德欧泰克SiC MOSFET DIW120SIC059-AQ助力电动汽车充电，完全符合AEC-Q标准

时间： 2024-02-09 来源：DIOTEC（德欧泰克半导体公众号）

技术问答

停好你的电动汽车（EV），充电过程就会自动开始。无需插入电缆，也不需要驾驶员辅助:汽车与系统进行通信，即使在短暂停留期间，电池也会自动充电。虽然感应式系统可以在没有直接接触的情况下工作，但效率较低，现在有了同传统插头一样低损耗的自动导电系统。所需的只是一个将充电板嵌入到现有停车位的地面（无论是内部还是室外），以及电动汽车（EV）底部的连接设备。

该连接装置会自动下降，在需要时清洁充电垫，并关闭触点，安全可靠。自动连接器可以原厂配备，也可以改装到现有的电动汽车上。应用范围从私人住宅的即插即用解决方案到城市、办公大楼和公司的充电站部署。这些解决方案特别适用于电动出租车、车队、公共汽车和送货车的应用。

充电电子器件最好配备SiC MOSFET，如德欧泰克的DIW120SIC059-AQ。它提供1200V的反向额定电压，仅为59mΩ的极低导通电阻，非常适合超高频开关。通过这种方式，线圈和变压器等磁性元件就可以尽可能小，从而使嵌入地面的充电垫结构变得非常薄。DIW120SIC059-AQ完全符合AEC-Q标准，即使在车载充电器（OBC）中也可以使用。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由星晴123转载自DIOTEC（德欧泰克半导体公众号），原文标题为:给电动汽车充电就像停车一样简单——由德欧泰克的SiC MOSFET DIW120SIC059-AQ提供支持，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

SiC器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势

无线电能传输技术是一种新兴的充电技术，通过电磁感应原理将电能从发射侧装置传输到接收侧装置中，再通过功率变换电路给负载进行充电，从而实现非接触式充电。近年来，电动汽车无线充电技术备受关注，并逐步走向商业化应用。本文将重点探讨碳化硅器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势。

应用方案发布时间 : 2024-09-06

【应用】三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块（IPM）助力电动汽车功率转换器设计

本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID的1200V三相全桥SiC MOSFET智能功率模块（IPM）体系所带来的益处，尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。该体系利用了低内耗技术，提供IPM这种已整合的解决方案。

应用方案发布时间 : 2021-08-26

ROHM‘s 4th Generation SiC MOSFET Bare Chips Adopted in Three EV Models of ZEEKR from Geely

ROHM has announced the adoption of power modules equipped with 4th generation SiC MOSFET bare chips for the traction inverters in three models of ZEEKR EV brand from Geely, extending the cruising range and improves performance.

应用方案发布时间 : 2024-08-31

SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%

世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。

活动发布时间 : 2023-04-14

解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)

当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，正在引领着未来能源转型的浪潮。今天，我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson，这个参数的优化，就像是在节能减排的长跑中，为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。

技术探讨发布时间 : 2024-07-11

艾创微组织召开2024年第一次SiC汽车芯片标准专委会标准起草活动

9月10日，由中国汽车工业协会标准法规工作委员会汽车芯片标准专业委员会秘书处单位国家新能源汽车技术创新中心主办、合肥艾创微电子科技有限公司承办的《电动汽车用碳化硅场效应晶体管可靠性要求及试验方法》标准起草组启动会暨第一次标准研讨会在安徽合肥顺利召开。来自全国各地的近二十名专家学者、企业代表共同出席会议。

厂牌及品类发布时间 : 2024-09-12

应能微 MOSFET/TVS/电源管理芯片(PMIC)选型指南

目录- 公司简介 USB PD 快充/储能逆变DC-DC/电源适配器电池管理/电动工具电动车/无人机/吸尘器手机/平板/学习机 TWS耳机/音箱智能穿戴手表/手环工控/笔电/电脑机顶盒/路由器/WIFI6 安防摄像头/球机/交换机智能电表/水表/气表/热能表电子烟/广告机/电子笔/智能门锁 TVS封装电源管理芯片 TVS 应用设计

