Flash模拟EEPROM操作应用指南
工作原理
Flash和 EPROM的主要区别在于可擦单元大小，EEPROM可以字节擦写，而Flash只能块（扇区）擦除。这意味着如果在一个Flash扇区上存储多个参数时，扇区的擦除次数是该扇区上所有存储参数修改次数的总和，因此用作参数存储器时，Flash相比EEPROM更容易写坏。
解决这个问题的方法是，不再将参数存储在Flash的固定地址，而是给每个参数分配一个唯一的数字用作虚拟地址，将参数写入Flash时同时将虚拟地址写入Flash。
举例说明，执行如下的伪代码，将产生下图所示的存储效果：
注：上图中空格表示未写入，其值实为0xFF
Flash存储器被划分为2个字一组的存储单元，执行EE_Write时，将参数的值写入存储单元的前一个字，参数的虚拟地址写入存储单元的后一个字。
读取参数时，不再去固定的Flash地址读取，而是从存储页的尾部向前逐个存储单元读取，检查该单元中存储的虚拟地址是否等于 EE_Read调用中指定的虚拟地址EE_ADDR_Speed。若不等，则继续向前搜索；若相等，则说明找到了参数 Speed在存储器中存储的最新设定值。
由于参数不必存储在Flash中的固定地址，因此不必每次修改参数的值时都擦除Flash，而是只要Flash扇区未写满，就可以直接在后续空白地址写入参数的新值。这样将大幅减少Flash的擦除次数，降低Flash被写坏的风险。
页拷贝
当存储页写满时，可以将所有所有参数读入RAM，擦除存储页，然后再将所有参数写入Flash中。但若在此过程中发生掉电，就会导致所有参数丢失。
为解决这个问题，可以使用两个存储页，存储页的第一个存储单元存储该页的状态。如下图所示第一个存储页已满：
若此时执行EE_Write(EE_ADDR_Speed, 0x1900)，可将第二个存储页状态改为Receiving，表示正在从Active页拷贝数据。然后将本次要写的数据写入。
接下来，搜索Active页中的所有存储参数，将每个参数的最新值拷贝到Receiving页中。等所有参数拷贝完成后，将第一个页擦除（页状态自动变为 Erased），最后将第二个页状态改为Active。
后面，所有的参数读写操作均在第二页上即可。
这样操作，可以保证即使在过程中发生突然掉电，也不会损坏存储的参数值：
1、若在将第二页标记为Receiving时突然掉电，则只是丢失参数Speed的最新设定值，其他参数不受影响，读取参数Speed会读取到它的前一个设定值。
2、若在第二页标记为Receiving之后，从Active页向Receiving页拷贝参数的过程中突然掉电，则下次上电后会发现同时存在Active页和Receiving页，重新执行参数拷贝即可。
3、若在参数拷贝完，Active页擦除后，Receiving页还未被修改为Active时突然掉电，则下次上电后会发现有一个Receiving 页，但没有Activ 页，只需要将Receiving页状态改为Active即可。
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