封装基板“进化”过程
第一代是陶瓷封装。将裸露的半导体芯片安装在陶瓷基板上并密封。第二代是塑料封装,将裸芯片安装在引线框架(金属板)的芯片焊盘上并用模制树脂密封。20 世纪 80 年代,出现了从陶瓷封装到塑料封装的代际转变。在塑料封装中,芯片焊盘取代了基板。也可以说是无板的。
20世纪90年代,塑料封装发生了重大变化。第三代封装技术,也称为面阵式,已经出现并开始流行。裸芯片安装在树脂基板上,并且基板的裸芯片侧(上侧或表面侧)用模制树脂密封。焊球的外部电极以二维矩阵排列在电路板的另一侧(底部或背面)。典型的封装是塑料 BGA(球栅阵列)。
第二代和第三代的外部电极布局有显著不同。在第二代中,外部电极在封装体的侧面或背面成排排列。它被称为内联(对于插入安装型)或轮廓(对于表面安装型)。外部电极通常像细长引脚(也称为外引线)一样从封装体的侧面突出。
第三代,外部电极不再是引脚,而是呈二维正方形或交错矩阵排列的球形电极(通常为球形焊球称为“焊球”)。当然,电极密度(面积密度)相比第二代有了很大的提高。换句话说,即使外部电极的数量相同,第三代的封装体也比第二代的封装体小,并且在封装体尺寸相同的情况下,可容纳的外部电极的数量显著增加。
最近,已经开发出一种结构,其中多个裸芯片安装在称为“中介层”的子板上,并且使用凸块将配备有外部电极的主板(封装板)连接至中间板。用于高性能多芯片封装。为了方便起见,这被称为“第四代”。中介层的材料通常是硅SiC。
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