【元件】 EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET EPC2361，采用紧凑型QFN封装（3mmx5mm）
EPC推出采用紧凑型QFN封装(3mmx5mm)的100V、1mOhm GaN FET(EPC2361)，助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能MPPT等应用实现更高的功率密度。
全球增强型氮化镓(GaN)功率FET和IC领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）推出100V、1mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，其功率密度提高了一倍。
EPC2361的RDS(on)典型值只有1mOhm，采用耐热QFN封装，顶部裸露，封装尺寸只有3mmx5mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100V硅MOSFET的体积小超过五倍。
凭借超低导通电阻，EPC2361可在电源转换系统中实现更高的功率密度和更高的效率，从而降低能耗和散热。它为多种应用诸如高功率PSU AC/DC同步整流、数据中心的高频DC/DC转换、电动汽车、机器人、无人机和太阳能MPPT的电机驱动器，带来突破性的性能。
宜普电源转换公司的首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说：“EPC的新型1mΩ GaN FET突破了氮化镓技术的极限，助力客户创建更高效、更小和更可靠的电力电子系统。”
EPC90156开发板是一款采用半桥EPC2361 GaN FET，专为100V最大器件电压和xx A最大输出电流而设计，旨在简化功率系统设计人员对氮化镓器件的评估过程，以加快产品的上市时间。该板的尺寸为2”x 2”(50.8mmx50.8mm)，专为实现最佳开关性能而设计，而且包含所有关键组件以便于评估。
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动出行、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。eGaN®是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
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