-60V/-30A的P沟道中压MOS管AOD409,具备超低导通电阻、完全表征雪崩特性和良好的散热性能
萨科微SLKOR作为一家专业的半导体元器件制造商,其产品线丰富,涵盖了各种类型的产品,其中MOS管作为半导体元器件中的重要一类,在萨科微的产品中也占据着重要地位。萨科微生产的MOS管种类繁多,应用广泛,为各行业提供了高质量、高性能的元器件选择。在萨科微半导体的产品系列中,AOD409作为一款P沟道中压MOS管,备受关注。它具备出色的参数和特点,为各种电子应用提供了强大支持。
AOD409的关键参数如下:它采用P沟道型设计,漏源电压(Vdss)达到-60V,连续漏极电流(Id)高达-30A。在-10V、-20A的工作条件下,其导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅为30mΩ,阈值电压(Vgs(th)@Id)为-1.8V@-250μA。此外,AOD409还采用TO-252封装,这种封装方便安装和布局。
萨科微半导体中压MOS管AOD409
AOD409具有多项突出特点,使其在电子应用中脱颖而出。首先,它采用了高密度电池设计,实现了超低的导通电阻,为系统提供了高效的电能转换。这意味着AOD409能够在较低的功耗下提供稳定的电力支持,有助于提高系统的能效性能。
其次,AOD409具备完全表征的雪崩电压和电流。这意味着在电路中发生过载或瞬态情况时,AOD409能够可靠地承受高压和大电流,确保系统的稳定运行。因而AOD409可以在各种高压环境下的使用,为电子设备提供了可靠的保护。此外,AOD409的封装设计良好,具有出色的散热性能。在高负载工作条件下,良好的散热性能能够有效降低器件温度,延长其使用寿命,同时提高系统的可靠性和稳定性。
萨科微半导体中压MOS管AOD409
AOD409在脉宽调制应用、能源管理和负荷开关等领域具有广泛的应用前景。在脉宽调制应用中,AOD409能够实现快速的响应,提供稳定的电力输出,满足系统对高效能量调控的需求。在能源管理领域,AOD409的高密度设计和低导通电阻能够有效提高能源转换效率,为能源管理系统提供可靠的支持。同时,在负荷开关应用中,AOD409的良好雪崩特性和可靠的散热性能能够确保系统在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
AOD409作为一款高性能P沟道中压MOS管,具备超低的导通电阻、完全表征的雪崩特性和良好的散热性能。它的广泛应用领域涵盖了脉宽调制、能源管理和负荷开关等多个领域,为电子设备提供了稳定高效的电力支持。随着电子技术的不断进步,AOD409将继续在电子领域发挥重要作用,为各种应用场景带来更多可能性。
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产品型号
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品类
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封装
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类型
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漏源电压
|
连续漏极电流
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功率
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导通电阻
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阈值电压
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2N7002BK-MS
|
场效应管
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SOT-23
|
N沟道
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60V
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300mA
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350mW
|
2.2Ω@10V,300mA
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1.6V@250uA
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选型表 - 美森科 立即选型
华轩阳电子MOS选型表
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产品型号
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品类
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类型
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VDSS耐压(V)
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ID电流(A)
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RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)
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RDON(mR)
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封装
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应用等级
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HXY2301AI
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P型场效应晶体管
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P沟道
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20V
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3A
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87mΩ
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25mR
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SOT-23
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民用级
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选型表 - 华轩阳电子 立即选型
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产品型号
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品类
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Polarity
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VDD(V)
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IDD(A)
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TA(℃)
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BOP(Gs)
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BRP(Gs)
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FO(Hz)
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Output Type
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Package
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SL1603TH
|
霍尔传感器
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全极
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1.6~5.5
|
3.3
|
-40~85
|
±46
|
±34
|
20
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CMOS
|
SOT-23
|
选型表 - SLKOR 立即选型
芯伯乐 MOSFET 选型表
芯伯乐,MOSFET ,工作电压(V):18~100V,工作电流(A):4.1~100A,工作温度(℃):-55~175℃,存储温度(℃):-55~150℃,湿气敏感性等级:3级(168小时),等级认证标准:SGS,ISO9001,ISO1400,TO-252/SOT-23/SOP-8/DFN等多种封装形式。
产品型号
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品类
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工作电压(V)
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工作电流(A)
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工作温度(℃)
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存储温度(℃)
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湿气敏感性等级
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等级认证标准
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封装/外壳/尺寸
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15N10
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MOSFET
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100V
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15A
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-55~150℃
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-55~150℃
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3级(168小时)
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SGS,ISO9001,ISO1400
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TO-252-2L
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选型表 - 芯伯乐 立即选型
导热垫片在电子设备中的作用
导热垫片是电子设备中一个辅助使用的零件,但是它的重要性确是任何种类的零部件都无法替代的,而这就是因为这种导热垫片可以在电子设备中起到降低设备热量,起到热阻的效果,还能弥补电子设备制作过程中工艺不达标的问题等因素。
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