专业功率器件生产商萨科微，针对能源互联网提供MOS管/场效应管/SiC碳化硅元器件等

时间： 2021-11-01 来源：SLKOR

技术问答

萨科微半导体有限公司由宋仕强先生独家投资，是深圳市金航标电子公司的关联企业。萨科微“SLKOR”品牌创立于2005年，专业从事MOS管场效应管等功率器件的设计、生产和销售。Slkor的技术团队来自Infineon英飞凌、三菱、IR、TI德州仪器、ON安森美等同行业技术领先企业，主要生产MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔元件、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件等。2010年开始研发生产第三代半导体碳化硅SiC元器件，其设计、工艺和性能居世界前列。

萨科微SLKOR碳化硅MOS管、IGBT单管图

萨科微总经理宋仕强先生强调，企业发展不进则退，萨科微公司在以往SiC碳化硅元器件等原有功率器件的研发基础上，为了拓宽市场和迎合半导体市场发展趋势，开发出slkor品牌霍尔HALL元件、LDO、TVS瞬态抑制二极管、肖特基二极管、碳化硅肖特基MOS管等产品。

SLKOR霍尔元件

萨科微的碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。SLKOR品牌MOS、场效应管、TVS管、ESD等大量应用于锂电池保护板、智能扫地机器人、TWS蓝牙耳机、电子烟、大功率户外照明等行业。

萨科微MOS驱动

萨科微slkor新开发的产品hall霍尔开关传感器等电子元件，广泛应用于TWS蓝牙耳机、手提笔记本电脑、电子玩具等市场，是萨科微未来要发力的重点，ESD二极管、TVS二极管、肖特基二极管等在推出市场后不久，得到了众多新老客户的认可，订单量也是不断的增加，让萨科微半导体SLKOR不得不继续扩大产能，以满足目前市场需求。

萨科微SLKOR霍尔元件新品

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全部评论（2）

白白 Lv5. 技术专家 2022-12-22

学习
鹏鹏 Lv7. 资深专家 2021-11-03

学习

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作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案，覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。

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SLKOR（萨科微）功率元器件和模块选型指南

目录- 公司介绍碳化硅场效应管/碳化硅肖基特二极管/场效应管超结场效应管/IGBT单管/可控硅二极管静电保护器件/瞬态抑制二极管三极管/电源IC 运算放大器/达林顿晶体管阵列/整流桥/霍尔传感器光耦/石英晶体谐振器

型号- 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

选型指南 - SLKOR - 2022/10/9 PDF 中文下载

碳化硅：第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体，半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

行业资讯发布时间 : 2024-11-11

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

活动发布时间 : 2024-10-12

SLKOR（萨科微）专业从事功率元器件的设计、生产和销售。技术骨干来自Infineon英飞凌、三菱、IR、TI德州仪器、ONSEMI安森美等同行业技术领先企业，主要生产MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、SCR、IGBT单管、SiC元器件等。

SIC碳化硅器件高压MOS管中低压MOS管 COOLMOS 碳化硅场效应管碳化硅肖特基二极管场效应管 TVS瞬态抑制二极管 ESD防静电二极管超结场效应管 IGBT单管 IGBT/SIC模块二极管三极管肖特基二极管线性稳压器LDO 霍尔传感器开关二极管可控硅单向可控硅双向可控硅整流桥通用二极管 DC-DC电源芯片驱动IC IC集成电路快恢复二极管电池管理IC 光耦光电二极管运算放大器 RS232芯片达林顿管电压基准芯片开关电源芯片

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IGBT 单管&模块

型号- GKU50N65RF5,GM200HF120S4F1A,GM50FFB120C1T1H,GM400HF120S4T1M,GKU20N65EH3,GKU40N65EH3,TGKU50N65DH3,GKU25N120ET2,GKU40N120RF5,GKU50N65ET,GKF20N65EH3,GM75HF120S2F2A,GM40FFB120C1T1,GKF07N65,GM400HF65S4T1A,TGKU40N120NH3,GKB20N65H3,GKD05N65,GM200SG65S1T1,GM100PI120C2T1X,GKU60N65DH5,GM450HF120C3T1M,GKU15N120H3,TGKU50N65ET,GKU100N65DH5,GKU40N120ET2,GM400HF65C3T1,GM150FFB120C2T1M,GM15PJ120E1T3A,GM300HF120S4T1M,GKB20N65EH3,TGKU40N120DT2,GM25PJ120E2T3A,TGKU65N65RF5,GKF06N65,GM10PJ120E1T3A,GKP20N65H3,GKU25N120DH3,GKU65N65RF5,GM100HF120S2F1B,GKU50N120EH3,GKU50N120CH3,GM100HF120S2F1A,GKD06N65,GKU50N65H3,GKU40N120NH3,GM35PJ120E2T3A,GKP20N65EH3,GKF05N65,GKU40N65DH3,GM50PI120C1T3A,GKU75N120EH3,GKU15N120ET2,GKF20N65H3,GKU20N65H3,GM40PI120C1T3A,GKU10N120T2,GM40HF120S2F2A,GKD07N65,TGKU75N65EH5,GKU50N65DH3,GM600HF65C3T1,GKU60N65EH5,GM150HF120S4F2,GM50HF120S2F2A,GKU75N65EH5,GKU40N120DT2,TGKU40N120ET2,GM600HF120C3T1M

选型指南 - 银河微电子 - 2024/6/26 PDF 中文下载

【方案】20kW~60kW充电桩优选器件方案

描述- 本方案针对20kW~60kW 充电桩的高性能需求，在PFC 整流电路和DC-DC 变换电路均采用了Vincotech高性能ANPFC 模块以及H 桥逆变模块，实现了管脚与风道之间的相互独立。同时，采用Laird 高性能导热材料和Standex 带散热底座的平面变压器和电感，提高充电桩功率等级的同时增强了整机的防护性和可靠性。

