20V/2.3A的N沟道MOS管WNM2021，导通电阻仅为0.058Ω，具有0.95V的低阈值电压

时间： 2024-05-27 来源：SLKOR（萨科微）官网

技术问答

近年来，随着电子设备的普及和多样化需求的增长，半导体器件作为电子产品的核心组成部分，发挥着越来越重要的作用。在这个领域中，萨科微半导体以其先进的技术和丰富的产品线，不断推出具有卓越性能的半导体器件，为各行各业的电子设备提供了稳定高效的解决方案。其中，低压MOS管 WNM2021作为其重要产品之一，凭借其优异的性能参数和广泛的应用领域，正逐渐成为半导体领域的亮点之一。

萨科微半导体场效应管WNM2021产品图

WNM2021是一款N沟道MOS管，具有以下关键参数：

·漏源电压（V_dss）：20V

·连续漏极电流（I_d）：2.3A

·导通电阻（R_DS(on)@V_gs,I_d）：0.058Ω@4.5V,2A

·阈值电压（V_gs(th)@I_d）：0.95V@250μA

·封装：SOT-323

这些参数表明了WNM2021在低压、高效率和可靠性方面的卓越表现。其低导通电阻和适中的漏源电压与连续漏极电流使其成为各种电子设备中理想的功率开关元件。此外，低阈值电压确保了在低功率条件下依然能够可靠工作，为系统的稳定性提供了保障。

萨科微半导体场效应管WNM2021

WNM2021具有以下显著特点。低导通电阻：导通电阻仅为0.058Ω@4.5V,2A，有效降低了功耗和热量，提高了效率。适中的漏源电压和连续漏极电流：在20V的漏源电压和2.3A的漏极电流条件下，WNM2021能够稳定可靠地工作，满足各种应用需求。低阈值电压：具有0.95V@250μA的低阈值电压，可实现较低的门控电压，提高了开关性能和响应速度。

萨科微半导体场效应管WNM2021

WNM2021在众多领域展现出了广泛的应用前景，特别是在便携式设备负载开关和DC/DC转换器方面。在便携设备上，它可用于负载开关，实现对电路的灵活控制和保护，提高设备的可靠性和安全性。而在DC/DC转换器中，WNM2021能有效地将输入电压转换为所需输出电压，为电子设备提供稳定的电源支持。

作为萨科微SLKOR产品线中的重要组成部分，WNM2021不仅展现出卓越的性能表现，还具备广泛的应用前景。其低导通电阻、适中的漏源电压和连续漏极电流，以及低阈值电压，使其成为各种电子设备中不可或缺的关键组件，为创新应用和能源管理提供稳定可靠的支持。随着技术的不断发展和市场的需求不断壮大，萨科微半导体将继续推出更多的产品，为半导体领域带来更多的创新和发展机遇。

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