碳化硅功率器件:能效与性能的未来

2024-03-28 芯长征科技公众号
碳化硅(SiC)功率器件,SiC器件,碳化硅器件,SiC功率器件 碳化硅(SiC)功率器件,SiC器件,碳化硅器件,SiC功率器件 碳化硅(SiC)功率器件,SiC器件,碳化硅器件,SiC功率器件 碳化硅(SiC)功率器件,SiC器件,碳化硅器件,SiC功率器件

在追求更高能效和更强性能的当代科技领域,碳化硅(SiC)功率器件凭借其独特的物理特性,正在逐步取代传统的硅基功率器件。


核心优势

SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说,SiC的禁带宽度是硅的近3倍,这意味着在高温下仍可保持良好的电性能;其热导率是硅的3倍以上,有利于高功率应用中的热管理;而高击穿电压使得器件可以在更高的电压下工作,同时具备更小的开关损耗。


技术挑战

尽管碳化硅器件在理论上具有显著的性能优势,但其生产工艺比硅基器件复杂,成本也相对较高。目前,制约SiC功率器件广泛应用的主要因素是材料成本和制造工艺。高质量SiC晶体的生长速度缓慢且设备成本高昂;加工难度大,需要更高精度的设备来处理这种硬度极高的材料。


应用前景

SiC功率器件最引人注目的应用前景在于电动汽车(EVs)和可再生能源领域。在EVs中,SiC的应用可大幅提升车辆续航能力和充电效率,这得益于其较小的导通损耗和优秀的热性能。在太阳能逆变器和风能转换系统中,SiC器件可实现更高的系统效率和更长的运行寿命。


此外,随着电网向智能电网的转型,SiC器件也在电力传输和分配系统中显示出潜力,特别是在高压直流输电(HVDC)和固态变压器(SST)技术领域。


未来展望

随着制造技术的发展和规模生产效应的显现,SiC器件的成本正在逐步降低。行业预测,未来几年内,随着SiC器件进入更多市场领域,其市场规模有望实现显著增长。


在技术进步的推动下,未来SiC功率器件可能会成为各类高性能电子系统中的标准选择,尤其是在对能效、尺寸和重量有严格要求的应用中。


结论

作为一种先进的半导体技术,碳化硅功率器件代表了电力电子领域的未来发展方向。虽然目前仍面临着成本和技术挑战,但随着研发的深入和生产规模的扩大,SiC功率器件预计将在未来几年内迎来广泛的商业应用,并在提升能效、缩小体积和降低系统成本方面发挥重要作用。


转载: 功率半导体生态圈

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由犀牛先生转载自芯长征科技公众号,原文标题为:碳化硅功率器件:能效与性能的未来,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

国内新能源汽车未来发展,最核心的技术是什么?

近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示,2023年,中国新能源汽车销量达到了949.5万辆,同比增长37.9%。预计2024年,中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展,倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。

行业资讯    发布时间 : 2024-11-18

碳化硅:第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体,半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

行业资讯    发布时间 : 2024-11-11

SiC产业技术与产能差距缩小,瑞之辰发挥碳化硅优势

近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。有数据预计2024年中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,市占率可能超过45%。随着新能源汽车对于能源转换效率、充电效率、续航时间等要求越来越高,推动了对高功率密度、耐高温、耐高压、体积更小等优势的SiC功率硅器件需求的快速增长。随着全球SiC材料产能的快速扩张,预计到2026年全球SiC市场将会出现产能过剩。

行业资讯    发布时间 : 2024-10-30

爱仕特(AST)SiC碳化硅芯片及模块选型指南

目录- 公司简介和芯片/模块产品规则    芯片    模块    参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍   

型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200

选型指南  -  爱仕特  - 2021/11/26 PDF 中文 下载

终于有人把碳化硅(SiC)是什么,有哪些用途和优势说明白了

碳化硅,也称为 SiC,是一种半导体基础材料,由纯硅和纯碳组成。可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体,或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。尽管存在许多种类和纯度的碳化硅,但半导体级质量的碳化硅仅在最近几十年才出现。

技术探讨    发布时间 : 2024-08-15

【元件】ROHM开发新型二合一SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”,助力xEV逆变器实现小型化

ROHM面向300kW以下的xEV(电动汽车)用牵引逆变器,开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”,共4款产品。TRCDRIVE pack™的功率密度高,并采用ROHM自有的引脚排列方式,有助于解决牵引逆变器面临的小型化、效率提升和减少工时等主要课题。

