森国科多款SiC MOSFET可用在开关电源、逆变器、充电桩等领域,开关速度快
碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。
碳化硅MOSFET具有高频高效,高耐压,高可靠性。可以实现节能降耗,小体积,低重量,高功率密度等特性。主要用于逆变器、镇流器、开关电源、PC电源、电视机电源、充电桩、电焊机电源、手机快充电源。如移动电源功率在10W-100W之间,在充电中MOSFET在不同电路位置有不同的需要(PWM型同步整流电路中可以在三个阶段使用MOSFET)。因而,针对不同功率的应用场合,森国科1200V、1700V的MOSFET都可以满足,也可以满足满足不同功率充电器中不同电路位置的要求。
SiC MOS的开关性能SiC MOS具有快速的开关速度,这是由于碳化硅材料本身的特性以及器件结构的优化。
1)高载流子迁移率:SiC材料具有非常高的电子和空穴迁移率,远高于传统的硅材料。载流子迁移率是指在电场作用下,载流子在晶体中的运动速度。高的迁移率意味着载流子能够更快地在沟道中移动,从而实现快速的开关动作。
2)小沟道尺寸:SiC MOS可以制造出非常小的沟道尺寸。小的沟道尺寸意味着沟道区域的载流子移动距离较短,从而加快了载流子注入和排出的速度。
3)较低的输入电容:SiC MOS器件具有较低的输入电容,这意味着输入信号的响应速度更快。较低的输入电容可以实现更快的栅极充放电过程,从而促进了器件的快速开关。
常见的PC开关电源,专门为机箱内部配件供电的设备,如主板、CPU、显卡、硬盘等,是电脑各部件供电的枢纽,是电脑的重要组成部分。如图所示,开关电源把220V交流电,转换成直流电,分别输送到各个元件,必须为所有的设备不间断地提供稳定连续的电流。PC电源里面最为核心的功率输出元件之一即为MOSFET。
降压转换器依靠MOSFET来执行开关功能,开关交替在电感里存储能量,然后把能量开释给负载。一般选择数百kHz至1MHz以上的频率,由于频率越高,磁性元件可以更小更轻。在开关电源应用中,MOSFET参数除了频率以外,还需要注意输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。
功率MOS管实际上是一个双向导电器件,由于工作原理的不同,而导致了其他一些方面的差异。例如:作为主开关的MOS管通常都是硬开关,因此要求开关速度快,以减小开关损耗;而作为整流/续流用的同步MOS管,则要求MOS管具有低导通电阻、体二极管反向恢复电荷小、栅极电阻小和开关特性好等特点,因此,虽然两者都是MOS管,但是它们的工作特性和损耗机理并不一样,对它们的性能参数要求也不一样。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由月照松间转载自森国科,原文标题为:SiC MOSFET在开关电源的应用,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势
为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求,中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装,具有开尔文源极,驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。
森国科碳化硅MOSFET K3M075120-J用于焊机技术,大大提升能效转换,降低流程损耗
森国科的碳化硅MOS管K3M075120-J在120A焊机上的应用展现了碳化硅技术在工业焊接领域的巨大优势。通过提高能效、加快响应速度、增强可靠性、减小体积以及扩展使用范围,该技术不仅提升了焊接设备的性能,也为制造业带来了更高的生产效率和更低的运营成本。随着碳化硅技术的不断成熟和普及,我们有理由相信,未来焊接技术将因此实现更大的飞跃。
【应用】反激开关电源的开关管最佳选择:Littelfuse的1700V/1Ω的SIC MOSFET
基于反激电源的开关管Q1的反压参数1500V以上和正向电流参数3A以内的应用需求,Littelfuse的LSIC1MO170E1000的SIC MOSFET将是该处开关管应用的最佳选择。
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)
当代电子技术的发展不仅需要高效性能,还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件,正在引领着未来能源转型的浪潮。今天,我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson,这个参数的优化,就像是在节能减排的长跑中,为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯电子开发2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。
【元件】瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET,已通过AEC-Q101认证
瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)产品(IV1Q12160D7Z),该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证(AEC-Q101)。
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V,如果选用单端反激拓扑,单管MOS耐压值需要超过3000V,因此建议采用双管反激方案,推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000,1700V高耐压,同时采用常用的TO247封装,可直接替换Si MOS使用。
B2M040120T SiC MOSFET
描述- 本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品,包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作,具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点,适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。
型号- B2M040120T
B2M040120Z碳化硅MOSFET
描述- 本资料介绍了B2M040120Z型号的碳化硅(SiC)MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、典型性能和应用领域。该器件具有低导通电阻、高阻断电压、低电容等特点,适用于开关电源、逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站等领域。
型号- B2M040120Z
解析SiC MOSFET器件五大特性
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET与传统硅MOSFET和IGBT相比具有显著优势。开关超过1,000V的高压电源轨以数百kHz运行并非易事,即使是最好的超结硅MOSFET也难以胜任。本文将为您介绍SiC MOSFET器件五大特性。
采用嵌入式SiC SBD的B2M030120N SiC MOSFET
描述- 该资料详细介绍了B2M030120N型碳化硅MOSFET的特性,包括其电气特性、热特性、封装参数、开关特性等。该产品具有高阻断电压、低导通电阻、内置碳化硅二极管等特性,适用于开关电源、逆变器、电机驱动器、高压DC/DC转换器等领域。
型号- B2M030120N
解析SiC MOSFET短路特性及技术优化
SiC器件管芯面积小,电流密度大,短路能力相对较弱,因此需要充分认识SiC器件的短路机理,揭示影响短路特性的关键因素,从而实施有效的保护,以保证SiC功率器件及SiC基变换器安全可靠工作。本文中森国科就来给大家解析SiC MOSFET短路特性及技术优化。
【产品】开关频率超100KHz的SiC三相逆变器模块
flow3xPHASE 0 SiC采用3x BUCK/BOOST拓扑结构,更高的效率和更低的发热量。
B2M012120N SiC MOSFET
描述- 本资料介绍了B2M012120N型号的碳化硅(SiC)MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、封装参数和应用领域。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高频操作等优点,适用于多种电源转换应用。
型号- B2M012120N
【经验】基于SiC MOSFET设计的ANPC电路,其低侧MOSFET的双脉冲测试结果及原因分析
Vincotech 碳化硅(SiC) MOSFET能够满足1500V太阳能逆变器的高开关速度、高系统效率要求,可实现高集成度和高功率密度,但在开关性能方面仍有不足之处。本文基于SiC MOSFET设计的ANPC电路,介绍其低侧MOSFET的双脉冲测试结果及原因分析。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论