数据中心能效比提升的棘手问题，谁来解决？

时间： 2024-03-11 来源：森国科

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碳化硅功率器件、SiC MOSFET和SiC模块在数据中心的应用中主要集中在提高电源效率、增加功率密度、发展UPS应用以及推动数据中心绿色化等方面，为服务器电源、UPS（不间断电源）和其他关键基础架构带来创新。森国科目前的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET和模块产品均可支持送样。

随着AI、云计算和大数据的迅猛发展，数据中心对能效比（PUE）的要求越来越高，这对电源系统的效率提出了更严格的挑战。碳化硅器件在服务器电源中的应用可以有效减少能量损耗，实现更高的效率。相比传统的硅（Si）器件，碳化硅二极管和MOSFET在高频、高电压运作时具有更低的损耗，从而提供更紧凑、高效的电源解决方案。此外，碳化硅的特性也有助于降低数据中心冷却系统的能耗。由于其在高温下稳定运行的能力，可以减少冷却需求，进而降低整体能源消耗，有益于缩减运营成本和增强数据中心的可持续性。

碳化硅产品在数据中心中的应用，有助于提升数据中心的整体性能和能源效率，同时促进产业的可持续发展。具体可从以下几个方面开始了解：

1、服务器电源效率提升：SiC材料用于服务器电源中的二极管和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），可以显著提高电源的效率。由于碳化硅具有极小的反向恢复损耗，它在功率因数校正（PFC）电路中替代了传统的Si二极管，从而提高了PFC的效率。

2、功率密度提高：随着碳化硅MOSFET技术的成熟和可靠性提高，服务器电源设计中开始采用碳化硅MOSFET替代硅MOSFET。这样做可以在使用较少元件的情况下实现较高的功率密度，从而使得电源设计更加紧凑高效。

3、数据中心UPS应用发展：碳化硅器件的使用也在数据中心不间断电源（UPS）中得到应用，有助于实现数据中心的绿色化和低碳化发展目标。高速高压的碳化硅MOSFET的应用将彻底改变数据中心UPS的应用发展，提高整体效率和功率性能。

4、节能减排：数据中心作为大型的能源消耗者，其能效比（PUE）是衡量其绿色程度的重要指标。采用碳化硅器件可以有效降低能耗，减少散热需求，进而降低数据中心的整体碳排放，符合全球节能减排的趋势。

5、产业链合作：随着碳化硅技术的发展，产业链上下游企业加强了交流合作，推动了碳化硅半导体在数据中心等领域的应用研究和产业化进展。

未来，随着碳化硅材料生产成本的进一步降低和制造工艺的持续改进，其在数据中心的应用前景将更加广阔。产业链的合作加深与技术创新的推进，将使得碳化硅器件更广泛地应用于数据中心的各个环节，不仅提高效能，还助力于推动整个行业向绿色、低碳方向发展。因此，碳化硅在数据中心中的应用前景非常明朗，预计将成为推动下一代数据中心发展的重要力量。

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美浦森半导体超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表

目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC Diode SIC MOSFET

型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G

选型指南 - 美浦森 - REV.01 - 2021 PDF 英文下载

基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南（中英文）

描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等全产业链，推出通过 AEC-Q101 可靠性测试的碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的 1200V 碳化硅 MOSFET 以及汽车级全碳化硅功率模块等系列产品。Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., the leading enterprise of Wide-band Gap semiconductor industry in China.BASiC master the global advanced core technology of SiC. The R&D fields cover the whole industrial chain of SiC power devices.

型号- BC1D12065,B1D30065HC,B1D16120HC,B1D04065KF,B1D15065K,B2D15065K,BC1M018120,B1D03120E,BMF450R08PC4,B2D40065HC,BC1D06065,BMS600R12HWC4,B1D10065K,B1D10065H,B1D10065E,B1D10065F,B2D20065TF,BMF400R12MCC4,BC1D05120,BMF600R12PC4,B1M018120HK,B1D12065K,B1D06065KF,B1M018120HC,B2D30120HC1,BC1D02120,BMS400R12HWC4,B1D06065KS,B2D20065K,B1D20065K,B1D16065HC,B2D20065F,B2D20065H,BC1D08065,B1D05120E,B1D20065HC,B1D05120K,B1M160120HC,B2D08065KS,BMF600R12MCC4,B1D08065K,B2D08065K,BMS700R08HWC4,B1D08065E,B1D10120HC,B1D02120E,BC1D10120,B1M032120HK,B1D08065F,B2D10065KS,BC1D02065,B1D02120K,B1D40120HC,B2D04065K1,B1D20120K,B2D20120HC,B1D20120H,B1M080120HC,B1D10065KF,B1D06065K,B1D08065KS,B1M080120HK,BMF400R12PC4,B1D06065F,BMF700R08PC4,B1D04065E,BC1D15120,B1D06065E,1CD0214T17-XXYY,B1D04065K,BC1D20065,BMS450R08HWC4,B1D08065KF,BC1M032120,BC1M080120,B1D02065E,BC1D10065,B2D20120HC1,B1D10065KS,B1D20120HC,B1D02065K,BC1D04065,B2D06065Q,B2D06065K,B2D10065Q,B2D04065D,B1D10120K,BC1D15065,B2D06065E,B2D10065K,B1D30120HC,B1D10120H,B1D10120E,B2D10065F,B1M032120HC,B2D10065K1,BC1D20120,B2D04065V,BC1M160120

选型指南 - 基本半导体 - 2022/3/7 PDF 中英文下载

【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感，爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM

2024年8月28日，亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开，爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计，内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。

产品发布时间 : 2024-08-29

深圳市森国科科技股份有限公司（SGKS）是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT、SJMOS，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区深圳湾生态科技园10A栋，在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。

SIC功率器件碳化硅二极管碳化硅MOSFET SiC二极管模块 SiC MOSFET模块

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G2M016120N Silicon Carbide MOSFET

型号- G2M016120N

数据手册 - 泰科天润 - Rev. X.0 - 2024/7/15 PDF 英文下载

派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

选型指南 - 派恩杰 PDF 中文下载

【产品】国产低反向漏电流的碳化硅肖特基二极管DD06500010J，适用于工业电源、数据中心

顶诺微推出的碳化硅肖特基二极管DD06500010J，重复反向峰值电压和冲击反向峰值电压均为650V，有低正向偏压（VF）、正温度系数、零正/反向恢复电流等特性，可应用于工业电源和开关电源等领域。

产品发布时间 : 2022-05-18

KS50120-C2碳化硅二极管用于三相逆变器，具有更低的正向压降和更高的开关速度

在电力电子领域，随着技术进步和能效要求的提高，新型半导体材料碳化硅（SiC）因其卓越的性能而越来越受到关注。尤其是在高功率应用中，碳化硅二极管被广泛应用于三相逆变器中，表现出其独特的优势。5000W三相逆变器采用碳化硅二极管的优势、应用情况及其对行业的影响。森国科作为领先的国产化半导体供应商目前可以提供80多种型号的二极管产品，其中1200V、60A的二极管可适用于三相逆变器中。

应用方案发布时间 : 2024-08-20