650V/15A的N沟道MOS管SL15N65CD,导通电阻为238mΩ,可提供卓越的开关性能
随着科技的不断发展和市场竞争的加剧,萨科微半导体一直提升自身的竞争力,并积极为行业发展贡献自己的力量。作为半导体领域的重要参与者和贡献者,萨科微半导体推出了一系列高性能产品,其中包括高压MOS管SL15N65CD,展现了其在技术创新和产品研发方面的优势。
SL15N65CD是一款采用SLKOR先进的Superjunction MOSFET技术生产的功率MOSFET。这种先进技术经过专门定制,极大限度地降低通态电阻,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲,具有出色的稳定性和可靠性。这使得SL15N65CD非常适合于高效率开关模式电源等应用领域。
萨科微半导体场效应管SL15N65CD产品图
它是一款N沟道型MOS管,漏源电压(Vdss)高达650V,连续漏极电流(Id)为15A,功率(Pd)达111W。在导通状态下,其导通电阻(RDS(on))为238mΩ@10V,7.5A,阈值电压(Vgs(th))为4.5V@250μA。此外,它采用TO-252封装,具有高坚固性和良好的散热性能。
SL15N65CD的特点之一是高坚固性,它采用TO-252封装,具有出色的散热性能,可以在恶劣环境下工作。此外,它还具有良好的抗干扰性能,在高噪声环境下依然能够保持稳定的工作状态。SL15N65CD采用了先进的Superjunction MOSFET技术,这种先进技术使得SL15N65CD不仅具有快速切换的优秀特性,而且通过100%雪崩测试,保证了其在各种应用场景下的稳定性和可靠性。
萨科微半导体场效应管SL15N65CD
在电力系统中,高性能、可靠的功率MOSFET器件是关键组成部分。萨科微半导体的SL15N65CD就是一款具有卓越性能和可靠性的功率MOSFET,广泛应用于高效率开关模式电源、功率放大器等领域,为电力系统的设计和运行提供了强大支持。在高效率开关模式电源方面,SL15N65CD的快速切换特性和低导通电阻,可以有效提高系统转换效率,减少能量损耗,降低温度,从而提高系统可靠性和寿命。在功率放大器方面,SL15N65CD的高可靠性和稳定性保证了音频信号的清晰和准确,为音乐爱好者带来更加优质的音质体验。
萨科微半导体场效应管SL15N65CD
萨科微半导体的SL15N65CD代表着高压MOS管技术的先进成果,展示了萨科微在半导体领域的创新能力和技术实力。通过不断推出优质产品,萨科微致力于满足客户需求,促进行业发展,为构建智能、高效的电力系统贡献自己的力量。在未来的发展中,萨科微半导体也会继续创新发展,为行业带来更多惊喜与可能。
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