集成快恢复二极管的扩铂工艺VDMOS，可用于高速电吹风筒

时间： 2024-03-07 来源：HI-SEMICON（深鸿盛）微信公众号

技术问答

高速吹风机的高转速，主要来自直流三相无刷电机，利用其结构简单、可靠性高、调速性能好、寿命长、无换向火花、输出转矩大、体积小、重量轻的优点，在外观方面高速吹风机也摒弃了传统长风嘴造型，选用短风嘴，马达放置于手柄处，重心下沉式，更加符合人体工学。

传统的吹风机是利用高温去烘干头发为主，过高的温度会让发质受损，而高速吹风机它具备智能温控，内置NTC感温芯片，使其最高温度不会超过57度，并且有些高速吹风机还支持护发精油、负离子等护发功能，能够更好的保护头发。

其次高速吹风机它的重量轻，相比传统吹风机，高速吹风机平衡精度高，实现了电机工作时的低振动，所以整机的体积更小，重量也更轻，更加便于携带。

高速吹风筒拓扑图

扩铂工艺专利技术：

提供具有N型外延层的半导体基片，在所属半导体基片正面制备终端区和元胞区，所属终端区内形成多晶硅与金属场板的复合终端结构，所属终端区将所属元胞区包围在其中。

对所述半导体基片的正面使用聚酰亚胺保护膜进行遮蔽处理，对所述半导体基片的背面进行预处理，去除背面氧化层及损伤层然后制备缓冲区，在缓冲区表面进行扩铂。

在所述半导体基片背面制备N+漏极区以及漏极电流；其中，在铂水改质的所述N-buffer缓冲区中，重建所述N+漏极区，能增加所述N-buffer缓冲区使用寿命。

通过高温将铂扩散进N-buffer缓冲区进行寿命控制。

针对高速吹风筒市场，HI-SEMICON深鸿盛推荐使用该司专利产品——集成快恢复二极管的扩铂工艺VDMOS，其产品优势：

1）新型的横向变掺杂技术；

2）专有的功率MOS结构；

3）超小内阻，结电容适中，散热性能好；

4）高温漏电小，高温电压跌落小；

5）电磁辐射EMI的处理更简单；

6）EAS抗雪崩能力更好。

扩铂工艺VDMOS选型表：

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选型指南 - HI-SEMICON - 2022/11/18 PDF 中文下载

HI-SEMICON（深鸿盛）场效应管（MOSFET）选型表

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型号- SFU6007T,SFP20N65,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFF10N65R,SFD7N70,SFF4N60E,SFQ0320T4,SFM4009T,SFE6001T2,SFP20N60,SFK2N50,SFF60N06,SFM041R8T,SFD60N06,SFD2N50,SFP4N65,SFP33N10,SFP4N65E,SCP60R190C,SFP20N70,SFS3401,SFD4N60E,SFS3400,SFD6005T,SFD7N65E-Y,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SCA60R280C,SFM4N65,SFD1N65,SCP70R360C6,SFD3015T,SGA855R0T,SFP50N06,SCA65R540T,SCF65R640C,SFQ0322T4,SFU4N65E,SFF12N65,SFD6006T,SFD6N70,SGM10HR14T,SFQ0420T4,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3N50-P,SFN3009T,SCD60R360C,SFF6N70,SFU3006T,SCF65R1K15C,SFP9N20,SFF50N06,SFD6007T,SFF3N50-P,SFP10N60,SCF65R380C,SFP7N65E-Y,SCP65R380C,SCP60R280C,SFS4008T2,SFS2300,SFF7N65-Y,SCF60R280C,SFF13N50,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP10N70,SCD65R1K2C,SFM4010T,SFD3N50TS,SFF6007T,SCF80R500C,SCD80R500C,SFF2N50,SFD3012T,SFA3018T,SFF7N65,SCF65R310C,SFF7N65E-Y,SCD70R360C6,SFF6006T,SCK65R1K15C,SFD4N65E,SFF15N10,SFU4N65,SFF7N70,SFD4003T,SFU9N65,SFF6005T,SFD7N65-Y,SCP60R160C,SCA60R190C,SCF80R950C,SFK3N50,SCF55R2K7C,SFF12N65-Y,SFE3007T,SFP3006T,SFD5N50,SGM6005DT,SFF9N20,SGF15N10,SFP60N06,SFS2N10,SCF70R600C6,SFD4001PT5,SFP10N65-Y,SFF3N50,SFM4N65E,SCD65R125C,SCF65R125C,SFD4N70,SFP7N65-Y,SFF5N50TS,SFP6005T,SCP65R125C,SGM031R1T,SCF70R420C,SCD70R420C,SFP12N65-Y,SCP65R540T,SCF60R160C,SFD4N65,SFS2N7002,SFF3N50TS,SFF33N10,SCF70R360C6,SFS2302B,SFS2301B,SFD15N10,SFF20N60,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFS4606T,SFU4003T,SGD15N10,SFF9N50,SFD10N65-J,SFF4N65E,SFD4004PT,SFD9N65,SFF20N70,SFU10N65R,SCD55R2K7C,SFU6003T,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SFF9N65,SFP13N50,SCD70R600C6,SFU7N70,SCD65R380C,SFD5N50TS,SFAP4580,SFF10N60,SCD65R540T,SCP60R360C,SFF4N65,SFM0320T4,SCF65R1K2C,SCP80R500C,SGP855R0T,SFU6005T,SFD10N65R,SFD3N50,SFP12N65,SFU6N70,SFU4N60E,SFF4N70,SFF10N65-Y,SFF9N90,SGU15N10,SFM3011T,SFF16N65,SFP110N55,SFU6006T,SFP18N50,SFU15N10,SFF5N50,SFF10N65-J,SFN6004T5,SFP59N10,SFD9N20,SCF65R240C,SCD65R640C,SFM3012T,SFS5N10S,SFN0250T2,SCD65R1K15C

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COOLMOS Learning project

For conventional VDMOS device structure, the contradictory relationship between Rdson and BV should be improved by reducing EPI parameter concentration. However, the epitaxial layer is a channel for forward current flow. When EPI parameter concentration is reduced, the resistance must be increased and Rdson will be increased. Rdson directly determines the loss of MOSFET monomer. Therefore, for ordinary VDMOS, the contradiction between the two is irreconcilable, which is the limitation of conventional VDMOS.

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