500V/18A N-Channel Power MOSFET CM18N50BTP/F with High Cell Density and High Voltage Planar Technology

时间： 2024-03-08 来源：APM

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N-Channel Power MOSFET,N-Channel enhancement mode power field effect transistors,CM18N50BTP,CM18N50BTF

The CM18N50BTP/F is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors with high cell density, high voltage planar technology. This high density process and design have been optimized switching performance and especially tailored to minimize on-state resistance.

Features

V_DS: 500V

I_D (@V_GS=10V): 18A

R_DSON (@V_GS=10V) : < 0.33Ω

High density cell design for extremely low R_DSON

Excellent on-resistance and DC current capability

Applications

AC/DC load switch

SMPS

LED power

Absolute Maximum Ratings (Tc=25℃ unless otherwise noted)

Electrical Characteristics (Tc=25℃ unless otherwise noted)

Noted:

(1) Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty cycle ≤2%

(2) Pulse width limited by maximum junction temperature

(3) Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch. With 2oz Copper, t≤10s

(4) Drain current limited by maximum junction temperature

The N-Channel Power MOSFET Ordering Information

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型号- SFF2N50,SFX2N50,SFD2N50,SFK2N50