汉烯科技高功率石墨烯导热垫HX-GFSG用在IGBT模块散热领域，导热性能优异，安全可靠
一、 IGBT散热应用场景
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高功率半导体器件，在电力电子领域中广泛应用。近年来，随着电力电子往集成化、微型化的方向迈进，IGBT也向高功率、高集成度方向发展。IGBT芯片内部的热量累积痛点日益突出，在结构和性能上对散热的要求越来越高。
图1 IGBT典型散热结构
如图1所示， IGBT主要散热方案为风冷与液冷，将IGBT直接安装在散热器上，IGBT模块的热量通过TIM目前多为导热硅脂，直接传递到散热器的外壳，再通过风冷或液冷强制对流的方式将热量带走。
前段时间接到一客户反馈，最新研发的设备经常因为温度过高进入温度保护。由于项目尾期不可能再更改产品结构和设计，该客户尝试了多种TIM材料均无法满足要求。因为长期良好的合作体验，客户向我们寻求帮助。我们按照使用场景提供了HX-GFSG型号的高功率石墨烯导热垫为其IGBT模块进行散热。经过客户与某品牌的进口硅脂进行多次对比测试，同等条件下最高温度下降了10℃左右。
在解决了客户散热的同时，通过与客户广泛沟通后我们发现，与导热硅脂比较，汉烯的高功率石墨烯导热垫（实物如图3）存在下面三个优势：
1. 导热性能优异，横向大于300W/(m·K)，纵向可达30W/(m·K)
2. 长期安全可靠，洁净安全，无泵出问题，减少维护频次
3. 安装维护便捷，操作简单，无需专业设备工装，降低维护成本
图2 汉烯高功率石墨烯导热垫与导热硅脂比较
图3 汉烯高功率石墨烯导热垫实物
高功率石墨烯导热垫为汉烯科技2022年在国内推出，作为新型高导热的界面材料，在射频、电力电子、芯片测试等领域已得到了广泛应用。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文由出山转载自汉烯科技，原文标题为:高功率石墨烯导热垫在IGBT模块散热领域中的应用，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
HX-GFSG型号高功率石墨烯导热垫助力变频器散热，安全可靠，横向导热系数大于300W/(m·K)
变频器作为一种关键的电力控制设备被广泛应用于各个领域。变频器靠内部 IGBT 的开断来调整输出电源的电压和频率，进而达到节能、调速的目的然而，IGBT 模块在工作过程中会产生大量的热量，如果不能有效地散热，就可能导致设备过热，影响其性能和寿命。高功率石墨烯导热垫在变频器散热领域具有巨大的潜力和应用前景。其出色的导热性能、安全可靠、操作简易和更宽放的适应厚度，为变频器的散热提供了可靠的解决方案。
恩智高精度多通道可编程直流电源用于AFE、射频、激光器芯片测试，电压精度最高可达0.1mV
随着半导体材料和制造工艺的不断升级，小型化、高性能化已成为芯片和器件的重要发展趋势，这意味着芯片的信号采集、处理、功耗等性能将得到持续提升，对于测试装置的精度、稳定性、集成度等重要指标，也提出了更高的标准和要求。本文中恩智测控将为您分享NGI高性能可编程直流电源在AFE、射频、激光器芯片中的应用和相关案例。
AI应用元年到来，突破AI芯片测试挑战
自从2022年OpenAI推出了ChatGPT以来，一系列生成式AI应用程序的应用迅速推动该技术迅猛发展，为其他各个产业的突破创新注入了新的动力。Google、Meta、苹果、三星等高科技公司都纷纷在AI领域持续发力。2024年，文生视频工具——Sora的诞生更是具有划时代的意义。
汉烯科技（HANXI TECH）石墨烯膜材料选型指南
目录- 公司简介 宏观石墨烯散热膜 高功率石墨烯界面材料 宏观石墨烯导电膜
