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BLS60R150F Power MOSFET
型号- BLS60R150F-I,BLS60R150F-W,BLS60R150F-B,BLS60R150F-A,S60R150F,BLS60R150F-P,BLS60R150F
AM60R150A MOSFET
型号- AM60R150ATL3FU,AM60R150AS2VR,AM60R150ATS3U,AM60R150A,AM60R150ATL3FVU,AM60R150ATS3VU,AM60R150AS2R
国际领先的功率半导体器件标杆品牌——芯长征科技(Marching Power)
芯长征(Marching Power)集团是国内领先的先进功率芯片产业生态公司,创始团队由中科院、国内外行业资深专家及高级管理人才共同组成,在功率器件领域深耕20年以上。经过多年高速发展,已经形成芯片设计、模组封装、检测设备自主可控的Virtual-IDM企业,主要面向新能源(汽车、光伏、储能、电能质量)、工控类、消费类三大领域。
品牌简介 发布时间 : 2023-11-09
MTN-Plus Series 6kVA~10kVA (1/1) 10kVA ~ 20kVA (3/1) 3-Level Inverter Technology
型号- MTN-PLUS,MTN PLUS1110-05S,MTN PLUS110-00L,MTN PLUS3110-05S,MTN PLUS3120-00L,MTN PLUS1106-05S,MTN PLUS 3115-05S,MTN PLUS3120-05S,MTN PLUS1106-00L,MTN PLUS3110-00L,MTN-PLUS SERIES,MTN PLUS3115-00L
芯长征科技IGBT选型表
芯长征科技提供以下参数的IGBT单管、IGBT模块、PIM模块:VCE(V):650~1700;Ic@100℃ max(A):6~950;Vcesat@25℃ typ(V) :1.14~2.89;Eon(mJ):0.129~153.1;Eoff(mJ):0.129~179;Package:TO-247、TO-220、TO-263、TO-220F/TO-220/TO-263、TO-247 plus等多种封装
产品型号
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品类
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VCE(V)
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Ic@100℃ max(A)
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Vcesat@25℃ typ(V)
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Eon(mJ)
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Eoff(mJ)
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Package
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MPBX6N65ESF
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IGBT单管
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650
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6
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1.4
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0.129
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0.129
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TO-252
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选型表 - 芯长征科技 立即选型
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高压、高电流功率半导体器件,常被用于大功率应用中,如电动汽车、工业电机驱动、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块和IGBT器件之前,本文中芯长征科技先来介绍一下IGBT的基本工作原理和应用特点。
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服务
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可来图定制均温板VC尺寸50*50mm~600*600 mm,厚度1mm~10mm,最薄0.3mm。当量导热系数可达10000W/M·K,散热量可达10KW, 功率密度可达50W/cm²。项目单次采购额需满足1万元以上,或年需求5万元以上。
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