IGBT的构成和功能

2024-03-11 凌讯微电子
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。


IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。


IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见。


凌讯微电子是一家专注功率半导体器件研发、封装测试、销售于一体的国家高新技术企业,致力于成为卓越的功率半导体器件制造商,助力功率半导体核心器件国产化,能够为客户提供高质量,高可靠性的功率器件产品及全方位的技术支持,现有肖特基、LowVF肖特基、快恢复、高压MOS、中低压MOS、超结MOS、IGBT单管及SiC(碳化硅)二极管等主力产品线,产品广泛应用于各类电源适匹器、LED照明、无刷马达,锂电管理,逆变等领域。

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