N+P互补的沟道MOSFET SLP170C04D，具有出色的RDS(on)和低栅极电荷

时间： 2024-05-29 来源：SLKOR（萨科微）官网

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随着科技的不断进步，半导体行业作为现代电子设备的核心，正扮演着愈发重要的角色。在这个领域中，萨科微半导体公司一直致力于技术创新和产品研发，为行业发展注入新的活力和动力。今天要介绍的低压MOS管产品SLP170C04D，展现了先进的设计理念和高性能特点，为多种应用领域带来了全新的可能性。

SLP170C04D是一款N+P互补的沟道MOSFET，采用了先进的沟槽技术和设计，为用户提供了出色的R_DS(on)和低栅极电荷。这款产品具有40V的漏源电压、10A的连续漏极电流，以及17mΩ@10V,10A的导通电阻等参数，适用于多种应用场景。

萨科微半导体场效应管SLP170C04D产品图

该产品的特点包括栅极电荷低、绿色设备可用、先进的高细胞密度沟槽技术等。通过实现超低的Roslow和优良的封装设计，SLP170C04D不仅具有卓越的性能表现，而且散热效果良好，能够满足各种苛刻的工作环境需求。

SLP170C04D广泛应用于电源开关、电机控制等领域，为各种电子设备的稳定运行提供了可靠支持。无论是在工业自动化、电力电子、汽车电子还是通信设备等领域，其低栅极电荷、超低的R_DS(on)以及良好的散热性能，使得这款产品能够在复杂和苛刻的工作环境下表现出色。其优秀的性能和可靠性使得它成为众多行业用户热衷的产品之一，为用户带来了便利和效益。

萨科微半导体场效应管SLP170C04D

总的来说，萨科微在半导体领域的发展前景将更加广阔，其不断推出的创新产品如SLP170C04D将为行业发展注入新的活力和动力。作为一家致力于技术创新和产品质量的企业，萨科微将继续引领半导体行业的发展，为用户提供更加优质的产品和服务，助力电子科技的不断进步与发展。

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