专业功率器件生产商萨科微，针对能源互联网提供MOS管/场效应管/SiC碳化硅元器件等
萨科微半导体有限公司由宋仕强先生独家投资，是深圳市金航标电子公司的关联企业。萨科微“SLKOR”品牌创立于2005年，专业从事MOS管场效应管等功率器件的设计、生产和销售。Slkor的技术团队来自Infineon英飞凌、三菱、IR、TI德州仪器、ON安森美等同行业技术领先企业，主要生产MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔元件、SCR、IGBT单管、SiC碳化硅元器件等。2010年开始研发生产第三代半导体碳化硅SiC元器件，其设计、工艺和性能居世界前列。
萨科微SLKOR碳化硅MOS管、IGBT单管图
萨科微总经理宋仕强先生强调，企业发展不进则退，萨科微公司在以往SiC碳化硅元器件等原有功率器件的研发基础上，为了拓宽市场和迎合半导体市场发展趋势，开发出slkor品牌霍尔HALL元件、LDO、TVS瞬态抑制二极管、肖特基二极管、碳化硅肖特基MOS管等产品。
SLKOR霍尔元件
萨科微的碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。SLKOR品牌MOS、场效应管、TVS管、ESD等大量应用于锂电池保护板、智能扫地机器人、TWS蓝牙耳机、电子烟、大功率户外照明等行业。
萨科微MOS驱动
萨科微slkor新开发的产品hall霍尔开关传感器等电子元件，广泛应用于TWS蓝牙耳机、手提笔记本电脑、电子玩具等市场，是萨科微未来要发力的重点，ESD二极管、TVS二极管、肖特基二极管等在推出市场后不久，得到了众多新老客户的认可，订单量也是不断的增加，让萨科微半导体SLKOR不得不继续扩大产能，以满足目前市场需求。
萨科微SLKOR霍尔元件新品
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文由奶爸工程师转载自SLKOR，原文标题为:萨科微公司开发SLKOR新产品系列，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块实力亮相上海第十七届SNEC展会！
6月13至15日，阿基米德半导体在十七届全球SNEC展会璀璨亮相，阿基米德半导体展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。这些产品广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域，为行业实现了更高的可靠性和能源转化效率。
阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块亮相深圳国际电子展，共襄科技盛宴！
日前，阿基米德半导体参加了在深圳会展中心举办的elexcon2024深圳国家电子展。展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域。
芯际探索荣获 “贵州省科技型中小企业” 称号，全力推进国产核心功率半导体器件自主可控
近日，省科技厅发布了《贵州省2024年第一批拟入库科技型中小企业名单公示》，经审核、公示，贵州芯际探索科技有限公司顺利通过“贵州省科技型中小企业”认定。
瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案
作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案，覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。
电磁炉/缝纫机等白色家电市场专用IGBT单管
型号- HMG40N65AT,HMG75N65FT,HM30N135FA,HMG20N65F,HMG50N65FT,HM75N120FT3,HMG20N65D,HM15N120AT,HMG20N65,HM40N120FT,HM25N120AT,HMG40N65FT,HMG75N65AT,HM40N120AT,HM30N135FT
【方案】20kW~60kW充电桩优选器件方案
描述- 本方案针对20kW~60kW 充电桩的高性能需求，在PFC 整流电路和DC-DC 变换电路均采用了Vincotech高性能ANPFC 模块以及H 桥逆变模块，实现了管脚与风道之间的相互独立。同时，采用Laird 高性能导热材料和Standex 带散热底座的平面变压器和电感，提高充电桩功率等级的同时增强了整机的防护性和可靠性。
型号- 2SK2225-80-E,TFLEX HD300,CMS-R010-1.0,U9507C,TPCM 780,10-FZ074PA0XXSM-LXXXF08,SPFJ160,PS9402,BVE-A-R002-1.0,MLX91208,10-FZ07ANAXXSM-LE2XL08,PS9031,LSIC2SD120E30CC,SI8235BD-D-IS,SI8233BD-D-IS,10-FZ071SA050SM02-L524L18,KSU60D60N,92ML,10-FZ07ANA75SM-LE28L08,10-FZ07ANA150SM-LE20L08,0505030.MX52LEP,RC12-6-01LS,10-FY074PA100SM-L583F08,10-FZ071SA100SM02-L526L18,SMBJ18CA,ADP32F12A,PS9531L3,10-FZ071SA075SM02-L525L18,RBN75H65T1GPQ-A0,C4D30120D,KSF60F60B,SID1152K,SI8621BD-B-IS,10-FZ07ANA100SM-LE29L08,10-FZ074PA050SM-L624F08,10-FZ074PA075SM-L625F08,SGM2019
碳化硅：第三代半导体材料的性能优势与应用前景
经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体，半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。
东海半导体授权世强硬创，代理IGBT单管/模块、SiC二极管/MOS
40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计，不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷，还拥有卓越的开关速度，VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。
【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12，封装一次铸造成型，为高速发展的新能源汽车注入动力
深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12，旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时，提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期，给高速发展的新能源汽车注入动力。
一篇文章综述中国碳化硅（SiC）产业建设进展
第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中碳化硅SiC、氮化镓GaN为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面碳化硅SiC、氮化镓GaN性能更出色。在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体，瑞之辰等从业者认为成本下降有望实现全面替代。
【经验】隔离驱动芯片SI8233做MOS管驱动时的注意事项
目前Silicon Labs 的隔离驱动芯片SI8233大量的用来做MOS管驱动，由于具有两路独立的驱动，并且支持原副边5V的隔离电压，每路的峰值驱动电流达4A，所以在电源类产品的拓扑半桥或者全桥电路，PFC都会考虑用SI8233做驱动设计。
为什么说IGBT的诞生，使人类“驯服”了电！
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）在新能源汽车行业中占据重要地位，结合了三极管和MOS管的优势。主要用作电流的高效开关，适用于大电压和大电流的操控。其优点包括高输入阻抗、低导通压降与高开关频率。IGBT被广泛运用于新能源汽车的驱动系统、充电桩以及轨道交通等领域。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论