60V/3A的N沟道型MOS管SL3422，具有较好的开关速度和导通能力，适用于非接触技术应用

时间： 2024-05-31 来源：SLKOR（萨科微）官网

技术问答

在非接触技术的应用场景中，如智能门锁、手势识别设备、无线充电器等，SL3422 MOS管可以作为重要的开关组件，负责控制电路的开启和关闭，或作为信号调制的关键部件。其优秀的性能保证了设备能够快速响应，同时也降低了能耗，提高了整个系统的稳定性和可靠性。

萨科微SLKOR 中压MOS管SL3422产品图

SL3422是一款N沟道型MOS管，适合用于智能家居中的控制电路设计。N沟道型MOS管通常具有较好的开关速度和导通能力，适用于需要快速响应的非接触技术应用。这些特性使得SL3422成为智能家居中非接触技术应用中理想的开关和信号处理元件，尤其是在需要高效能和非接触控制的场合。

萨科微Slkor中压MOS管SL3422

其具有3A的连续漏极电流能力，可以承载较大的电流负载。高连续漏极电流使得SL3422适用于智能家居中各种传感器和控制电路的电流需求，确保设备的正常运行。

对于这款MOS管而言，SL3422具有低导通电阻，即125mΩ@10V,3A。低导通电阻可以降低功耗和热损耗，提高效率。这对于很多应用场景来说是非常理想的，特别是在需要低功耗和高效率的电路设计中。

萨科微Slkor中压MOS管SL3422相关参数

中压MOS管SL3422可以被用于智能照明系统中的LED驱动电路。通过控制SL3422的导通与截止状态，可以实现对LED灯的开关和亮度调节功能。SL3422可以用于智能安全系统中的传感器和控制电路。例如，当配备有非接触式门禁传感器时，SL3422可以作为开关电路的关键部件，实现对门锁状态的控制。SL3422可以应用于智能家电控制电路中，如智能插座、智能电视、智能空调等。SL3422可以应用于智能家居自动化控制系统中。例如，配合非接触式传感器使用，可以实现自动化的温度、湿度、光照等环境参数监测与控制。

其优秀的参数使得其成为智能化领域中不可或缺的组成部分，推动着智能化技术的不断进步和创新。未来，随着非接触技术和半导体技术的进一步融合与创新，我们将会见证更多智能化、高效能的应用解决方案诞生。

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

选型指南 - SLKOR - 2022/10/9 PDF 中文下载

SLKOR MOSFET选型表

SLKOR提供以下参数的MOSFET选型,Vᴅss(V):-60~650,Vɢs(V):±8~±30,Iᴅ@Tᴄ=25℃(A):-70~100及多种不同的封装方式,如:SOT-23,SOP-8和TO-252-3不等

产品型号	品类	N/P	Vᴅss(V)	Iᴅ@Tᴄ=25℃(A)	Pᴅ@Tᴄ=25℃(W)	Vɢs(V)	Rᴅs(on)(mΩ)Max.@Tᴄ=25℃(at Vɢs=4.5V)	Rᴅs(on)(mΩ)Max.@Tᴄ=25℃(at Vɢs=2.5V)	Package
SL2333A	MOSFET	P	-12	-6	1.2	±8	40	50	SOT-23

选型表 - SLKOR 立即选型

60V/3A的N沟道MOS管SL2310，具有大功率处理能力，是小家电应用理想的开关和信号处理元件

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产品发布时间 : 2024-07-15

【产品】萨科微N沟道功率MOSFET器件2N7002，漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求

2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件，具有高漏源电压和高效导通等特点，适用于多种应用场合。该器件的漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求。同时，其导通电阻低，最小值为7.5Ω，能够提供更高的效率。此外，MOS管2N700的阈值电压高达2.5V，具有更好的抗干扰能力。该器件采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于布局设计和集成。

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60V/60A的N沟道MOS管SL60N06，导通电阻11.5mΩ，能在微波频率范围实现快速开关和精确控制

Slkor萨科微SL60N06是一款具有60V漏源电压和60A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（11.5mΩ@10V,30A）和较低的阈值电压（4V@250μA）而著称。该MOS管高频特性优越，能够在微波频率范围内实现快速开关和精确控制，具有高频率响应能力，能够满足高频信号的处理和传输需求。

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【经验】解析如何选择最适合的MOS管驱动电路

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100V中压MOS管SL53N10Q，连续漏极电流53A，适用于驱动电机与转换电力

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高压MOS管SL20N65F漏源电压高达650V，推荐用于智能家居设备领域

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产品发布时间 : 2024-04-16

100V/60A的N沟道MOS管SL60N10Q，导通电阻低至8mΩ，助力AI电源管理技术

Slkor萨科微SL60N10Q是一款具有100V漏源电压和60A连续漏极电流的N沟道MOS管，以极低的导通电阻（8mΩ@10V,20A）和较低的阈值电压（2.4V@250μA）而著称。在AI电源管理系统中，中压MOS管SL60N10Q能够实现对电源的高效管理和控制，确保电源的稳定供应和能源的高效利用。

产品发布时间 : 2024-07-12

-60V/-30A P沟道MOS场效应管IRFR5305，在小家电领域具有广泛的应用和显著的优势

IRFR5305是一款P沟道MOS场效应管，具有出色的性能参数，其具有较高漏源电压（-60V）和大电流承受能力（-30A），非常适合用于高压高功率的电路设计中。此外，其较低的导通电阻（26mΩ@-10V,-15A）和较低的阈值电压（-1.8V@-250μA）保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用，为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。

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