型号- HXGTS-C150,HXGTS-MZ□□□,HXGFS-HT□□□,HXGES-TX□□□,HX-GFSG,HX-GFSG系列,HXGES-17,HXGFS-G100,HXGFS-G500,HXGES-PB□□□,HXGES-JL□□□,HXGFS-G125,HXGES-PB100,HXGFS-G300,HXGFS-G200,HXGES-JL10,HXGTS-C100,HXGTS-C200,HXGTS-HT800,HXGTS-C300,HXGTS-TX100,HXGTS-MZ80,HXGTS-C070,HXGTS-C050,HXGES-25
【材料】汉烯科技国内首创高功率石墨烯导热垫，横向导热系数大于300W/(m·K)，压缩率可超过60%
汉烯高功率石墨烯导热垫为国内首创。依托具有低密度、高导热、高压缩率等优质性能的石墨烯材料为核心，采用包边或者背胶覆膜工艺，制备防掉粉的石墨烯导热垫。作为热界面材料，可很好替换导热硅胶垫、导热硅脂等，为功率半导体、消费电子、航天、雷达功率器件等提供优异的散热解决方案。
无线单兵手持终端，射频芯片部位发热严重，目前是由PCB背面通过0.5mm厚度的导热垫将热量传递至金属外壳，但是会导致外壳温升过高，影响用户体验。想问问贵司有没有石墨片推荐，厚度80μm左右，我们想在结构上做均温设计。
推荐您用道明的CDGD080石墨烯，其厚度80um，横向导热系数大于1450W/mK，规格书：https://www.sekorm.com/doc/3626762.html
中电国基南方（CETC）SiC电力电子器件选型指南
描述- 中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题；申请发明专利超过200多项，其中PCT10项，已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V，电流覆盖2A-150A，产品性能和可靠性满足多种应用需求，已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。
型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B
初学者指南：如何使用RF射频测试座进行射频测试？
欢迎来到欣同达为你带来的初学者指南。在这篇文章，欣同达将一步步教你如何使用RF射频测试座进行射频测试。本文将从多个方面详细阐述如何使用RF射频测试座，包括它的基本概念、准备工作、实际操作步骤、注意事项等多个环节，力求为你提供全面的知识储备。不多说了，备好你的咖啡或茶，让我们开始吧!
【IC】格励微新推出集成隔离电源的三合一隔离放大器GLa3303/3311，专为电力电子、遥测等领域设计
GLW格励微针对电力电子、遥测等领域推出两款集成隔离电源的三合一隔离放大器GLa3303和GLa3311，其中GLa3303可单片实现隔离电流采样，GLa3311可单片实现隔离电压采样；，可单电源工作，具有集成度高、应用简单、体积小、可靠性高的优点。
中电国基南方亮相2024世界半导体大会，全面展示GaN射频功率器件、SiC电力电子器件和模块等产品
2024年6月5日-7日，2024世界半导体大会暨南京国际半导体博览会在南京隆重举办，中电国基南方、55所受邀参展。本次展会上，国基南方、55所围绕射频电子、功率电子、光电显示与探测重点产业板块，全面展示包括GaN射频功率器件、GaAs射频芯片、SOI射频开关、声表滤波器和晶体材料、SiC电力电子器件和模块、微显示OLED器件和AR光学模组、封装外壳等在内的最新技术产品
电子商城
服务
可定制均温板VC最薄0.4mm，有效导热系数超5,000 W / m·K（纯铜(401 W/m·K ，石墨烯1,200 W/m·K）。工作温度范围同时满足低于-250℃和高于2000℃的应用，定制最低要求，项目年采购额大于10万人民币，或采购台套数大于2000套。
提交需求>
提供多种可压缩材料如导热硅胶、散热垫片、各种相变材料以及其他粘合剂和固体试样的材料导热系数测试，给出测试结果及数据解析报告；测试范围：最大加热电流5A；热阻范围：0.01K/W-5K/W。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论