萨科微半导体中压MOS管SL102N10，高性能应用于便携式设备和电池供电系统

时间： 2024-05-23 来源：SLKOR（萨科微）官网

技术问答

共同社2月6日报道称，日本经济产业省决定为位于三重县及岩手县存储半导体厂提供高达约2430亿日元（约合118亿元人民币）的资助，这一举措由日本铠侠控股与美国西部数据公司联合打造。日本政府的资助计划展示了内存半导体市场的巨大潜力，以及生产高端产品对维护经济安全的重要性。这也反映出半导体行业的重要性和前景广阔。在这样的背景下，萨科微（www.SLKORmicro.com）选择将半导体作为发展的重点是一个明智之举。半导体市场的广阔和光明前景吸引着越来越多的关注，而萨科微slkor坚持走国产替代的路线，不断创新自主研发。从低端产品开始，逐步拓展产品线，发展出中高端产品，慢慢扩大市场份额，满足市场需求。通过持续的技术创新和产品线拓展，萨科微半导体正在积极应对市场挑战，提升自身实力，为中国半导体产业的发展做出贡献。

图 1 萨科微半导体碳化硅场效应管

萨科微半导体的中压MOS管 SL102N10是一款高性能的产品，具有多项优秀的特点和参数。SL102N10适用于各种应用领域，特别在便携式设备和电池供电系统等场合表现出色。

SL102N10作为一款N沟道型中压MOS管，其漏源电压(Vdss)可达到100V，连续漏极电流(Id)更是高达102A。此外，在10V、20A的工作条件下，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅为5.3mΩ，阈值电压(Vgs(th)@Id)为2V@250uA。这些参数的优秀表现说明了SL102N10在中压应用领域的强大性能。

图 2 萨科微半导体中压MOS管SL102N10产品图

除了强大的参数，SL102N10还具有一系列独特的特点。首先，它具有快速的开关速度，这意味着在电路中切换时响应迅速，有助于提高系统的效率。其次，SL102N10经过严格测试，具有可靠且坚固的耐用性，能够在恶劣环境下稳定工作，并延长使用寿命。此外，该产品符合ROHS标准，不含卤素，对环境友好。同时，SL102N10还通过了100%的UIS测试，证明其在严格工况下的可靠性。

SL102N10的应用广泛而丰富。特别适合于便携式设备和电池供电系统等领域。在便携式设备中，它可以用于电源开关、功率管理和电池充放电控制等关键功能，为设备提供高效而稳定的电力支持。在电池供电系统中，它可以用于电流控制、电源开关和直流-直流转换等关键环节，保证系统的可靠运行。因此，SL102N10作为一款高性能的中压MOS管，为便携式设备和电池供电系统提供了理想的解决方案。

图 3 萨科微半导体中压MOS管SL102N10

萨科微半导体的SL102N10是一款卓越的中压MOS管产品，具有出色的参数和特点。在不断发展的科技领域，SL102N10的应用前景持续广阔，并为电子设备的高效运行提供可靠支持。随着半导体市场的持续增长和发展，萨科微半导体也会在未来努力取得更大的成就，为中国半导体行业的繁荣做出更多贡献。

图 4 萨科微slkor荣誉资质和科研成果

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描述- 芯派科技股份有限公司(简称芯派科技)成立于2008年，总部位于西安市高新区环普科技产业园，在上海设有研发中心、深圳设有销售服务中心、同时还设有台湾办事处和香港进出口业务中心。是一家集研发、生产和销售为一体的高新技术企业，产品包含：中大功率场效应管(MOSFET，低压至高压全系列产品)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、二极管(含快速恢复二极管及肖特基二极管)、桥堆以及电源管理IC等。

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虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）MOSFET/GaN(氮化镓)FET选型表（国内独创特色产品）

目录- 小功率低压P/N沟道场效应管中功率低压P/N沟道场效应管超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管大功率高压N沟道场效应管高压超结N沟道场效应管大功率中压大电流P/N沟道场效应管大功率中压大电流N+P沟道场效应管大功率中压大电流串联半桥驱动双N沟道场效应管超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 GaN(氮化镓) FET管