型号- 2SK2225-80-E,TFLEX HD300,CMS-R010-1.0,U9507C,TPCM 780,10-FZ074PA0XXSM-LXXXF08,SPFJ160,PS9402,BVE-A-R002-1.0,MLX91208,10-FZ07ANAXXSM-LE2XL08,PS9031,LSIC2SD120E30CC,SI8235BD-D-IS,SI8233BD-D-IS,10-FZ071SA050SM02-L524L18,KSU60D60N,92ML,10-FZ07ANA75SM-LE28L08,10-FZ07ANA150SM-LE20L08,0505030.MX52LEP,RC12-6-01LS,10-FY074PA100SM-L583F08,10-FZ071SA100SM02-L526L18,SMBJ18CA,ADP32F12A,PS9531L3,10-FZ071SA075SM02-L525L18,RBN75H65T1GPQ-A0,C4D30120D,KSF60F60B,SID1152K,SI8621BD-B-IS,10-FZ07ANA100SM-LE29L08,10-FZ074PA050SM-L624F08,10-FZ074PA075SM-L625F08,SGM2019

优选器件方案 - ISABELLENHUETTE,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,ADVANCECHIP,RENESAS,VINCOTECH,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,LONGSUNG,KYOCERA,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - V1.1 PDF 中文下载

昆泰芯微电子科技有限公司是一家专注于以面向物联网应用的传感器芯片研发、生产和销售的高新技术企业。于2016年由多位业界资深传感器信号链芯片专家创立，致力于成为传感器信号链及物联网芯片的行业领导者和领先的工业级/汽车级芯片提供商。

全极磁场检测霍尔开关传感器北极磁场检测霍尔开关传感器南极磁场检测霍尔开关传感器锁存型霍尔开关传感器双路输出全极检测侧向霍尔开关传感器双路输出单极检测侧向霍尔开关传感器双路输出单极检测霍尔开关传感器全级磁场高频检测霍尔开关传感器比例式线性霍尔效应传感器可调线性霍尔效应传感器全极磁场检测TMR传感器 N极磁场检测TMR传感器 S极磁场检测TMR传感器锁存型TMR传感器 3D磁传感器磁角度编码器气缸开关电流传感器ASIC 温度传感器零温飘高精度运放

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一篇文章综述中国碳化硅（SiC）产业建设进展

第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中碳化硅SiC、氮化镓GaN为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面碳化硅SiC、氮化镓GaN性能更出色。在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体，瑞之辰等从业者认为成本下降有望实现全面替代。

行业资讯发布时间 : 2024-09-30

泰科天润（GPT）SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南

目录- Company Profile SiC Chip/SiC Devices

型号- G3S06506D,GW3-S12050,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G4S06508HT,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G3S06510C,G3S06510D,G5S12020A,G3S12020A,G3S06506H,G3S06510A,G4S12020D,G3S12020B,GW1-S3300.6,G3S06510B,G5S12015P,GW3-S065100,G3S06505R,G3S06004J,G3S12003R,G5S06508AT,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G5S12015A,G3S06505A,G3S12003A,G5S06510HT,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S06505H,G3S12003H,G3S06504R,G5S06510PT,G3S06520L,G3S06520H,G5S12002R,GAS06540B,G3S06560B,G3506008J,G3S12002R,G3S06520P,G3S06504C,G3S06504A,G5S06508HT,G3S06516B,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06504H,G3S06520B,G3S12002D,G5S12010A,G5S06508PT,G3S06520A,G3S06504D,G3S12002H,G3S06503R,GWA-S06520,G3S06540PP,G3S065100P,G5S06506CT,G4S06508AT,GW3-S17050,G5S06505AT,G3S06503A,GW3-S12020,G3S12040PP,G5S06508QT,G3S06503H,G5S06504QT,G4S06510HT,G3S06503C,G3S06503D,G3S06530L,G5S12020H,GW3-S06550,G4S06510PT,G4S06515AT,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06530P,G3S06502R,GW5-S12010,G3S06502A,G4S06510AT,GW3-S12010,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,GW5-S12015,G3S06530A,G3S06502D,G3S12040B,G3S06502C,GW3-S06520,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,GW3-S17010,GW5-S12002,G5S06510DT,G4S06515DT,GW3-S12002,GW3-S12003,GW3-S12005,GAS06520A,G3S17005C,GW5-S12008,G3S17005A,G3S12010H,GAS06520H,G3S06508R,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G3S17020B,GW3-S06530,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,G3S12050P,GAS06520L,GW3-S33050,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S06510AT,G3S06508D,GW3-S17005,G3S06508C,G5S12002C,G3S06508A,G5S12002A,G3S12030PP,G3S06540B,G5S12030B,G3S12010A,G3S12010B,G3S12010C,G3S12010D,G3S06508H,G3S06512B,GW1-S33001,GW1-S33002,G5S06510QT,G3S12005P,GW1-S33005,G3S06006J,G3S12005R,GW3-S06506,GW3-S06508,GW3-S06502,G3S06010J,GW3-S06503,GW3-S06504,G5S06508CT,GW3-S06505,GW5-S12020,G4S06510DT,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G3S06510M,GW3-S06510,G3S06506U,G3S06506R,G3S06510K,G3S06510L,G3S12020L,G3S06510H,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06550P,G3S06510R,G5S06508DT,G3S06510P,G3S12020U

选型指南 - 泰科天润 - vol.02 - 2020/7/7 PDF 英文下载