【元件】 EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET EPC2361，采用紧凑型QFN封装（3mmx5mm）

时间： 2024-02-29 来源：EPC

代理服务

技术支持

采购服务

EPC推出采用紧凑型QFN封装(3mmx5mm)的100V、1mOhm GaN FET(EPC2361)，助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能MPPT等应用实现更高的功率密度。

全球增强型氮化镓(GaN)功率FET和IC领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）推出100V、1mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，其功率密度提高了一倍。

EPC2361的R_DS(on)典型值只有1mOhm，采用耐热QFN封装，顶部裸露，封装尺寸只有3mmx5mm。EPC2361的R_DS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm²–比等效100V硅MOSFET的体积小超过五倍。

凭借超低导通电阻，EPC2361可在电源转换系统中实现更高的功率密度和更高的效率，从而降低能耗和散热。它为多种应用诸如高功率PSU AC/DC同步整流、数据中心的高频DC/DC转换、电动汽车、机器人、无人机和太阳能MPPT的电机驱动器，带来突破性的性能。

宜普电源转换公司的首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说：“EPC的新型1mΩ GaN FET突破了氮化镓技术的极限，助力客户创建更高效、更小和更可靠的电力电子系统。”

EPC90156开发板是一款采用半桥EPC2361 GaN FET，专为100V最大器件电压和xx A最大输出电流而设计，旨在简化功率系统设计人员对氮化镓器件的评估过程，以加快产品的上市时间。该板的尺寸为2”x 2”(50.8mmx50.8mm)，专为实现最佳开关性能而设计，而且包含所有关键组件以便于评估。

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN^®)的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动出行、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。eGaN^®是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 2
| 转发至：

本文由FY转载自EPC，原文标题为:EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（2）

陈先生123 Lv4. 资深工程师 2024-03-11

学习
zwjiang Lv9. 科学家 2024-03-09

学习

没有更多评论了

【IC】EPC提供100V GaN FET助力实现更小的电机驱动器，用于电动自行车、机器人和无人机

EPC推出三相BLDC电机驱动逆变器参考设计EPC9194，工作输入电源电压范围为14V~60V，可提供高达60Apk的输出电流。此电压范围和功率使该解决方案非常适合用于各种三相BLDC电机驱动器，包括电动自行车、电动滑板车、无人机、机器人和直流伺服电机。

2023-11-07 - 产品代理服务技术支持采购服务

【元件】使用EPC新款50V GaN FET设计更高功率密度的USB-C PD应用，尺寸仅为1.8 mm²

EPC推出了50V、8.5mOhm的EPC2057 GaN FET，尺寸仅为1.5mm x 1.2mm，为USB-C PD应用提供了更高的功率密度。加利福尼亚州埃尔塞贡多—2024年6月—EPC是增强型氮化镓(GaN) 功率FET和IC的全球领导者，推出了50V、8.5mΩ的EPC2057。该GaN FET专为满足高功率USB-C设备的不断发展需求而设计，包括消费电子、车载充电和电动出行设备。

2024-06-26 - 产品代理服务技术支持采购服务

Design Higher Power Density USB-C PD Applications with New 50V GaN FET in Tiny 1.8mm² Footprint from EPC

EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (GaN) power FETs and ICs, launches the 50 V, 8.5 mΩ EPC2057aN FET is specifically designed to meet the evolving needs of high-power USB-C devices including those used in consumer electronics, in-car charging, and eMobility.

2024-06-13 - 产品代理服务技术支持采购服务

【应用】EPC车规级GaN场效应管EPC2203应用于激光雷达，脉冲电流可达17A，漏源耐压值可达80V

本文主要介绍EPC汽车级GaN场效应管EPC2203在激光雷达上的应用，主要用在激光雷达发射部分，用于控制激光器的快速开关，优势：漏源耐压值可达80V；持续电流1.7A，最大脉冲电流17A；漏源电阻仅80mΩ，可有效降低系统损耗等。

2022-12-21 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介

描述- 本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）及其集成电路的应用范围，包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势，如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时，提供了eGaN®SR系列产品的参数对比，并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外，还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。

型号- EPC2212,EPC2057,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC90155,EPC2029,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC9098,EPC9099,ЕPC2218,EPC9092,EPC9093,EPC9050,ЕPC2215,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC2032,EPC2031,EPC2033,EPC9061,ΕPC2059,EPC9062,EPC2203,EPC9048C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124

