SiC MOSFET应用于汽车电子领域的优势及设计注意事项

时间： 2024-03-01 来源：森国科

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在汽车电子领域中，MOSFET应用需要更高要求。比如在AUTOMBILE HID LAMP BALLAST中，防反接电路、PWM驱动电路、全桥电路、续流电路等都需要MOSFET的参与。

我们都知道，SiC是一种基于硅和碳的复合半导体材料，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOS导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。与传统硅基器件相比，SiC的击穿场强是传统硅基器件的10倍，导热系数是传统硅基器件的3倍，非常适合于高压应用。

相较而言，SiC MOS跨导变化较低，VGS的较小变化不会引起很大的电流变化，所以SiC MOSFET驱动电路的设计时需要注意：

1、一般情况下，-5V＜VGS＜20V的范围能够发挥SiC MOSFET的性能，所以提供驱动电压的电源最好能够满足VDD=00025V,VEE=-10V，才能够覆盖更广泛的SiC型号。

2、VGS电压必须有较快的上升沿和下降沿。

3、需要有最小正负电压的欠压锁定。

4、和硅基器件一样，需要有各种保护电路，过电流、短路、钳位等保护功能。

5、对于整个回路的布线尽可能地减小杂散电感，由于较快的开关速度，相对于硅基的要求更高，要求杂散电感尽可能小。

SiC MOS是未来趋势，在要求较高的汽车电子中应用会越来越多。森国科的产品包括SJ-MOS、SiC MOS，都可广泛应用于逆变器、镇流器、适配器、充电器、PC电源、电视机电源、电焊机电源等各领域。

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2019年09月 - 选型指南 - Ver.2.5 代理服务技术支持采购服务

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40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计，不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷，还拥有卓越的开关速度，VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。

2023-09-18 - 签约新闻代理服务技术支持采购服务

降本＆高效！采用1200V 40mΩ SiC MOSFET的开关电源有效提高系统效率和增强可靠性

开关电源上使用1200V 40mΩ SiC MOSFET能够提高系统的效率、可靠性和性能，在工业级电源、数据中心电源和新能源汽车充电桩等应用中表现尤为突出。相比传统的硅基MOSFET，SiC MOSFET具有更低的导通电阻和更高的工作温度，这使其在高功率密度和高效率的应用中具有显著优势。

2025-02-12 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

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2023-11-23 - 签约新闻代理服务技术支持采购服务

SIC产品及应用介绍

本资料介绍了SiC（碳化硅）产品的特性、应用领域、制造工艺、产品家族及客户信息。资料重点阐述了SiC材料的高电场击穿强度、热稳定性、高载流子饱和漂移速度和高导热性等优势，以及其在高电压、高频、高温、耐辐射等大功率场景中的应用。此外，资料还展示了SiC产品在能源、消费、工业和高端市场等领域的典型应用案例，并提供了SiC产品的封装类型和部分产品列表。

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2024/9/24 - 商品及供应商介绍 - REV3.2 代理服务技术支持采购服务