SMC碳化硅MOSFET功率器件，高频高效，稳定可靠

时间： 2024-03-04 来源：SMC（桑德斯微电子公众号）

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

SIC MOSFET,碳化硅MOSFET,碳化硅MOSFET功率器件,高电压N型沟道增强型MOSFET

SMC始终致力于根据客户需求设计和生产半导体产品。我们打造的碳化硅MOSFET功率器件，包括S2M0120120K/D、S2M0160120K/D、S2M0080120N等多种型号，为通讯设备、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等多个尖端领域提供源源不断的创新动力。

1、S2M0120120K/D SIC MOSFET

S2M0120120K/D是一款碳化硅MOSFET功率器件，采用TO-247-4封装 (S2M0120120K) 或 TO-247-3封装 (S2M0120120D)。该产品是一款高电压N型沟道增强型MOSFET，具有极低的总导通损耗，在极端温度下具有稳定的开关特性。S2M0120120K/D器件是特殊作业环境中能量敏感型高频应用的理想之选。

S2M0120120K/D封装形式

特点概述：

· 正温度特性，易于并联

· 典型低导通电阻，RDS(on)=133毫欧

· 开关速度快，损耗低

· 速度极快、坚固耐用的固有体二极管

· 非亮锡电镀工艺

S2M0120120K额定值和特性曲线

典型应用案例：

· 新能源车快充模块

· 新能源车载充电器

· 太阳能逆变器

· 在线式UPS/工业UPS

· 开关式电源 (SMPS)

· DC-DC转换器

· 储能系统 (ESS)

2、S2M0160120K/D SIC MOSFET

S2M0160120K/D是一款碳化硅MOSFET功率器件，S2M0160120K采用TO-247-4封装形式，S2M0160120D采用TO-247-3封装形式。该产品是一款高压N型沟道增强型MOSFET，具有极低的总导通损耗，在极端温度下具有稳定的开关特性。S2M0120120K/D器件是特殊作业环境中能量敏感型高频应用的理想之选。

S2M0160120K封装形式

特点概述：

· 正温度特性，易于并联

· 典型低导通电阻，RDS(on)=175毫欧

· 开关速度快，损耗低

· 速度极快、坚固耐用的固有体二极管

· 非亮锡电镀工艺

S2M0160120K额定值和特性曲线

典型应用案例：

· 新能源车快充模块

· 新能源车载充电器

· 太阳能逆变器

· 在线式UPS/工业UPS

· 开关式电源 (SMPS)

· DC-DC转换器

· 储能系统 (ESS)

3、S2M0080120N SIC MOSFET

S2M0080120N是采用SOT-227封装的碳化硅MOSFET功率器件。该产品是一款高电压N型沟道增强型MOSFET，具有极低的总导通损耗，在极端温度下具有稳定的开关特性。S2M0080120N同样非常适合特殊作业环境中的能量敏感型高频应用。

S2M0080120N封装形式

特点概述：

· 正温度特性，易于并联

· 典型低导通电阻，RDS(on)=77毫欧

· 开关速度快，损耗低

· 速度极快、坚固耐用的固有体二极管

· 非亮锡电镀工艺

S2M0080120N额定值和特性曲线

典型应用案例：

· 新能源车快充模块

· 新能源车载充电器

· 太阳能逆变器

· 在线式UPS/工业UPS

· 开关式电源 (SMPS)

· DC-DC转换器

· 储能系统 (ESS)

SMC产品应用于通讯、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等尖端领域。我们始终严格遵守各个行业的可靠性和质量要求，并以卓越的产品质量与稳定的供应能力赢得客户的广泛认可。

除上述产品外，我们的产品线还包含碳化硅肖特基二极管、快恢复和超快恢复二极管、肖特基二极管、TVS阵列、功率模块等等。我们定期优化产品线，提供全面、先进的半导体解决方案。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由出山转载自SMC（桑德斯微电子公众号），原文标题为:MC产品 | 碳化硅MOSFET，高频高效，更加可靠，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

【元件】扬杰科技新推出用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET，采用开尔文接触，工作温度175℃

扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品，产品均采用开尔文接触，明显减少了开关时间，降低了开关损耗，支持更高频率的应用与动态响应；同时相比插脚器件降低了电路板空间，增加了电路板的集成化，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。

2024-11-26 - 产品

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

2024-10-09 - 产品

【元件】基本半导体新推出Pcore™2汽车级DCM碳化硅MOSFET模块，工作结温高达175℃

汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点，可支持连续运行峰值结温至175℃，以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。

2023-11-27 - 产品代理服务技术支持批量订货

解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)

当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，正在引领着未来能源转型的浪潮。今天，我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson，这个参数的优化，就像是在节能减排的长跑中，为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。

2024-07-11 - 技术探讨

SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%

世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。

2023-04-14 - 活动

瞻芯电子参与编制SiC MOSFET可靠性和动态开关测试标准，助推行业技术共识

为了让测试足够精准和稳定，需要定量的技术规范和测试方法。瞻芯电子结合长期的测试开发经验，参与编制了《SiC MOSFETs动态开关损耗测试方法》标准，以助推行业形成广泛的技术共识，实现有效的溯源和评比。

2024-12-03 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货

碳化硅很好，但为什么碳化硅IGBT很少见？

为什么市场上少有碳化硅IGBT？这和碳化硅的材料特性息息相关。与标准硅材料相比，碳化硅最大的优势是耐高温、耐高压、损耗低，这也使其成为目前高压大功率应用中的半导体材料首选。总的来说，因制备成本太高，且性能过剩，因此碳化硅IGBT在大多数应用场合都“毫无竞争力”。

2024-06-07 - 技术探讨代理服务技术支持批量订货

1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用

1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率，且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时，1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后，终端应用的系统可靠性大大提升，而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。

2024-06-18 - 应用方案

中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。

2024-11-28 - 应用方案

【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

NOVUSEM - 商品及供应商介绍代理服务技术支持批量订货

国基南方加速碳化硅MOSFET技术攻关，建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线

国基南方持续推进碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用，经过集智攻坚，团队建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线，在国内率先突破6英寸碳化硅MOSFET批产技术，形成了成套具有自主知识产权的碳化硅功率产品技术体系。

2024-03-04 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货

派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

派恩杰 - 选型指南代理服务技术支持批量订货

SiC MOSFETs在电动工具中的应用概述及典型拓扑

随着SiC MOSFET宽禁带半导体的出现，其优越的开关性能迅速引起电机驱动界的高度关注。SiC MOSFETs能够将开关损耗降低70%左右，或者在接近3倍的开关频率下达到同样的效率。随着更高的电机驱动频率的实现，电机可以设计成更多的极数，以减少电机的尺寸。这些现象都显示了SiC MOSFETs在高速、高效、高密度电机驱动方面的巨大潜力。

2024-11-18 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行

现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。

2020-12-29 - 器件选型代理服务技术支持批量订货

碳化硅功率半导体在光伏储能领域的应用概述

如今的储能系统被要求处理不常见的高水平电流，并且维持高度的可靠性和稳定性，在必要时，它们还需要快速精准地释放储存的能量，这需要高质量的宽禁带功率半导体。与传统硅器件相比，中瑞宏芯（macrocore semiconductor）的碳化硅MOSFET和Diode具有更高的性能和更低的损耗，同时允许能源系统工程师设计出更轻便的系统，从而降低整体系统尺寸和成本。

2024-11-16 - 应用方案