，最大栅极阈值电压4V，最大耗散功率23.1mW。

1、ID：最大漏源电流。指MOS管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。

2、IDM：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。

3、VGS：最大栅源电压。

4、V(BR)DSS：漏源击穿电压。指栅源电压VGS为0时，MOS正常工作所能承受的最大漏源电压。

5、RDS（on）：在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOS导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOS导通时的消耗功率，此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。

6、VGS（th）：开启电压（阀值电压），当外加栅极控制电压VGS超过VGS（th）时漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道，此参数一般会随结温度的上升而有所降低。

7、PD：最大耗散功率。指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

这款HKTD4N65采用高密度电池设计，稳定性和均匀性非常好，产品采用特殊工艺技术制作，具有良好的散热，性能稳定而强大。它的开关速度快，具有高耐压特性，低栅极电荷最大限度减少导电损耗，导电性好，最小化开关损耗，具有雪崩电压和电流的全特性，小尺寸设计适合很多电子产品。

合科泰这款功率MOS管采用的是TO-252封装，它具有散热性能好，产品稳定可靠，贴片设计占用空间小，易于安装，工作效率高，热阻低，产品应该广泛，可满足大功率应用需求。

原理及应用

合科泰生产的这款HKTD4N65可用于电动工具、PD快充、电源、驱动器、电机控制器、变频器、适配器、逆变器、电池保护板、智能插座、智能扫地机器人、智能小家电等产品上。

优良的产品特性决定了它广阔的应用领域，合科泰的高压MOS管HKTD4N65具有高耐压能力，它能承受较高的电压，适用于开关电源、储能、逆变器、工业机器人等高压场景等。HKTD4N65的快速响应速度，使得它很适合开关电路，开关性能好，响应速度快，在电源、变换器、电机驱动、电池保护、快充等应用上具有广泛应用。

以市面上的主流65W快充产品兼容最新的PD3.0/QC3.0快充，支持100-240V宽幅电压，拥有过流、过载、过压、温度保护等功能，这对分立器件产品的要求也是非常高的。如65W快充产品对开关MOS要求耐压在600V~700V之间，主流是650V，开关速度快，封装主流是TO-252等，HKTD4N65这个管子符合市场需求。

客户在进行功率MOS管选型时候需要考虑很多因素，比如P管还是N管，要针对实际的应用具体来选择，HKTD4N65是一款N沟道MOS管。此外，温升和热设计是选取封装最基本的要求，这款产品是TO-252封装，导电性和散热能力强。

对于MOS选型，工程师还要根据应用场景和产品需要的特性确定选取VDS(V)、VGS±(V)、ID(A)、RDS(ON)等等。很多工程师关心RDSON，是因为RDSON和导通损耗直接相关，RDSON越小，功率MOS的导通损耗越小，其效率越高，温升越低。MOS管的开关特性、热设计及校核、雪崩能量及UIS、dv/dt10、其他参数内部RG的大小、负载开关和热插拨工作在线性区、SOA特性和EMI等参数。适合的才是最好的，希望大家都能选到最合适的功率MOS管，让产品性能更强大、更稳定，更有市场竞争力。

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