【选型】光伏逆变系统推荐N沟道SiC功率MOSFET WM1A040120K，内阻仅40mΩ

时间： 2020-06-26 来源：世强

技术问答

目前大多太阳能发电系统采用传统硅工艺的功率器件，硅功率器件的能量转换密度不够高，频率响应有限，较难满足系统设备更小化、功率密度更高化的需求。而SiC产品拥有低开关损耗和导通损耗的优势，给光伏产业的发展提供了新的方向。以光伏逆变系统中SiC MOSFET选型需求参考如下：

1、1000V系统，需要耐压1200V以上的MOS；

2、系统工作频率提升，需要尽量小的开关损耗；

3、工作电流较大，需要低导通电阻；

根据如上需求，光伏逆变系统中推荐中电国基南方的N沟道SiC功率MOSFET，相比传统Si器件开关损耗和导通损耗有明显优势。SiC实现了传统半导体（Si）实现不了的低损耗，尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电器特性，也能够大幅度提高电器设备的整体效率。

图1——SiC和Si开关波形对比

图2——SiC和Si导通电阻对比

中电国基南方1200V产品，如WM1A040120K，TO-247封装，内阻仅40mΩ，能够很好满足高压DC/DC系统的使用需求。

图3——中电国基南方SiC MOSFET系列产品

中电国基南方的N沟道SiC功率MOSFET应用上还有其他优势：

1、导通态电阻在结温下具有更好的正系数，这使得SiC MOSFET可以在多个器件并联时获得更好的散热效果；

2、使用SiC MOS，开关频率可以得到提升，电感的尺寸可以减小，系统发热也会减少，产品的设计难度也会大大降低，整体设计成本也会降低。

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【选型】中电国基南方SiC电力电子器件（SiC MOSFET/SiC SBD）选型指南（英文）

目录- Company profile SIC MOSFET/SIC SBD Introduction SIC MOSFET SIC SBD

型号- WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A015065J,WS3A010170A,WM1A080170K,WS3A003065J,WM1A080170L,WS3A008120E,WS4A002065WB,WM1A280120N,WS3A008120A,WM1A280120K,WS3A030120K,WS4A008065A,WS3A030120D,WM1A025120K,WM1A025120L,WS3A008120J,WS3A060120K,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WS4A012065A,WS4A004065E,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A005120E,WS3A003120E,WS3A020120J,WM1A045170K,WM1A045170L,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120A,WS3A010065J,WM1A045170B,WS4A002065A,WS4A006065E,WM1A080120B,WS3A002330D,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A010065A,WS3A016120K,WM1A080120N,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A003120J,WS3A012065J,WS3A012065K,WS3A008065A,WM2A025120B,WS3A008065J,WS4A004065A,WS3A004065A,WS3A012065F,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A005170A,WS3A012065A,WS3A020065J,WM1A120065K,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A006065E,WS4A012065WB,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WM1A120065N,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS3A010065E,WS3A002065J,WS3A025650B,WS3A006065A,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS4A008065WB,WS3A010065A,WS3A001330D,WS3A020065K,WS3A012120K,WS4A010065WB,WM1A017065L,WM1A017065K,WS3A004065J,WS3A030330K,WM2A030065B,WM2A060065B,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WM1A060065L,WM1A060065K,WM1A060065N,WMXAXXXXXX0,WM1A01K170N,WM1A040120L,WM1A040120K,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120E,WM1A01K170K,WS3A006120J,WS3A015065A,WS3A015065D,WM1A160120B,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WM1A160120N,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WM2A120065B,WM1A160120K,WS3A040120K,WS3A010120A,WM1A040120B,WS3A030065A,WS3A005330D,WS4A020065K,WS3A030065J,WS4A006065WB,WS3A030065K,WS4A016065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K

选型指南 - 中电国基南方 PDF 英文下载

【产品】35.5A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A080120B/K

WM1A080120B、WM1A080120K是中电国基南方的35.5A/1200V N沟道SiC功率MOSFET，漏源通态电阻80 mΩ，工作结温最高可达175℃。WM1A080120B晶片尺寸为3.0×4.5 mm²，WM1A080120K采用TO-247-3封装。两款产品具有阻断电压高、导通电阻低，电容低、能高速开关等特点，并且易于并联使用，驱动简单。

新产品发布时间 : 2020-06-20