混合式IGBT可解决硅基FRD的Snappy现象限制IGBT的开通速度问题
![混合碳化硅分立器件,混合式IGBT,BGH50N65HF1,BGH50N65HS1](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
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传统电力电子应用中,IGBT的续流二极管一般以硅基FRD(快恢复二极管)为主,而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力,对开关损耗是很大的拖累。为此,基本半导体研发推出了一种混合式IGBT(即混合碳化硅分立器件)来解决这一问题,即在IGBT中把续流二极管用碳化硅肖特基二极管替代硅基FRD,可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放,开关损耗大幅降低。
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