数据中心能效比提升的棘手问题,谁来解决?
碳化硅功率器件、SiC MOSFET和SiC模块在数据中心的应用中主要集中在提高电源效率、增加功率密度、发展UPS应用以及推动数据中心绿色化等方面,为服务器电源、UPS(不间断电源)和其他关键基础架构带来创新。森国科目前的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET和模块产品均可支持送样。
随着AI、云计算和大数据的迅猛发展,数据中心对能效比(PUE)的要求越来越高,这对电源系统的效率提出了更严格的挑战。碳化硅器件在服务器电源中的应用可以有效减少能量损耗,实现更高的效率。相比传统的硅(Si)器件,碳化硅二极管和MOSFET在高频、高电压运作时具有更低的损耗,从而提供更紧凑、高效的电源解决方案。此外,碳化硅的特性也有助于降低数据中心冷却系统的能耗。由于其在高温下稳定运行的能力,可以减少冷却需求,进而降低整体能源消耗,有益于缩减运营成本和增强数据中心的可持续性。
碳化硅产品在数据中心中的应用,有助于提升数据中心的整体性能和能源效率,同时促进产业的可持续发展。具体可从以下几个方面开始了解:
1、服务器电源效率提升:SiC材料用于服务器电源中的二极管和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),可以显著提高电源的效率。由于碳化硅具有极小的反向恢复损耗,它在功率因数校正(PFC)电路中替代了传统的Si二极管,从而提高了PFC的效率。
2、功率密度提高:随着碳化硅MOSFET技术的成熟和可靠性提高,服务器电源设计中开始采用碳化硅MOSFET替代硅MOSFET。这样做可以在使用较少元件的情况下实现较高的功率密度,从而使得电源设计更加紧凑高效。
3、数据中心UPS应用发展:碳化硅器件的使用也在数据中心不间断电源(UPS)中得到应用,有助于实现数据中心的绿色化和低碳化发展目标。高速高压的碳化硅MOSFET的应用将彻底改变数据中心UPS的应用发展,提高整体效率和功率性能。
4、节能减排:数据中心作为大型的能源消耗者,其能效比(PUE)是衡量其绿色程度的重要指标。采用碳化硅器件可以有效降低能耗,减少散热需求,进而降低数据中心的整体碳排放,符合全球节能减排的趋势。
5、产业链合作:随着碳化硅技术的发展,产业链上下游企业加强了交流合作,推动了碳化硅半导体在数据中心等领域的应用研究和产业化进展。
未来,随着碳化硅材料生产成本的进一步降低和制造工艺的持续改进,其在数据中心的应用前景将更加广阔。产业链的合作加深与技术创新的推进,将使得碳化硅器件更广泛地应用于数据中心的各个环节,不仅提高效能,还助力于推动整个行业向绿色、低碳方向发展。因此,碳化硅在数据中心中的应用前景非常明朗,预计将成为推动下一代数据中心发展的重要力量。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由出山转载自森国科,原文标题为:数据中心能效比提升的棘手问题,谁来解决?,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【技术】一文介绍芯众享碳化硅和氮化镓器件在服务器电源上的应用
碳化硅在服务器电源中率先得到应用。得益于碳化硅极小的反向恢复损耗,碳化硅二极管较早便取代了PFC中的硅二极管,立竿见影的提高了PFC的效率。随着碳化硅MOSFET技术的成熟和可靠性的提高,又出现了采用碳化硅MOSFET取代硅MOSFET的设计。
技术探讨 发布时间 : 2023-08-14
【技术】一文介绍芯众享碳化硅器件在UPS中的应用
在数据中心供电系统中,模块化UPS由于体积小,功率密度大,便于扩展和维护,近年来得到越来越多的关注。而随着第三代半导体材料的蓬勃发展,特别是碳化硅二极管,由于其反向恢复电流小,反向恢复时间短,应用于模块化UPS中,可以提高UPS整机效率,满足IDC对PUE的要求。
技术探讨 发布时间 : 2023-08-14
美浦森半导体 超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表
目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC Diode SIC MOSFET
型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G
派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
40kW充电模块选用森国科KS02120-I碳化硅二极管,有效提升充电速度
KS02120-I碳化硅二极管能够提供高效、高耐压、高频率和高可靠性的解决方案。这款二极管具有1200V的高耐压和20A的电流容量,十分适用于高功率充电模块的需求。KS02120-I碳化硅二极管在40kW充电模块中的应用,可以显著提高充电速度,减少能量损耗,提升系统可靠性,并有助于缩小充电设备的体积。
应用方案 发布时间 : 2024-09-27
【产品】国产低反向漏电流的碳化硅肖特基二极管DD06500010J,适用于工业电源、数据中心
顶诺微推出的碳化硅肖特基二极管DD06500010J,重复反向峰值电压和冲击反向峰值电压均为650V,有低正向偏压(VF)、 正温度系数、 零正/反向恢复电流等特性,可应用于工业电源和开关电源等领域。
产品 发布时间 : 2022-05-18
森国科碳化硅二极管,高效率且降低运营成本,为充电桩运营商提供更具竞争力的充电服务
随着电动汽车市场的蓬勃发展,对于快速、高效的充电设备需求日益增长。在这一背景下,SiC模块因其卓越的性能,正逐渐成为超级充电桩的核心器件,有望取代传统的硅基器件。这一变革预计将推动充电技术的重大进步,为电动车的普及和能源结构的优化提供强有力的支撑。
应用方案 发布时间 : 2024-04-18
SiC科普小课堂 | 什么是米勒钳位?为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位?| 视频
今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将着重为大家讲解什么是米勒现象?为什么驱动碳化硅MOSFET需要使用米勒钳位功能?以及基本半导体的创新性产品选型推荐。
设计经验 发布时间 : 2024-09-09
【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感,爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM
2024年8月28日,亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开,爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计,内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻,杂散电感低至2.5nH,工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V,工作频率可达30kHz,输出功率可达300kW。
产品 发布时间 : 2024-08-29
【元件】派恩杰半导体强势推出多款工规/车规碳化硅模块产品,掌握塑封、灌封两种工艺,全力助推新能源!
派恩杰作为一家专注于碳化硅MOSFET及功率模块的研发型公司,自2021年派恩杰第一款62mm模块发布开始,注重模块应用的高质量生产和卓越的设计开发技术,探索前沿工艺能力,在与产业链战略合作伙伴的一起努力下,持续推出重量级产品,积极进行品牌升级,贴合客户需求,让“梦想化作现实”。
产品 发布时间 : 2024-05-11
時科推出650V、900V、1200V耐压的碳化硅二极管,具有更低的功率损耗,可在高频高温的环境下工作
广东時科微实业有限公司技术工程师何沛雄先生为大家带来了《SiC应用技术分享》的主题演讲,介绍了碳化硅与传统硅器件的优势,碳化硅二极管的优势,碳化硅二极管的应用,以及時科碳化硅二极管的产品介绍。
原厂动态 发布时间 : 2023-06-14
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论