30V/395A N-Channel Super Trench II Power MOSFET NCEP008N30GU with the Most Efficient High Frequency Switching Performance

2024-03-01 NCE
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The NCEP008N30GU N-Channel Super Trench II Power MOSFET uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.



General Features

VDS=30V, ID=395A 

RDS(ON)=0.55mΩ (typical)@VGS=10V 

RDS(ON)=0.80mΩ (typical)@VGS=4.5V 

Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) 

Very low on-resistance RDS(on) 

150°C operating temperature 

Pb-free lead plating 

100% UIS TESTED! 

100% ΔVds TESTED!


Application 

DC/DC Converter 

Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification


Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise noted)

Thermal Characteristic

Electrical Characteristics (TC=25℃ unless otherwise noted)

Notes: 

1. EAS condition : Tj=25℃, VDD=15V,VG=10V, L=0.5mH, Rg=25Ω 

2. Guaranteed by design, not subject to production 

3. These curves are based on the junction-to-case thermal impedance which is measured with the device mounted to a large heatsink, assuming a maximum junction temperature of TJ(MAX)=150℃. The SOA curve provides a single pulse rating.


Package Marking and Ordering Information

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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