国基南方加速碳化硅MOSFET技术攻关，建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线

时间： 2024-03-04 来源：中电国基南方（国基南方公众号）

技术问答

选型帮助

研发客服

商务客服

超净厂房里，科研人员坐在电脑前操控，一台台精密仪器自动化运行；生产车间里，比绣花针还细的测试探针在芯片间高速移动，这是自动测试台在对一片已完工的6英寸碳化硅晶圆进行测试……走进国基南方、55所碳化硅产线，高科技含量十足的场景随处可见。

“随着新能源汽车供需量的增加，我们也正在加快推进大电流碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和批产。”春节期间，团队提早启动，坚守岗位，聚焦新能源汽车、光伏、高压输变电、智能电网等重点领域需求，在火热的生产中迎来春天。

碳化硅MOSFET能让新能源汽车充电速度提高5-10倍，续航里程提高8%以上，能耗降低50%，优异的性能让其成为新能源汽车所需的关键元器件。截至目前，团队研制的新能源汽车用650V-1200V碳化硅MOSFET出货量突破1500万只，累计上车超200万辆，一颗颗奔腾的“中国芯”，正随车畅行在祖国大江南北。

小心翼翼用真空吸笔拾取起长宽仅有2毫米的“小物件儿”，技术人员笑着说：“别看这个碳化硅MOSFET个头小，它可是新能源汽车车载充电机的‘心脏’，电能的处理和控制，靠的就是这个。”技术专家解释，近年来，碳化硅材料凭借着耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，用其研制的功率产品，快速走向应用舞台“C位”。“相同规格下碳化硅MOSFET的尺寸只有硅基产品的1/10，但导通电阻是后者的百分之一，总能量损耗可以降低70%。”

持续推进碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用，国基南方、55所碳化硅团队贯通碳化硅衬底、外延、芯片等全产业链量产平台，陆续攻破高温高能离子注入、高迁移率栅氧化等关键工艺。经过集智攻坚，团队建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线，在国内率先突破6英寸碳化硅MOSFET批产技术，形成了成套具有自主知识产权的碳化硅功率产品技术体系。

“大幅提升典型产品良率，我们将研制的碳化硅产品从实验室样品变为批量化商用产品，有力化解车企用户的缺‘芯’危机。”中国电科专家表示，最初碳化硅产品只是应用在电源等工业领域，直到这两年才逐步应用到新能源汽车等领域。“要实现快速批产应用，面临很大挑战。”为满足用户需求，团队马不停蹄与新能源汽车企业对接应用需求，快速完成产品开发和验证，迅速开发了性能更优异的碳化硅MOSFET产品。

“芯片面积减少30%，导通损耗降低15%，新一代碳化硅MOSFET产品电能转换效率显著提升，已进入新能源汽车龙头企业规模化应用。”专家表示，自产品通过用户车载项目验证以来，碳化硅MOSFET每月稳定批量交付，荣获“最具影响力汽车芯片奖”。

依托多年来积淀形成的技术优势，国基南方、55所持续加大关键核心技术攻关力度，取得了一批突破性技术成果，建立完善了具有自主知识产权的碳化硅JBS、JFET、MOS等芯片工艺，形成了650V—6500V系列产品，推动碳化硅功率产品率先在新能源汽车充电桩、高压电源、车载充电器、雷达电源等领域实现工程应用。

“目前，我们研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率产品完成A样件试制，将为碳化硅功率半导体设计与生产全自主化、全国产化打下坚实基础。”持续完善产品谱系、拓展产品类型，新的一年，团队成员将全力提升碳化硅芯片线产能，进一步推进新能源汽车用碳化硅MOSFET芯片关键核心技术攻关及产业化，推动碳化硅系列产品进入风光发电、储能、电网等领域规模化应用。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 16
| 转发至：

本文由犀牛先生转载自中电国基南方（国基南方公众号），原文标题为:国基南方、55所：加速碳化硅MOSFET技术攻关，打造汽车电子中国“芯”，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（16）

tiankai001 Lv7. 资深专家 2024-10-12

学习
猛猛哥 Lv7. 资深专家 2024-05-19

学习
崇乾 Lv8. 研究员 2024-04-19

学习
周鑫 Lv8. 研究员 2024-03-26

学习学习
Timm Lv9. 科学家 2024-03-25

学习

Timm Lv9. 科学家 2024-03-25

学习
Aaron Lv5. 技术专家 2024-03-25

厉害了
NickB Lv5. 技术专家 2024-03-21

交流学习
用户34169263 Lv7. 资深专家 2024-03-20

学习下
xuepiaomengfei Lv7. 资深专家 2024-03-16

学习

展开更多评论

瞻芯电子荣获“东方芯港·明日之星”奖，致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化

2017年，瞻芯电子在东方“芯”港这片沃土创立，前瞻性地致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化，现已成长为我国少有的碳化硅(SiC)芯片的垂直整合制造（IDM）企业，累计交付核心产品：碳化硅(SiC)MOSFET约900万颗，驱动芯片约4800万颗，广泛应用于新能源汽车、光伏与储能、充电桩、工业和通信电源等领域。

原厂动态发布时间 : 2024-08-24

瞻芯电子七周年庆：创新驱动，碳化硅（SiC）技术改变未来

2024年7月17日，瞻芯电子迎来了成立7年周年的重要时刻。在过去的一年里，瞻芯电子顺利完成了股份改制，转型为股份有限公司，持续提升经营管理能力。公司还荣获了国家级专精特新“小巨人”企业等多项荣誉，彰显了其在行业内的卓越地位。同时，瞻芯电子在浙江义乌的碳化硅（SiC）晶圆厂的运营管理水平得到显著提升，通过了严格的IATF16949汽车质量管理认证，晶圆产线良率不断提高，流片周期进一步缩短。

原厂动态发布时间 : 2024-07-24

爱仕特碳化硅器件助力深圳超充之城建设

不管是超充还是新能源汽车的增加，都需要用碳化硅芯片，整个碳化硅产业将迎来井喷式爆发，近几年将会是爱仕特快速成长的黄金发展时期。随着新能源汽车的销量增长，爱仕特每年的销售额翻番增长，目前还有积累的大量订单待交付。

原厂动态发布时间 : 2024-04-12

瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驱动与控制芯片选型指南

描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司，2017 年成立于上海临港，致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品，围绕 SiC 应用，为客户提供一站式芯片解决方案。

型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1

选型指南 - 瞻芯电子 - March 2024 PDF 中文下载

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

活动发布时间 : 2024-10-12

碳化硅：第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体，半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

行业资讯发布时间 : 2024-11-11

爱仕特（AST）SiC碳化硅芯片及模块选型指南

目录- 公司简介和芯片/模块产品规则芯片模块参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍

型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200

选型指南 - 爱仕特 - 2021/11/26 PDF 中文下载

上海瞻芯电子科技有限公司是中国领先的碳化硅，SiC，半导体和芯片解决方案提供商，2017年成立于上海临港。公司致力于开发碳化硅功率器件，碳化硅功率模块，驱动和控制芯片，并围绕碳化硅功率半导体应用，为客户提供一站式，Turn-key，解决方案。

碳化硅肖特基二极管碳化硅金属氧化物场效应晶体管碳化硅功率模块栅极驱动芯片控制芯片

授权代理商 - 深圳市世强元件网络有限公司线上商城技术资料

展开

【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感，爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM

2024年8月28日，亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开，爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计，内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。

产品发布时间 : 2024-08-29