全球SiC器件供应商汇总

时间： 2024-05-16 来源：鲁晶微信公众号

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随着国家“双碳战略”的推进，新能源产业和电动汽车产业蓬勃发展，产生了对功率转换装置如太阳能逆变器，电动汽车充电桩，车载充电器和马达驱动器等的巨大需求，半导体功率器件是上述各种功率转换装置的核心。而碳化硅（SiC）材料具有耐高温和高压的特点，基于SiC的器件还具有高开关频率和低静态功耗，在高电压和大电流的领域，SiC都被认为是将取代硅成为功率器件的主流材料。

2027年全球SiC功率半导体市场规模有望突破60亿美元。根据Yole统计，2027年全球SiC功率半导体市场规模由2021年的10.90亿美元增至62.97亿美元，2021-2027年每年以34%年均复合增长率快速增长。

第三代半导体材料渗透率逐年提升，2023年有望接近5%。根据Yole统计，Si仍是半导体材料主流，占比95%。第三代半导体渗透率逐年上升，SiC渗透率在2023年有望达到3.75%，GaN渗透率在2023年达到1.0%，第三代半导体渗透率总计4.75%。

图1全球SiC功率半导体市场规模预测（单位：百万美元）（左）和2017-2023年全球主要半导体材料渗透率及预测（右）

碳化硅器件市场是一个非常不错的赛道，最近几年国内外不少厂家都在布局第三代半导体，目前，统计的全球企业一共107家，其中中国大陆有70家，大约占了三分之二。

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罗姆与台积电公司在车载氮化镓功率器件领域建立战略合作伙伴关系

ROHM宣布与台积电公司就车载氮化镓功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。通过该合作关系，双方将致力于将罗姆的氮化镓器件开发技术与台积电公司业界先进的GaN-on-Silicon工艺技术优势结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率元器件日益增长的需求。

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鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务

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2024-01-09 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

瞻芯电子荣获“东方芯港·明日之星”奖，致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化

2017年，瞻芯电子在东方“芯”港这片沃土创立，前瞻性地致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化，现已成长为我国少有的碳化硅(SiC)芯片的垂直整合制造（IDM）企业，累计交付核心产品：碳化硅(SiC)MOSFET约900万颗，驱动芯片约4800万颗，广泛应用于新能源汽车、光伏与储能、充电桩、工业和通信电源等领域。

2024-08-24 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

华润微电子（CRM ICBG）功率器件选型指南

描述- 华润微电子功率器件事业群（Power Device Business Group，简称PDBG）是华润微电子旗下全面负责功率器件设计、研发、制造与销售服务的业务单元。其下设有中低压MOS产品线，高压MOS产品线，IGBT产品线，特种器件产品线和模块产品线。拥有CRMICRO、华晶和IPS三个功率器件自主品牌。

型号- CRSM076N04N2Z,CRXB10D065G2,CRTD080N02U2-G,CRMV0318D,CRTT048N08N,CRG75T60AK3SD,CRTS030N04L,CS4N90FA9HD,CRJL99N65G2,CS630FA9H,CRTS025N04L2-G,CRXQ40D065G2,CS4N80ARHD-G,CS630FA9R,CR7N60A4K,CS55N10AQ3-G,3DG3001A1-H,CS16N06AE-G,CS45N06A3,CRMM4976C,CRTK055N03L2P,CS45N06A4,CRTS150N15N,CS5N20A4,CS5N20A3,CS7N70A4R-G,CRGMF800T120DS1AH,CRJW125N60G2F,CRGMF50T120FSC,CS12N70FA9H,CRG30T65A05SDZ,CS50N20ANR,CRJT99N65G2,2CR60K60AND,CRXQF60M065G1,CRTD370P10L,CRSS056N07N,CR7N60A3K,CS460FA9H,CRGMP40T120DV2A3,CRG75T60AK3H,CRJQ30N60G2F,CRJF550N65G2,D92-02,CRTD055N03L,CS24N60ANR,CRM50TD04R1,CRMM4978C,CRTT056N06N,CS5N60A3H,CS4N65A3R,CRST113N20N,2CR15K120A8C,CRG75T65BK5HD,CRXB20D120G2,CRTT019N03L2-G,CRM50TA04E1,CRTH105N06L,CR2N60A4K,CS10N40A8R,CRMR0410D,CRG 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2024/3/11 - 华润微电子 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