型号- AU1271P6,AU4581D3,APC2801 SERIES,ASM12,SLVU2.8-4,CM2302B,CM2302A,CMN3002TF5,AU4581D3H,SMF15A,AU0571P1A,AR0544P5LV,AU2424P5LV,AU1281D1F,AU0521D5,CM65R400XF,AU1221P1,CM60N10AGB,AR0511P1LV,CM2301B,CM2301A,AU2481D1F-T,AU2421P1,AU4891P1,SMCJ50CA,AU0591P1,CM2312J,AR0552S2,CMN6002GF5,AU2471D1F-T,CM20N65TP,AR0524P5,APO3605A,SMAJ15CA,SMAJ26A,AU0771P6,AU0541P1,AU0541P0,AR3341P0SC,APO2003F,CM1602A,AR0502S2,APO2003H,AR0502S1,AR6051P1,APO2003D,AU0581D3,ASD05,APO3105A,CMN1002PGLA,AR0502S5,ASD12CL,SMAJ26CA,SMAJ15A,APC2801,CM20N65TF,AU056P1,AU1501P4-3,CM4N65BTF,AR2411P1,AU0501P4-3,CM4N65BTP,AR0508PBA,AU1271D3,AU1201P4-3,CMN4002F5,AU0521P0,CM180N10AGB,CM80N10GF5,CM2305TW,CM5N65TF,CM5N65TP,CMN3003GF5,AR3324P5,AU0581P1A,AR1811P1A,CMN3004AF5,AU0521P4-3,AU0561D5,SMBJ15CA,AR0524P5B,AR0541P0S,CM7N65TP,AR3621P0,AR3621P1,AU0581P1H,AR0524P5L,AU1811P1,AR3621P6,CM65R550D,CM65R550F,CM7N65TF,APO3605,AR1811P0A,AR0541P1,CMN6004GLA,CM3401P,AU0521PZ,AU0701P4-3,AR1821P1,SMBJ26CA,CM65R550FF,ASD05C,APL0501A,APL0501B,AU0781D1F,AU0581P6,SMBJ26A,SRV05-4L,AU0581P1,AU1571P6,CM65R550FP,AR3311D3U,AU2804S8,CMN301R5F5,AR0504S2L,AR0504S2,AR0504S2A,ASRV05-4,SMBJ15A,AU0701P1,ASM24CLV,AR0521P0LV,ASM05C,AR0504P3,AU4501P4-3L,CMN3013F3D,AR5051P1,CM2302BH,AU0571D1F,CMN1003GXP,CM80N10LGF5,AU0791P1,CM65R310XF,AU0561P0,AU0561P1,CMP3007F5,CM3400,AR2421P1,AU0771D3,AR2421P0,APL0501 SERIES,AU0761D1F-T,CM65R310XP,CMP3007F3,AR0521D5,AU0511P0,AU0521M1,AU0591P1A,CM180N10GP,CM3407,AU0971P6,S4MF7.0CA,AST24CL,AU6351P1,CM65R550P,AU0771D1F,CM65R550U,AR0511D3,CM2N7002D,CM10N65TF,SMF15CA,CMBSS138,CM65R030FZ,CM4407,AU1571D3,CM10N65TP,AR0541P1SC,CMN6003GLA,ASM24CH,AU0581D3H,ASD05CL,AR3304P5,ASM24CL,AU4581P6H,CM65R640XP,AU3321P0,SMF7.0CA,AU2461D1F-T,APL0501,AR1521P1,AU3321P1,AR0521P1,CMN3010F3,CM65R640XF,CM1601A,AR0521P0,CM65R180F8,AU4501P4-3,AU4581P6,AU1271D1F,AU4581P1,CM60R030FZ,CM3134AK,AR0502S1A,CM65R175P,AU4571D3,CM1662,AR0541P0SC,AR0506PAL,SRV05-4,ASM24C,APO2003,APC2801A,AR3382P6L,APC2801B,SMF7.0A,CM175N10GLB,ASM12H,CM3400NJ,APO3605 SERIES,AU0561M1,AU2401P4-3F,AU2401P4-3D,APO2003 SERIES,CM1623T,AR3311D3,AU1261D1F-T,CM3134BT,AU0721P1,CMN3006F3,AU0721P0,AR1211D3,AR6061P1,CM15N10U,AU4521P4-3,CMN3003TF5,AR3311P0LV,CM65R400XP,AU2401P4-3,AU4581P1H,S4MF7.0A,ASR05,AU0721PZ,AU3361P0,ASM712H,AR3321P0,AR0511P0LV,AR3321P1,SMDJ50CA,AU0701P4-3F,AR3304P5J,AU0781P1,AR1255P4,CM12N65TP,AR0521P1LV,ASM712,AU3361P1,CM12N65TF

选型指南 - 应能微 - 2023/10/27 PDF 中文下载

中电国基南方SiC MOSFET选型表

中电国基南方提供SiC MOSFET的以下参数选型，VDSS(V):650V~1700V，RDS(on):11mΩ~1000mΩ，ID:5~150A，有TO-247-3、TO-247-4等多种封装形式。

产品型号	品类	GEN	VGS(th)(V) (Typ.)	Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )	VDSS(V)	Drain Current(A) TC=25℃	质量等级	RDS(on)(mΩ)	Package	Gate Charge Total(Qg)(nc)	Total Power Dissipation(PTOT)(W)
WM2V020065K	SiC MOSFET	G2	2.6V	175℃	650V	92A	车规级	20mΩ	TO-247-3	187nc	312W

