MOSFET芯片薄化工艺（BGBM）
晶圆减薄（一般研磨）
客户晶圆完成入站检验后，依照客户晶圆特性，与前段晶圆代工厂所生产的护层确认所需使用之胶带后，进行胶带贴附 (Taping)；接着，进行一般研磨 (Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding)，并在完成一般研磨后，进行晶背湿蚀刻 (Backside Wet Etching)；最后，进行厚度量测 (Measurement) 后，出站检验。
案例分享（进行研磨及蚀刻后的晶圆）
研磨后的晶圆：可清楚看见研磨痕
蚀刻后的晶圆：表面己粗化
应用范围
· 适用八寸、六寸、P型 / N型晶圆
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