650V/11A的高压MOS管SL11N65CF1,导通电阻为318mΩ,可提供卓越的开关性能

2024-05-25 SLKOR(萨科微)官网
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萨科微半导体推出的高压MOS管SL11N65CF1,是一款性能卓越的功率MOSFET,采用了SLKOR公司的先进超级功能技术进行生产,具有出色的性能和可靠性。这种先进技术经过专门定制,极大限度地减少传导损耗,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲,为电子系统的高效运行提供了重要支持。

 

SL11N65CF1的参数设计非常优秀:它是一款N沟道MOS管,漏源电压(Vdss)高达650V,连续漏极电流(Id)可达11A,功率(Pd)为28W,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为318mΩ@10V,4.0A,阈值电压(Vgs(th)@Id)为4.5V@250μA,封装采用TO-220F。这些参数使得SL11N65CF1在各种高压功率应用中能够表现出色,保证系统的稳定性和高效性。


萨科微半导体场效应管SL11N65CF1产品图

 

在现代电子设备和系统的设计中,高压MOS管扮演着至关重要的角色。场效应管SL11N65CF1以其突出的特点为用户提供了卓越的性能和可靠性。SL11N65CF1具有高坚固性和低栅极电荷,栅极电荷是指在开关过程中需要注入或移除的电荷量。低栅极电荷意味着该器件具有更快的响应速度和切换时间,而高坚固性使SL11N65CF1能够表现出出色的耐受能力。


萨科微半导体场效应管SL11N65CF1

 

在应用方面,SL11N65CF1被广泛应用于电力系统中,特别适合用于电源开关、电力转换和电能测量等领域。在工业自动化控制系统中,它也可以用于各种驱动电路和开关电路,实现对工业设备的控制,提高系统的效率和可靠性。


萨科微半导体场效应管SL11N65CF1

 

总的来说,萨科微半导体的SL11N65CF1高压MOS管以其出色的性能、稳定性和可靠性,在电力系统和工业控制领域展现出巨大的应用潜力。随着技术的不断进步,萨科微半导体的产品将在更多应用场景中发挥其优势,推动电子领域的创新与发展。

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