2024/6/11 - EPC - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

【视频】EPC发挥其GaN技术优势，将帮助实现高效能电机驱动应用和DC/DC转换器

型号- EPC9173,EPC2302,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC2308,EPC2307,EPC23102

EPC - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

EPC GaN FET助力DC/DC转换器实现功率密度和效率基准

EPC GaN FET与Analog Devices驱动器和控制器相结合，为客户简化氮化镓基设计、提高其效率、降低散热成本、助力计算、工业和消费类应用的DC/DC转换器实现最高功率密度。

2024-02-29 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

EPC将在PCIM Asia 2024展示先进的氮化镓电源解决方案

作为全球增强型氮化镓 (GaN) FET 和 IC 的领导者，EPC 很高兴宣布将参加 PCIM Asia 2024。该活动将于 8 月 28 日至 30 日在中国深圳举行。EPC 的 GaN 专家将在 PCIM Asia 期间展示最新一代的 GaN FET 和 IC，涵盖包括 AI 服务器、机器人等在内的各种实际应用，探索业内最全面的 GaN 电力转换解决方案组合。

2024-08-26 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【经验】GaN FET在激光雷达驱动器中的参数设计指导

本文中给出的激光雷达驱动器采用EPC公司的开发板EPC9126进行设计。EPC9126/EPC9126HC采用最优的PCB layout，EPC9126采用GaN FET—EPC2016C，在极短的4ns脉冲宽度，给三接面激光产生35A脉冲。EPC9126HC为大电流演示系统，在 8ns脉冲宽度可产生65A脉冲。文中给出了具体设计的参数指导。

2020-06-13 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

宽带隙氮化镓场效应晶体管40V至700V 11.5A至100A产品简介

描述- 该资料介绍了Central公司生产的GaN FET产品，包括低压和高压两种类型。产品具有低导通损耗、高电压能力、低栅极电荷和低rDS(ON)等特点，适用于高频应用、高效电源、电动汽车充电等领域。

型号- CDFG6517N,CDF56G7032N,CDF56G6517N,CDF56G6511N,CCSPG0420N,CCSPG1510N,CDFG6511N,CCSPG1060N,CDFG6558N,CCSPG0450N,CCSPG1560N

0624 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - 数据手册 - R1 代理服务技术支持采购服务

【IC】EPC新推基于GaN FET的150A电机驱动器EPC9186，适用于电动出行、叉车和大功率无人机

EPC新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14V~80V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。

2023-05-10 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【应用】基于GaN（氮化镓）的D类音频放大器，实现高质量、低成本的音质

现在，氮化镓FET和IC的出现正在迎来高质量、低成本D类音频放大器的时代。基于GaN的FET和IC更优异的开关和热性能产生的波形比硅MOSFET所能达到的波形更接近所需的理想波形。采用GaN技术的高级音频D类放大器提供高于A类放大器设计的音质。

2021-09-19 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

CCSPG1560N表面贴装氮化镓N沟道功率FET 60安，150伏

描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CCSPG1560N氮化镓N沟道场效应晶体管。该产品适用于电动汽车充电站、微型逆变器和高效率快速充电功率块，具有60安培的连续漏极电流和150伏的漏源电压。

型号- CCSPG1560N

24-July 2024 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - 数据手册 - R3 代理服务技术支持采购服务

How to Use the GaN FET Thermal Calculator to Boost Reliability and Shorten Time-To-Market in Power Electronics System Designs

This article tells about how to use EPC‘s GaN FET Thermal Calculator to boost reliability and shorten time-to-market in Power Electronics System Designs. they are smaller, they switch faster, and have lower on-resistance resulting in greater efficiency than their silicon counterparts.

2022-05-18 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

How to Design a 2kW 48V/12V Bi-Directional Power Module with GaN FETs for 48V Mild Hybrid Electric Vehicles

This artical tells how to Design a 2kW 48V/12V Bi-Directional Power Module with GaN FETs for 48V Mild Hybrid Electric Vehicles. A new reference design demo board, EPC EPC9165, is available to help jump start the design of a 2 kW bi-directional converter.

2022-09-01 - 设计经验代理服务技术支持采购服务