EPC GaN FET助力DC/DC转换器实现功率密度和效率基准

时间： 2024-02-29 来源：EPC

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EPC GaN FET与Analog Devices驱动器和控制器相结合，为客户简化氮化镓基设计、提高其效率、降低散热成本、助力计算、工业和消费类应用的DC/DC转换器实现最高功率密度。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出采用EPC GaN FET和Analog Devices，Inc. (ADI)控制器的各种参考设计。

新发布的EPC9195同步降压转换器参考设计电路板以750kHz开关频率运行，可将36V~48V输入电压转换为稳压13.5V输出电压。它在28mmx14mm的极小型封装内提供高达16A的电流，且外形尺寸小于5mm（电感器高度为3.5mm）。这种高功率密度DC/DC转换器用于将电池或充电器的48VDC输入电压转换为稳压的典型12V负载。由于USB PD3.1不断提高功率并减少高达240W的电源线，因此48V输入变得越来越流行。ADI的新型100V同步GaN降压控制器(LTC7891)与EPC的超高效GaN FET（EPC2619）相结合，助力实现超小型、高效的解决方案-在48V/13.5V和16A连续电流下，效率可高达96.4%。

EPC首席执行官Alex Lidow说：“GaN FET可助力DC/DC转换器实现最高的功率密度。我们很高兴与ADI合作，将其先进控制器的优势与高性能GaN器件相结合，从而可为客户提供最高的功率密度且采用很少的组件的解决方案，从而提升效率、提高功率密度和降低系统成本。”

ADI系统和应用总监Keith Szolusha说：“ADI的LTC7890、LTC7891、LT8418和LT8390A与EPC高性能eGaN FET相结合，可实现高功率密度解决方案。它提供更高的开关频率和优化了的死区时间，远远优于市场上当前的解决方案，同时功耗非常低。这些新型快速开关IC可助力客户实现最高的功率密度。”

该参考设计采用了EPC第6代GaN FET（EPC2619），其额定电压为100V、R_DS(on)典型值为3.3mΩ，占板面积小至1.5mmx2.5mm(3.8mm²)，它与EPC第5代器件相比，R_DS(on)*面积改善了40%和有更好的Tempco。就算把器件升级，其占板面积与第5代器件EPC2204相同。

EPC9158是一款以500kHz开关频率运行的双输出同步降压转换器参考设计，可将48V~54V输入电压转换为稳压12V输出，并提供每相高达25A的电流或50A总连续电流。ADI的新型LTC7890-100V、双路、两相同步降压控制器与EPC的超高效EPC2218/EPC2088 GaN FET相结合，可为高功率密度应用提供小占板面积的高效解决方案。该解决方案在48V/12V和50A连续电流下可实现高达96.5%的效率。

EPC9160是一款双输出同步降压转换器参考设计，每相工作开关频率为2MHz，可将9V~24V输入电压转换为3.3V或5V输出电压，可提供高达15A的连续电流。由于开关频率高，该解决方案尺寸非常小（两个输出仅为23mmx22mm），电感器高度仅为3mm。与LTC7890相结合，使该解决方案成为首选2MHz开关频率的车用控制台应用的理想选择。此外，计算、工业、消费和电信功率系统需要小尺寸和非常薄的外形尺寸。

ADI的LTC7890和LTC7891集成了半桥驱动器和智能自举二极管。它提供低Iq、优化的近零死区时间或可编程死区时间、高达3MHz的可编程开关频率。5µA的静态电流（V_IN=48V、V_OUT=5V，仅CH1）可实现极低的待机功耗和出色的轻负载效率。ADI的EVAL-LTC7890-AZ评估板采用EPC2088和EPC2204 GaN FET，在输入电压为30V~72V时，为每个5V和12V输出提供20A电流。EVAL-LTC7891-AZ评估板采用EPC2088 GaN FET和可提供20A输出电流，输出电压为12V，输入电压为36V~72V。

ADI的LT8418 100V半桥栅极驱动器具有智能集成自举开关，非常适合驱动EPC GaN FET，因为它具有高开关频率能力（高达10MHz）、快速传播延迟（10ns典型值）和传播延迟匹配（1.5ns典型值），可实现更短的死区时间、更短的最小脉宽(11ns)和极低的栅极驱动电阻。它还提供精确的欠压和过压锁定保护。ADI的评估板EVAL-LT8418-BZ采用半桥配置的EPC2204 GaN FET，支持80V最大输入、100kHz–10MHz fsw、10A最大电流。应用笔记阐释包括使用和不使用散热器时，500KHz和1MHz工作频率下的结果。

ADI的LT8390A是一款60V高频、4开关降压/升压控制器，配备集成式5V栅极驱动器和高达2MHz的开关频率。它为优化器和电池充电和放电提供电流和电压控制环路。ADI的参考设计EVAL-LT8390A-AZ在8~60V输入电压至24V输出电压内工作，并在2MHz开关频率提供5A连续电流，效率很高。尺寸仅为2x3cm（是当前100W Si Mosfet解决方案尺寸的一半），有配备小型6x6x6mm电感器。

