SMC碳化硅MOSFET功率器件，高频高效，稳定可靠

时间： 2024-03-04 来源：SMC（桑德斯微电子公众号）

技术问答

SMC始终致力于根据客户需求设计和生产半导体产品。我们打造的碳化硅MOSFET功率器件，包括S2M0120120K/D、S2M0160120K/D、S2M0080120N等多种型号，为通讯设备、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等多个尖端领域提供源源不断的创新动力。

1、S2M0120120K/D SIC MOSFET

S2M0120120K/D是一款碳化硅MOSFET功率器件，采用TO-247-4封装 (S2M0120120K) 或 TO-247-3封装 (S2M0120120D)。该产品是一款高电压N型沟道增强型MOSFET，具有极低的总导通损耗，在极端温度下具有稳定的开关特性。S2M0120120K/D器件是特殊作业环境中能量敏感型高频应用的理想之选。

S2M0120120K/D封装形式

特点概述：

· 正温度特性，易于并联

· 典型低导通电阻，RDS(on)=133毫欧

· 开关速度快，损耗低

· 速度极快、坚固耐用的固有体二极管

· 非亮锡电镀工艺

S2M0120120K额定值和特性曲线

典型应用案例：

· 新能源车快充模块

· 新能源车载充电器

· 太阳能逆变器

· 在线式UPS/工业UPS

· 开关式电源 (SMPS)

· DC-DC转换器

· 储能系统 (ESS)

2、S2M0160120K/D SIC MOSFET

S2M0160120K/D是一款碳化硅MOSFET功率器件，S2M0160120K采用TO-247-4封装形式，S2M0160120D采用TO-247-3封装形式。该产品是一款高压N型沟道增强型MOSFET，具有极低的总导通损耗，在极端温度下具有稳定的开关特性。S2M0120120K/D器件是特殊作业环境中能量敏感型高频应用的理想之选。

S2M0160120K封装形式

特点概述：

· 正温度特性，易于并联

· 典型低导通电阻，RDS(on)=175毫欧

· 开关速度快，损耗低

· 速度极快、坚固耐用的固有体二极管

· 非亮锡电镀工艺

S2M0160120K额定值和特性曲线

典型应用案例：

· 新能源车快充模块

· 新能源车载充电器

· 太阳能逆变器

· 在线式UPS/工业UPS

· 开关式电源 (SMPS)

· DC-DC转换器

· 储能系统 (ESS)

3、S2M0080120N SIC MOSFET

S2M0080120N是采用SOT-227封装的碳化硅MOSFET功率器件。该产品是一款高电压N型沟道增强型MOSFET，具有极低的总导通损耗，在极端温度下具有稳定的开关特性。S2M0080120N同样非常适合特殊作业环境中的能量敏感型高频应用。

S2M0080120N封装形式

特点概述：

· 正温度特性，易于并联

· 典型低导通电阻，RDS(on)=77毫欧

· 开关速度快，损耗低

· 速度极快、坚固耐用的固有体二极管

· 非亮锡电镀工艺

S2M0080120N额定值和特性曲线

典型应用案例：

· 新能源车快充模块

· 新能源车载充电器

· 太阳能逆变器

· 在线式UPS/工业UPS

· 开关式电源 (SMPS)

· DC-DC转换器

· 储能系统 (ESS)

SMC产品应用于通讯、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等尖端领域。我们始终严格遵守各个行业的可靠性和质量要求，并以卓越的产品质量与稳定的供应能力赢得客户的广泛认可。

除上述产品外，我们的产品线还包含碳化硅肖特基二极管、快恢复和超快恢复二极管、肖特基二极管、TVS阵列、功率模块等等。我们定期优化产品线，提供全面、先进的半导体解决方案。

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