710V/96A N-Channel Super Junction Power MOSFET NCE65NF023T with Ultra-Low RDS(ON), Low Gate Charge and A Rapid Recovery Body Diode

2024-03-06 NCE
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The series of N-Channel MOSFET NCE65NF023T devices use advanced trench gate super junction technology and design to provide ultra-low RDS(ON) and low gate charge with a rapid recovery body diode. This N-Channel Super Junction Power MOSFET fits the industry's AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, industrial power applications, fast charger, new energy vehicle charging pile, on-board OBC, etc.



Features 

New technology for high voltage device

Ultra low on-resistance and ultra low conduction losses

Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements 

Diode reverse recovery speed is super fast 

100% Avalanche Tested and 100% Trr Tested 

High reliability 

ROHS compliant 


Application 

Power factor correction (PFC)

Switched mode power supplies (SMPS) 

Uninterruptible Power Supply (UPS)

On-board charger (OBC)


Absolute Maximum Ratings (TC=25℃)

Thermal Characteristic

Electrical Characteristics (TA=25℃ unless otherwise noted)

Notes: 

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature 

2. Tj=25℃, VDD=50V, VG=10V, RG=25Ω


Package Marking And Ordering Information

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品    发布时间 : 2023-11-07

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