集成快恢复二极管的扩铂工艺VDMOS，可用于高速电吹风筒

时间： 2024-03-07 来源：HI-SEMICON（深鸿盛）微信公众号

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高速吹风机的高转速，主要来自直流三相无刷电机，利用其结构简单、可靠性高、调速性能好、寿命长、无换向火花、输出转矩大、体积小、重量轻的优点，在外观方面高速吹风机也摒弃了传统长风嘴造型，选用短风嘴，马达放置于手柄处，重心下沉式，更加符合人体工学。

传统的吹风机是利用高温去烘干头发为主，过高的温度会让发质受损，而高速吹风机它具备智能温控，内置NTC感温芯片，使其最高温度不会超过57度，并且有些高速吹风机还支持护发精油、负离子等护发功能，能够更好的保护头发。

其次高速吹风机它的重量轻，相比传统吹风机，高速吹风机平衡精度高，实现了电机工作时的低振动，所以整机的体积更小，重量也更轻，更加便于携带。

高速吹风筒拓扑图

扩铂工艺专利技术：

提供具有N型外延层的半导体基片，在所属半导体基片正面制备终端区和元胞区，所属终端区内形成多晶硅与金属场板的复合终端结构，所属终端区将所属元胞区包围在其中。

对所述半导体基片的正面使用聚酰亚胺保护膜进行遮蔽处理，对所述半导体基片的背面进行预处理，去除背面氧化层及损伤层然后制备缓冲区，在缓冲区表面进行扩铂。

在所述半导体基片背面制备N+漏极区以及漏极电流；其中，在铂水改质的所述N-buffer缓冲区中，重建所述N+漏极区，能增加所述N-buffer缓冲区使用寿命。

通过高温将铂扩散进N-buffer缓冲区进行寿命控制。

针对高速吹风筒市场，HI-SEMICON深鸿盛推荐使用该司专利产品——集成快恢复二极管的扩铂工艺VDMOS，其产品优势：

1）新型的横向变掺杂技术；

2）专有的功率MOS结构；

3）超小内阻，结电容适中，散热性能好；

4）高温漏电小，高温电压跌落小；

5）电磁辐射EMI的处理更简单；

6）EAS抗雪崩能力更好。

扩铂工艺VDMOS选型表：

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型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T

2022/11/18 - HI-SEMICON - 选型指南代理服务技术支持批量订货

HI-SEMICON（深鸿盛）场效应管（MOSFET）选型表

目录- 中低压功率MOSFETs 高压功率MOSFETs 超结MOSFETs

型号- SFU6007T,SFP20N65,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFF10N65R,SFD7N70,SFF4N60E,SFQ0320T4,SFM4009T,SFE6001T2,SFP20N60,SFK2N50,SFF60N06,SFM041R8T,SFD60N06,SFD2N50,SFP4N65,SFP33N10,SFP4N65E,SCP60R190C,SFP20N70,SFS3401,SFD4N60E,SFS3400,SFD6005T,SFD7N65E-Y,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SCA60R280C,SFM4N65,SFD1N65,SCP70R360C6,SFD3015T,SGA855R0T,SFP50N06,SCA65R540T,SCF65R640C,SFQ0322T4,SFU4N65E,SFF12N65,SFD6006T,SFD6N70,SGM10HR14T,SFQ0420T4,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3N50-P,SFN3009T,SCD60R360C,SFF6N70,SFU3006T,SCF65R1K15C,SFP9N20,SFF50N06,SFD6007T,SFF3N50-P,SFP10N60,SCF65R380C,SFP7N65E-Y,SCP65R380C,SCP60R280C,SFS4008T2,SFS2300,SFF7N65-Y,SCF60R280C,SFF13N50,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP10N70,SCD65R1K2C,SFM4010T,SFD3N50TS,SFF6007T,SCF80R500C,SCD80R500C,SFF2N50,SFD3012T,SFA3018T,SFF7N65,SCF65R310C,SFF7N65E-Y,SCD70R360C6,SFF6006T,SCK65R1K15C,SFD4N65E,SFF15N10,SFU4N65,SFF7N70,SFD4003T,SFU9N65,SFF6005T,SFD7N65-Y,SCP60R160C,SCA60R190C,SCF80R950C,SFK3N50,SCF55R2K7C,SFF12N65-Y,SFE3007T,SFP3006T,SFD5N50,SGM6005DT,SFF9N20,SGF15N10,SFP60N06,SFS2N10,SCF70R600C6,SFD4001PT5,SFP10N65-Y,SFF3N50,SFM4N65E,SCD65R125C,SCF65R125C,SFD4N70,SFP7N65-Y,SFF5N50TS,SFP6005T,SCP65R125C,SGM031R1T,SCF70R420C,SCD70R420C,SFP12N65-Y,SCP65R540T,SCF60R160C,SFD4N65,SFS2N7002,SFF3N50TS,SFF33N10,SCF70R360C6,SFS2302B,SFS2301B,SFD15N10,SFF20N60,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFS4606T,SFU4003T,SGD15N10,SFF9N50,SFD10N65-J,SFF4N65E,SFD4004PT,SFD9N65,SFF20N70,SFU10N65R,SCD55R2K7C,SFU6003T,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SFF9N65,SFP13N50,SCD70R600C6,SFU7N70,SCD65R380C,SFD5N50TS,SFAP4580,SFF10N60,SCD65R540T,SCP60R360C,SFF4N65,SFM0320T4,SCF65R1K2C,SCP80R500C,SGP855R0T,SFU6005T,SFD10N65R,SFD3N50,SFP12N65,SFU6N70,SFU4N60E,SFF4N70,SFF10N65-Y,SFF9N90,SGU15N10,SFM3011T,SFF16N65,SFP110N55,SFU6006T,SFP18N50,SFU15N10,SFF5N50,SFF10N65-J,SFN6004T5,SFP59N10,SFD9N20,SCF65R240C,SCD65R640C,SFM3012T,SFS5N10S,SFN0250T2,SCD65R1K15C