型号- HM01N100PR,HM3400KR,HM35SDN03D,HM603K,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HMS11N70Q,HM10DN06Q,BSS84DM,HM3N40R,HM2818D,HM13N30,HMS20N65D8,HM1N50MR,BSS84DW,HM08DN10D,HM2810D,HM10N06Q,HM4615Q,HMS20N15KA,HMN9N65Q,HM100P35E,HM6604D,HM4P10D,BSS84KR,HM30SDN02D,HM2819D,HM2N50PR,HM06DP10Q,HM3N25R,HMS100N15,HMS3N70R,HM3400DR,HM35DN03D,HM4616Q,HM2310DR,HM4N60R,HM3N40PR,BSS138KR,BSS123DM,HM605K,HMS45N04Q,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N30R,HM6604DB,HM3N100D,HM8N100A,HM07DP10D,HM3400E,HM2301BWKR,HM3DN10D,HM3N150,HM18DP03D,HMS65N10KA,HM8N100F,HMS5N70R,HM18SDN04D,HM50P35DE,HM2800D,HM10DP06D,HM2N50R,HM20DN04Q,HM10P10Q,HM4N10D,BSS138DM,HM15P06Q,BSS8402DM,HM1N60R,HMS18N10Q,HMS85P06,HM2809D,HM13N25FA,HM3401E,HM6604BWKR,HM30DN02D,HM12P04Q,HMS45P06D,HM4618Q,HMS35N06Q,HM15N25,HM50P03D,HM06N15MR,HM2N25MR,HM607K,HMS6N10PR,HM6803D,HM15N25K,HM2DP10D,HM3N150F,HM3N150A,HM12N20D,HM2309DR,HM4611Q,HM4N65R,HM13N25A,HM25P15,HMS5N80R,BSS138DW,HM4485E,HMS10N15D,HMS85P06K,HMS4488,HM3N30PR,HM10SDN06D,HM2319D,HM1N60PR,HM610K,HM3N100,HMS5N65R,HM100P35KE,HM25P15K,HM10SDN10D,HM1N70R,HM25P15D,HM20P04Q,HMS4N10MR,HM2803D,HM2N65R,HM4640D,HMS10DN10Q,HM609K,HM13N30K,HMS3N65R,HM25N08D,HM13N30F,HM2318D,HM3N120F,HM12DP04D,HM3N50R,HM3N120A,HMS5N90R,HM2N70R,BSS84SR,HM3800D,HM13N25KA,HM2302BWKR,HMS13N65Q,HM6804D,HM7002KDM,HMS11N65Q,HM3N50PR,HM2N65PR,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM4884Q,HM25N06Q,HMS50N03Q,HM3801D,HM3N120,HM3401DR,HM4630D,HM02P30PR

选型指南 - 虹美功率半导体 - 2023/5/26 PDF 中文下载

60V/3A的N沟道MOS管SL3N06，具有大功率处理能力，广泛应用于小家电等领域

Slkor萨科微SL3N06是一款具有60V漏源电压和3A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（90mΩ@10V,3A）和较低的阈值电压（3V@250μA）而著称。这些特性使得 SL3N06成为小家电应用中理想的开关和信号处理元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。

产品发布时间 : 2024-07-14

60V/60A的N沟道MOS管SL60N06，导通电阻11.5mΩ，能在微波频率范围实现快速开关和精确控制

Slkor萨科微SL60N06是一款具有60V漏源电压和60A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（11.5mΩ@10V,30A）和较低的阈值电压（4V@250μA）而著称。该MOS管高频特性优越，能够在微波频率范围内实现快速开关和精确控制，具有高频率响应能力，能够满足高频信号的处理和传输需求。

产品发布时间 : 2024-07-13

60V/50A的N沟道MOS场效应管SL50N06D，具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点

SL50N06D是一款N沟道MOS场效应管，采用先进的Trench技术生产。其具有较高的漏源电压（60V）和连续漏极电流（50A），具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点。它在BLDC电机技术领域不仅能够提高电力传动系统的效率和性能，还能够实现更加智能化的控制，通过对电机相电流进行高精度调控，实现了电机的高效、平稳运行。

产品发布时间 : 2024-05-07

100V/60A的N沟道MOS管SL60N10Q，导通电阻低至8mΩ，助力AI电源管理技术

Slkor萨科微SL60N10Q是一款具有100V漏源电压和60A连续漏极电流的N沟道MOS管，以极低的导通电阻（8mΩ@10V,20A）和较低的阈值电压（2.4V@250μA）而著称。在AI电源管理系统中，中压MOS管SL60N10Q能够实现对电源的高效管理和控制，确保电源的稳定供应和能源的高效利用。

产品发布时间 : 2024-07-12

60V/30A的N沟道MOSFET SL30N06D，在汽车模拟领域有卓越的性能和广泛的应用前景

SL30N06D是一款性能卓越的N沟道MOSFET，该器件的高漏源电压（60V）、大电流承载能力（30A）、低导通电阻（27mΩ@10V，30A）以及较低的阈值电压（1.6V@250μA）等特点，使其成为汽车电子系统中的理想选择，在汽车模拟领域展现出了卓越的性能和广泛的应用前景。

产品发布时间 : 2024-05-23

-60V/-30A P沟道MOS场效应管IRFR5305，在小家电领域具有广泛的应用和显著的优势

IRFR5305是一款P沟道MOS场效应管，具有出色的性能参数，其具有较高漏源电压（-60V）和大电流承受能力（-30A），非常适合用于高压高功率的电路设计中。此外，其较低的导通电阻（26mΩ@-10V,-15A）和较低的阈值电压（-1.8V@-250μA）保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用，为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。

产品发布时间 : 2024-05-27

60V/3.6A双N沟道MOS管SL9945，克服传统FET高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢操作速度等缺点

Slkor萨科微SL9945是一款具有60V漏源电压和3.6A连续漏极电流的双N沟道MOS管，以其低导通电阻（89mΩ@10V,3.6A）和较低的阈值电压（1V@250μA）而著称。中压MOS管SL9945克服了传统FET存在的高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢操作速度等缺点，为通讯设备的高效稳定运行提供了有力支持。

产品发布时间 : 2024-07-11