【IC】 新电元推出High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC MF2007SW,用于防止极性反接和反向电流

2024-03-08 Shindengen(新电元)官网
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新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相比,可实现小型化和高速响应。

概要

以近年来的汽车为例,随着电子设备的功能强化、功能集成和多功能化,功耗也不断增加。

以往ECU输入部分的极性反接保护和反向电流防止用元件使用二极管,但电流增加导致二极管的功耗和发热增加,会对设备的散热要求和小型化造成影响。因此,通过IC与MOSFET的组合实现整流功能,并且可以降低功耗、抑制发热和实现小型化的“理想二极管”的需求正在不断增加。


为了满足这样的需求,本公司推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,与传统二极管相比可降低约72%的功耗和约51%的温升※1

由此为车载产品等需要反向连接和反向电流保护的设备和输出并联使用用途的小型化和降低功耗做贡献。

另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用※2。与传统的机械式继电器相比,可将响应时间缩短至约1/1000,并可减少约96%的贴装面积,有助于实现小型化和高速响应。


※1 与本公司Nch-MOSFET“P24LF4QNK”组合时

※2 作为半导体继电器使用时,请将本产品的REV端子(7号端子)连接至GND


特长

降低功耗

作为理想二极管使用时※1,与传统二极管※3相比,可降低约72%的功耗。

※1 与本公司Nch-MOSFET“P24LF4QNK”组合时

※3 使用本公司SBD“D30FDC4S”时


抑制温升

作为理想二极管使用时※1,与传统二极管※3相比,可抑制约51%的温升。

※1 与本公司Nch-MOSFET“P24LF4QNK”组合时

※3 使用本公司SBD“D30FDC4S”时


高速响应

作为半导体继电器使用时※2,对ON/OFF信号的动作响应速度快,与机械式继电器相比,可实现ON时响应时间缩短至约1/20,OFF时响应时间缩短至1/1000左右。

※2 作为半导体继电器使用时,请将本产品的REV端子(7号端子)连接至GND



可靠的ON/OFF

机械式继电器在ON/OFF时会发生细微振动,而半导体继电器不会发生※4

※4 根据条件不同,有时可能会发生振动。


贴装面积减少

作为半导体继电器使用时※2,与机械式继电器相比,可减少约96%的贴装面积。

※2 作为半导体继电器使用时,请将本产品的REV端子(7号端子)连接至GND。



其他特点

  • 将外接Nch-MOSFET的VDS电压差转换为电流输出
    (从IDET端子供应灌/拉电流)

  • 符合车载可靠性标准AEC-Q100


用途示例

  • ADAS

  • 各种车载ECU

  • CNC

  • 定序器

  • 需要ORing的设备输入与输出部分


方框图



产品规格



生产工厂

株式会社東根新電元以及其他


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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  • 崇乾 Lv8. 研究员 2024-03-21
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