各国半导体器件命名方法

时间： 2024-04-02 来源：SMC（桑德斯微电子公众号）

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电路板面积有限，为了规范电子电路和方便使用，电子元器件通常都是以字母代码+数字的形式出现。

▲SMC桑德斯微电子碳化硅产品命名规则

中国半导体器件型号命名

中国半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管。

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号。

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。

例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。

▲示意图 | 图源网络

美国半导体器件型号命名
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。

第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。

第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

▲示意图 | 图源网络

日本半导体器件型号命名

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。

第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

▲示意图 | 图源网络

国际电子联合会半导体器件型号命名
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料。

第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：

1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀：整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号后缀：晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

▲示意图 | 图源网络

SMC产品线包含碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、肖特基二极管、超快恢复二极管、TVS阵列、功率模块等等。我们定期优化产品线，提供全面、先进的半导体解决方案。

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SD05C THRU SD36C TVS ARRAY Data Sheet

型号- SDXXC,SDXXC SERIES,SD05C,SD36C

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引领全球功率电子创新，SMC致力于提供精准高效的半导体解决方案，满足通讯设备、工业应用、光伏等领域需求

SMC桑德斯微电子，引领全球功率电子创新。SMC始终致力于根据客户的需求设计和生产半导体产品，产品线包含碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、肖特基二极管、超快恢复二极管、TVS阵列、功率模块等等，产品应用于通讯设备、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等尖端领域。

2023-12-14 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货

【元件】SMC碳化硅肖特基二极管，低损耗、耐高温，一个更理想的开关选择

SMC始终致力于根据客户需求设计和生产半导体产品。我们打造的碳化硅肖特基二极管功率器件，包括S6D10065A、S4D40120F、S4D80120S2等型号，为通讯设备、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等多个尖端领域提供源源不断的创新动力。

2024-04-10 - 产品代理服务技术支持批量订货

SMC整流桥、碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等多种规格产品可用在可编程电源架构上

SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造，并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件，可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。本文介绍SMC产品在可编程电源架构上的应用。

2024-03-09 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

SMC碳化硅MOSFET器件S2M0025120K入选everything PE年度MOSFET榜单！

S2M0025120K是SMC研发和制造的碳化硅功率MOSFET器件，漏源击穿电压超过1200V，栅极阈值电压为2.1V，漏源导通电阻为25毫欧，连续漏极电流高达63A，功率耗散小于446W。是新能源汽车快充模块、车载充电器、太阳能逆变器、在线UPS/工业UPS、开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和储能系统（ESS）等应用的理想选择。

2024-01-29 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货