高特GESD5B284JDO四通道静电防护器件，专为PD3.1 USB-C接口静电防护而精心打造

时间： 2024-03-06 来源：高特

技术问答

1、序言

PD USB-C接口的快速发展，对静电防护器件提出了更高的要求。高特电子全新推出的GESD5B284JDO 四通道静电防护器件，专为PD3.1 USB-C接口静电防护而精心打造，为您的设备提供全方位的静电防护。

2、GESD5B284JDO产品介绍

GESD5B284JDO 采用 DFN2510 封装外形，体积仅为 2.5*1.0*0.5(mm)，其独特之处在于并列集成了四个静电防护通道，5V双向和28V单向的双通道设计，直通式精准对位防护 PD USB-C 接口的 D+和 D-以及 CC 信号线。这种精妙的设计，不仅可以为 USB-C 的 D+、D-、CC1、CC2 等信号通道提供全方位的静电防护，还极大地简化了信号线在 PCB 上的走线布局。

同时，集成式设计降低了器件成本，减少了 SMT 贴片次数，实现了更高的性价比。选择 GESD5B284JDO，就是选择卓越的静电防护！

应 PD3.1 28V 档位需求，GESD5B284JDO 一站式提供两路 5V 和两路 28V 工作电压，具有出色的低容值和快速响应时间，可确保静电能量快速泄放，保护设备免受静电干扰和损坏。同时，GESD5B284JDO 还具有极低的漏电流和高可靠性。直通式的布线方式，使得 GESD5B284JDO 可以最大程度地靠近 USB-C 接口放置，大大缩短了 ESD 防护器件与被防护线路及地线之间的回路，从而减少了静电自感耦合到其它邻近线路上的机会，很大程度提升了整机系统的抗静电能力。

GESD5B584JDO 专为 PD3.1 USB-C 接口静电防护而精心打造，选择高特 GESD5B584JDO 静电防护器件，让您的 PD3.1 设备在面对静电威胁时无所畏惧，为您的电子产品保驾护航！

3、高特技术支持

1) 高特可针对用户的实际需求提供静电和浪涌防护的整体解决方案；

2) 高特可免费为用户提供 PD 快充抗静电和浪涌的测试及整改服务；

3) 高特可依据用户实际应用中的特别需求进行 ESD 防护器件定向化开发。

高特微电子提供 200 多款从单通道到多通道的 ESD 防护器件，整体外形尺寸小至 0.6*0.3* 0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖 2.5V~36V，电容值低至 0.2pF，为电子产品的各类通信接口，如 USB、HDMI、LVDS、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、RF 天线和GPIO 等提供多元化的 ESD 防护方案。

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【元件】高特GESD5B284JDO四通道静电防护器件震撼发布！专为 PD3.1 USB-C接口静电防护而精心打造！

PD USB-C接口的快速发展，对静电防护器件提出了更高的要求。高特电子全新推出的GESD5B284JDO四通道静电防护器件，专为PD3.1 USB-C接口静电防护而精心打造，为您的设备提供全方位的静电防护。

产品发布时间 : 2024-03-06

国产超低VF肖特基二极管30V 100mA 低功耗器件RB521M9-30, 封装SOD-923

高特微电子的LOW VF肖特基二极管（低功耗器件）RB521M9-30是一种低功耗、超高速半导体器件，用于能承受较大的正向电流和较高的反向电压，性能较稳定。其工作电压为30V，最大正向导通电流为100mA，在20mA电流下VF值低至0.4V，工作电压30V下，仅有50μA的漏电电流，采用SOD-923的小型封装，封装尺寸为1.0*0.6*0.42mm，不含卤素。

产品发布时间 : 2023-11-17

高特微电子SS22B超低VF肖特基二极管采用SMB小型封装，具有极高的稳定性，适用于便携式电子设备

SS22B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在20V工作电压下，最大正向导通电流可达2A，尤其在2A电流条件下VF值仅为0.55V，展示了其优秀的节能特性。

产品发布时间 : 2024-05-14

【应用】国产四通道TVS阵列用于10G以太网接口静电防护，电容值仅为0.2pF

本方案推荐国产品牌高特的ESD保护器件GESD0524SP用于10Gbps以太网接口，封装为DFN2510，这是一个四通道TVS阵列，电容值仅为0.2pF（典型值），可以应用于高速信号。它的ESD保护功能在接触模式下高达±20kV，在空气模式下高达±25KV。

应用方案发布时间 : 2020-12-15

【选型】国产四通道TVS阵列GESD3324P用于视频处理器HDMI端口ESD防护，典型容值低至0.4pF

为避免视频处理器HDMI端口因静电影响造成传输的数据丢失或相关敏感电子器件被打死，可选择多通道低容值TVS阵列对I/O通信每个通道做下ESD防护，推荐高特（GoalTop）四通道TVS阵列GESD3324P，采用DFN2510封装，典型I/O对地电容低至0.4pF。

器件选型发布时间 : 2022-02-17

【应用】国产四通道TVS阵列用于地铁故障记录仪HDMI端口ESD防护，最大容值0.5pF，接触放电能力±20kV

为避免地铁设备故障记录仪HDMI端口因静电影响造成传输的数据丢失或相关敏感电子器件被打死，推荐高特四通道TVS阵列GESD0524P，最大I/O对地电容低至0.5pF，DFN2510封装，走线采用“直通型”设计结构，可保障信号完整性、减少电压过冲并简化印刷电路板设计。

应用方案发布时间 : 2021-01-30

高特微电子SS520BF：200V高压下仍具备极高稳定性的可靠肖特基二极管

SS520BF是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在200V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在200V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-11-04

超低VF肖特基二极管SS24B性能稳定，尺寸小巧，不含卤素，专为处理大电流和高压场景而设计

SS24B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在40V工作电压下，最大正向导通电流可达2A，尤其在2A电流条件下VF值仅为0.55V，展示了其优秀的节能特性。

产品发布时间 : 2024-05-14

100V 2A SMA封装超低VF肖特基二极管SS210，为电子设备带来更优能效

SS210是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在100V工作电压下，最大正向导通电流可达2A，尤其在2A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在100V高压环境下，其漏电电流也仅有0.3mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-04-09

高特微电子SS515BF肖特基二极管：150V高压环境下，其漏电电流仅1mA

SS515BF是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在150V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在150V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-11-04

国产肖特基二极管SS115，150V 1A，SMA封装，低功耗，超低VF，尽显实力！

由高特微电子公司推出的超低VF肖特基二极管SS115，具有超高速、稳定性能，可承受较大的正向电流和较高的反向电压。这款低功耗器件的最大工作电压为150V，正向导通电流可达1A。在1A电流下，它的VF值低至仅有0.9V，极低的引线电压降使得功耗更低，极大提高了电路效率。此外，LOW VF肖特基二极管SS115在150V工作电压下，仅有0.1mA的漏电电流，保证了电路的稳定性和安全性。

产品发布时间 : 2024-03-27

SS320BF肖特基二极管：小尺寸蕴含的强大电子力量

SS320BF是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在200V工作电压下，最大正向导通电流可达3A，尤其在3A电流条件下VF值仅为0.95V，展示了其优秀的节能特性。

产品发布时间 : 2024-08-06

高特微电子LOW VF肖特基二极管SS512BF，专为处理大电流和高压场景而设计

SS512BF是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在120V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在120V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-11-04