功率器件国产化率仅为 22%，汽车和工业领域的需求旺盛

功率半导体器件，也称为电力电子器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。新能源汽车是功率器件增量需求主要来源。国产替代需求强烈。功率器件国产化率仅为 22%，高端产品国产化率更低。要重视国内厂商的产品品类从低端向高端切换，产品下游应用领域优化以及晶圆产线的升级节奏。

2024-06-28 - 行业资讯代理服务技术支持采购服务

华润微电子SJ MOS和SiC二极管器件满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求

华润微电子针对充电桩、大功率电源等应用开发的的第四代、第五代SJ MOS，采用先进的多层外延技术，优化了元胞结构，具有电流能力强，短路能力好的特点。另外，新材料SiC二极管器件，具有导通损耗小，开关损耗小，抗雷击浪涌能力强的特性，在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。

2024-07-06 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

派恩杰（PN Junction）是一家第三代半导体功率器件设计公司（Fabless模式），致力于碳化硅与氮化镓功率器件的研发迭代与量产转化，主要产品包含碳化硅MOS，碳化硅SBD，氮化镓三极管等。派恩杰获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂及全球Top5封装厂代工支持，实现开模量产与技术升级，成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件，并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS，填补国内技术产业空白。

碳化硅MOS 碳化硅SBD 氮化镓三极管

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碳化硅：第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体，半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

2024-11-11 - 行业资讯代理服务技术支持采购服务

JESTEK（江智）成立于2001年，注册资本：3000 万，主要产品（车规功率 MOS,SJMOS,SIC MOS），（分立器件：二极管，ESD，TVS，三极管），（模拟器件：同步整流），集设计，生产，销售及服务于一体的高新技术型企业，产品种类众多，封装型式齐全，且都有实际上车案列。

车规功率MOS SJ MOS SIC MOS 二极管ESD TVS 三极管同步整流器

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SiC产业技术与产能差距缩小，瑞之辰发挥碳化硅优势

近年来，中国新能源汽车市场发展迅猛。有数据预计2024年中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆，市占率可能超过45%。随着新能源汽车对于能源转换效率、充电效率、续航时间等要求越来越高，推动了对高功率密度、耐高温、耐高压、体积更小等优势的SiC功率硅器件需求的快速增长。随着全球SiC材料产能的快速扩张，预计到2026年全球SiC市场将会出现产能过剩。

2024-10-30 - 行业资讯代理服务技术支持采购服务

芯派科技（SEMIPOWER）成立于2008年，是一家集研发、生产和销售为一体的高新技术企业，同时也是具体第三方认证资质的半导体功率器件CNAS实验室，在上海和韩国设有研发中心、深圳设有销售服务中心、同时还设有台湾办事处和香港进出口业务中心。

MOSFET 低压MOS-Trench MOSFET SGT MOSFET 高压MOS-平面MOSFET 超洁MOSFET 二极管普通整流二极管高效整流二极管快恢复二极管超快恢复二极管肖特基二极管稳压二极管瞬态抑制二极管 ESD二极管开关二极管低正向肖特基二极管小信号肖特基二极管小信号整流二极管整流桥堆桥式整流器快恢复桥式整流器高效桥式整流器肖特基整流桥大功率整流桥电机控制器集成电机控制器低压电机控制器高压电机控制器辅助电机控制器

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高压快充推动碳化硅SiC器件产业化：新能源汽车市场趋势与技术革新

随着全球新能源汽车市场的蓬勃发展，高压快充技术作为新能源汽车补能的主要解决方案，正逐步成为市场主流。凭借多年来在磁性元器件领域中积累的研发技术、生产经验，铭普已形成PFC电感、共模电感、电源变压器、PLC变压器和塑封逆变电感等系列产品矩阵且积极与碳化硅芯片公司合作。

2024-08-10 - 行业资讯代理服务技术支持采购服务

一篇文章综述中国碳化硅（SiC）产业建设进展

第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中碳化硅SiC、氮化镓GaN为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面碳化硅SiC、氮化镓GaN性能更出色。在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体，瑞之辰等从业者认为成本下降有望实现全面替代。

2024-09-30 - 行业资讯代理服务技术支持采购服务

基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南

描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

2024/5/16 - 基本半导体 - 选型指南代理服务技术支持采购服务