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2024/1/3 - EPC - 选型指南代理服务技术支持采购服务

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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS

Enhancement Mode Power Transistor

选型表 - EPC 立即选型

USB功率传输的进步：氮化镓技术的效率和高功率密度

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型号- EPC9195,EPC2619,LTC7891

May 2024 - EPC - 技术文档代理服务技术支持采购服务

【IC】EPC提供100V GaN FET助力实现更小的电机驱动器，用于电动自行车、机器人和无人机

EPC推出三相BLDC电机驱动逆变器参考设计EPC9194，工作输入电源电压范围为14V~60V，可提供高达60Apk的输出电流。此电压范围和功率使该解决方案非常适合用于各种三相BLDC电机驱动器，包括电动自行车、电动滑板车、无人机、机器人和直流伺服电机。

2023-11-07 - 产品代理服务技术支持采购服务

将氮化镓场效应晶体管与专为硅MOSFET设计的控制器和栅极驱动器结合使用

描述- 本文探讨了使用通用门驱动器与氮化镓（GaN）FET配合使用时需要注意的关键因素。文章详细介绍了GaN FET与硅MOSFET之间的主要差异，包括门电压水平、开关速度、反向导通电压降和物理结构等。此外，文章还提供了将MOSFET驱动器转换为适用于GaN FET的建议步骤，包括使用外部自举二极管、自举钳位、门返回电阻和反向导通钳位等。最后，文章强调了在设计使用集成门驱动器的控制器IC时，需要考虑的布局和设计折衷方案。

February 2024 - EPC - 技术文档代理服务技术支持采购服务

【元件】EPC新推80V氮化镓晶体管EPC2204A/EPC2218A，具有较低的栅极电荷，可用于自动驾驶激光雷达

EPC推出了两颗新的80V AEC-Q101认证的氮化镓晶体管（GaN FETs），为设计者提供了比硅MOSFET更小、更高效的解决方案，可用于汽车48V-12V DC-DC转换、信息娱乐和自动驾驶的激光雷达。

2022-12-29 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【视频】EPC发挥其GaN技术优势，将帮助实现高效能电机驱动应用和DC/DC转换器

型号- EPC9173,EPC2302,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC2308,EPC2307,EPC23102

EPC - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介

描述- 本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）及其集成电路的应用范围，包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势，如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时，提供了eGaN®SR系列产品的参数对比，并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外，还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。

型号- EPC2212,EPC2057,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC90155,EPC2029,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC9098,EPC9099,ЕPC2218,EPC9092,EPC9093,EPC9050,ЕPC2215,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC2032,EPC2031,EPC2033,EPC9061,ΕPC2059,EPC9062,EPC2203,EPC9048C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124

2024/6/11 - EPC - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

【元件】EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET EPC2361，采用紧凑型QFN封装（3mmx5mm）

EPC推出采用紧凑型QFN封装(3mmx5mm)的100V、1mOhm GaN FET(EPC2361)，助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能MPPT等应用实现更高的功率密度。

2024-02-29 - 产品代理服务技术支持采购服务

【元件】使用EPC新款50V GaN FET设计更高功率密度的USB-C PD应用，尺寸仅为1.8 mm²

EPC推出了50V、8.5mOhm的EPC2057 GaN FET，尺寸仅为1.5mm x 1.2mm，为USB-C PD应用提供了更高的功率密度。加利福尼亚州埃尔塞贡多—2024年6月—EPC是增强型氮化镓(GaN) 功率FET和IC的全球领导者，推出了50V、8.5mΩ的EPC2057。该GaN FET专为满足高功率USB-C设备的不断发展需求而设计，包括消费电子、车载充电和电动出行设备。

2024-06-26 - 产品代理服务技术支持采购服务

EPC将在PCIM Asia 2024展示先进的氮化镓电源解决方案

作为全球增强型氮化镓 (GaN) FET 和 IC 的领导者，EPC 很高兴宣布将参加 PCIM Asia 2024。该活动将于 8 月 28 日至 30 日在中国深圳举行。EPC 的 GaN 专家将在 PCIM Asia 期间展示最新一代的 GaN FET 和 IC，涵盖包括 AI 服务器、机器人等在内的各种实际应用，探索业内最全面的 GaN 电力转换解决方案组合。

2024-08-26 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【经验】GaN FET在激光雷达驱动器中的参数设计指导

本文中给出的激光雷达驱动器采用EPC公司的开发板EPC9126进行设计。EPC9126/EPC9126HC采用最优的PCB layout，EPC9126采用GaN FET—EPC2016C，在极短的4ns脉冲宽度，给三接面激光产生35A脉冲。EPC9126HC为大电流演示系统，在 8ns脉冲宽度可产生65A脉冲。文中给出了具体设计的参数指导。

2020-06-13 - 设计经验代理服务技术支持采购服务