2022/9/28 - HI-SEMICON - 选型指南代理服务技术支持批量订货

SFX3N80 3A，800V N沟道功率MOSFET

描述- 本资料介绍了SFX3N80型N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用Hi-semic公司专有的F-CellTM结构VDMOS技术制造。该晶体管具有800V的漏源电压和3.0A的漏源电流，适用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H-bridge PWM电机驱动器。

型号- SFX3N80,SFP3N80,SFD3N80,SFU3N80,SFF3N80

2024/3/19 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持批量订货

【技术】VDMOS器件关键参数介绍

本文HI-SEMICON关于VDMOS器件关键参数介绍。VDMOS结构就是P型注入和N+注入后两次扩散形成P型区和N+型区，在硅表面P型区和N+型区之间形成沟道，在栅极加压后沟道开启，电流在沟道内沿表面流动，然后垂直地被漏极收集图中S为源极。

2023-03-16 - 技术探讨代理服务技术支持批量订货

HI-SEMICON高压功率MOSFET选型表

HI-SEMICON提供高压功率MOSFET以下参数选型，VDS[max] (V)：55~1500V，ID[max](25℃) (A)：1~110A

RDS(on)[typ] (@10V) (Ω)

选型表 - HI-SEMICON 立即选型

SFK1N60 1A，600V N沟道MOSFET

描述- 本资料介绍了SFK1N60型号的600V N-Channel MOSFET，该器件采用Hi-semicom专有的F-CellTM结构VDMOS技术制造。该MOSFET具有低导通电阻、优异的开关性能和耐高压脉冲的能力，适用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H-bridge PWM电机驱动器等应用。

型号- SFK1N60

2023/6/6 - HI-SEMICON - 数据手册代理服务技术支持批量订货

SFD5N50TS 5A，500V N沟道功率MOSFET

描述- 本资料介绍了Hi-semincon公司生产的SFD5N50TS型号N-Channel增强型功率场效应晶体管。该晶体管采用Hi-semincon专有的平面条纹VDMOS技术制造，具有500V的漏源电压和5A的漏极电流。主要特性包括低导通电阻和适用于电源因子校正（PFC）、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明电源等应用。

型号- SFD5N50TS

2023/11/15 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 2.0 代理服务技术支持批量订货

SFD5N50L 5A，500V N沟道功率MOSFET

描述- 本资料介绍了Hi-semincon公司生产的SFD5N50L型号N沟道增强型功率场效应晶体管。该晶体管采用Hi-semincon专有的平面条带VDMOS技术制造，具有500V的漏源电压和5A的漏极电流，适用于功率因数校正（PFC）、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明电源等领域。

型号- SFD5N50L

2023/12/21 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持批量订货

SFF10N70 10A，700V N沟道功率MOSFET

描述- 本资料介绍了SFF10N70型号的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。该器件采用Hi-Semicon专有的F-CellTM结构VDMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于AC-DC电源供应器、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。

型号- SFF10N70

2023/7/27 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持批量订货

SFD7N65TS 7A，650V N沟道功率MOSFET

描述- 本资料介绍了Hi-Semicon生产的SFD7N65TS型号650V N-Channel增强型功率场效应晶体管。该器件采用平面条纹VDMOS技术制造，具有650V的漏源电压和7A的电流额定值。主要应用于电源因子校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明等领域。

型号- SFD7N65TS