选型表 - 中电国基南方立即选型

【IC】Littelfuse用于SiC MOSFET和高功率IGBT的创新低侧栅极驱动器IX4352NE

Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE通过一种新型9A拉/灌电流驱动器扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列，简化了SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。

产品发布时间 : 2024-05-25

ROHM‘s 4th Generation SiC MOSFET Bare Chips Adopted in Three EV Models of ZEEKR from Geely Integration in Traction Inverters Extends The Cruising Range and Improves Performance

ROHM has announced the adoption of power modules equipped with 4th generation SiC MOSFET bare chips for the traction inverters in three models of ZEEKR EV brand from Zhejiang Geely Holding Group (Geely), a top 10 global automaker. Since 2023, these power modules have been mass produced and shipped from HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd. - a joint venture between ROHM and Zhenghai Group Co., Ltd. to Viridi E-Mobility Technology (Ningbo) Co., Ltd, a Tier 1 manufacturer under Geely.

产品发布时间 : 2024-09-05

瞻芯电子解读特斯拉Model Y电动汽车Gen-4 主驱逆变器的设计改进和创新

特斯拉Model 3 电动汽车主驱逆变器率先应用碳化硅(SiC) MOSFET，开启了EV动力总成设计的新篇章。本文将比较Model Y和Model 3车型，并列举在主驱逆变器上的主要设计改进和创新。

厂牌及品类发布时间 : 2023-04-11

江苏中科汉韵半导体有限公司聚焦于第3代半导体SiC MOSFET芯片的研发、生产和销售，同时设计和生产与之相配的SiC 二极管（JBS）。中科汉韵还研发与自产的SiC 芯片配套的SiC驱动芯片和先进封装技术和模块，但是驱动芯片和先进模块的生产由合作企业完成。

碳化硅功率器件碳化硅JBS二极管碳化硅功率MOSFET晶圆封装管

授权代理商 - 世强先进（深圳）科技股份有限公司线上商城技术资料

展开

【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%

新能源汽车的快速发展，带来充电的需求，为了满足电动汽车的快速充电，充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用，本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%。

应用方案发布时间 : 2022-03-05

芯众享（CORENICS）SiC/GaN 功率器件选型指南

描述- 公司自主研发的SiC SBD、 SiC MOSFET、GaN HEMT，性能达到国际先进水平，产品广泛应用于新能源、储能、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。公司根据日益快速变化的市场需求，持续致力于新品研发，为客户提供高性价比的产品。

型号- CEB002D330R2G,CEB040M120R3G,CEB040D065R3G,CEB080M120R3V,CEB010D120V2G,CEB005D330R2G,CEB025M120R3G,CEB030M065R3G,CEB020D065R3G,CEB010D065O2G,CEB005D170R2G,CEB020D170R3G,CEB015D120R2G,CEB006D065V2G,CEB120M065R3G,CEB010D065S2G,CEB020D120S2G,CEB080M120R4G,CEB010D120R2G,CEB480N120MTV,CEB020D065R3V,CEB030D120R3V,CEB080M120R4V,CEB360N120MTV,CEB015D065R2G,CEB015D065V2G,CEB020D065R2G,CEC140G065DB8G,CEC150G065PDG,CEB030D120R3G,CEB060M065R3G,CEB600N120MTV,CEB020D065V2G,CEB1000M170R4G,CEB300N120HPV,CEB040D065R2G,CEB006D065BDG,CEB010D120R3G,CEB200N120EAG,CEB016M120R4G,CEB015D065R3G,CEB020D120V2G,CEB010D065V2G,CEB030D065R3G,CEB040D120R3G,CEB010D170R2G,CEB045M170R4G,CEB020D120R2G,CEB160M120R3G,CEB010D065R2G,CEB010D120S2G,CEB480N120HPV,CEC140G065BDG,CEB006D065S2G,CEB030D065R3V,CEB016M120R3G,CEB300N120EAG,CEB006D065O2G,CEB040D120R3V,CEB040M120R4V,CEB400N120EAG,CEB020D120R3V,CEB006D065DA8G,CEB015D065S2G,CEB025D170R2G,CEB030D065R2G,CEB040M120R4G,CEB020D065S2G,CEC140G065DA8G,CEB010D065BDG,CEB080M120R3G,CEB080M170R4G,CEB160M120R4G,CEB020D120R3G,CEB006D06502G,CEB015D120R3G,CEB040M120R3V,CEB010D065DB8G,CEB600N120HPV,CEB045M170R3G

选型指南 - 芯众享 - 2023/4/25 PDF 中文下载