产品    发布时间 : 2024-06-12

科普 | 碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来

光伏发电是碳化硅器件除电动汽车以外的第二大应用领域。光伏逆变器作为光伏电站的转换设备,主要作用是将太阳电池组件产生的直流电转化为交流电。本文中SMC将为大家分析碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来,希望对各位工程师朋友有所帮助。

技术探讨    发布时间 : 2024-07-23

氮化镓器件在射频领域中的应用,具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势

碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势,主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件,是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长,氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。

应用方案    发布时间 : 2024-05-23

碳化硅功率半导体在新能源汽车领域的应用

新能源汽车是“中国制造2025”战略的重点领域之一。在未来5年内,中国将超越美国,成为全球最大的电动汽车市场。中瑞宏芯在制造碳化硅器件领域的专有技术能够为电动汽车应用提供完整的解决方案。中瑞宏芯的产品可用于新能源汽车OBC、HV-LV DC-DC转换器、电驱逆变器、充电桩及电动空调压缩机控制器、PTC加热器等。

技术探讨    发布时间 : 2024-11-08

基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南

描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

选型指南  -  基本半导体  - 2024/5/16 PDF 中文 下载

瞻芯电子解读特斯拉Model Y电动汽车Gen-4 主驱逆变器的设计改进和创新

特斯拉Model 3 电动汽车主驱逆变器率先应用碳化硅(SiC) MOSFET,开启了EV动力总成设计的新篇章。本文将比较Model Y和Model 3车型,并列举在主驱逆变器上的主要设计改进和创新。

原厂动态    发布时间 : 2023-04-11

芯际探索(XJTS)功率器件选型指南

描述- 公司以元器件可靠性为基础,在该领域纵向发展,自主研发了 IGBT 及模块、Si 基 /SiC 基 MOSFET及模块和 HVIC 高边开关系列产品。应用市场从以往传统的航空航天、商业航天领域拓展至当下炙手可热的新能源汽车、高铁、舰船、光伏等电子电力装置领域,满足多领域逆变器、UPS、变频器、电机驱动及大功率电源的应用需求。

型号- CSBW50N65EC,CSBW40N120E,CSSY60M190B,CSBP15N60B,CSCX3N65A,CSFP25R12FBF,CSSA70M200CFD,CSSX70M1K5,CSBC15N65B,CSVX13N50B,CSKX6N65AK,CSBA20N60BZ,CSFF150R12KB,CSVM02N50HA,CSKX20A120AK,CSBW50N65EH,CSSX65M210B,CSSA65M640B,CSKX20N65AK,CSTO5N60N,CSCK20N120A,CSKX8N65AK,CSSD100D120R3QN,CSTU15N30AK,CSSX80M670B,CSVP15N50AKH,CSBA10N65B,CSSX65M320B,CSSX65M550B,CSSX65M990,CSCE20N120A,CSSX70M190,CSVX7N60ECFD,CSFF200R12RB,CSVA10N65F,CSSA65M280CFD,CSVX10N65B,CSGU15R30BKH,CSKX10N65AK,CSSS150D065R3ON,CSSX60M900B,CSFP40R12FBF,CSFF50R12RB,CSSW60M041,CSSA65M1K5,CSSA65M1K8,CSBW30N120E,CSFF75R12RB,CSGU10R7,CSSS600D120R3MW,CSBQ50N120B,CSBQ75N120BF,CSTD50N60N,CSSW60M086CFD,CSCC10N120A,CSBW40N120ES,CSFF200R07RBF,CSFS150R12DBF,CSSX65M170,CSSX70M710B,LPHVIC2AB,CSSA60M240,CSSD050F120R3ON,CSSX70M300CFD,CSSW65M045B,CSFP100R12DBF,CSBD6N65EF,CSFP75R12TBF,CSFF820R08RBF,CSSX65M260,CSCC15N120AK,CSFP75R12DBF,CSVX10N60B,CSBW50N65E,CSCX120R80BKX,CSSX70M600B,CSCE30N120A,CSSW65M092CFD,CSVX14N50B,CSBP15N65B,CSSX70M430,CSVX20N50B,CSSV050D120R3ON,CSSX60M940,CSVX2N60B,CSFF450R12KBF,CSSX65M390,CSCK15N120A,CSCX15N65A,CSCX6N65A,CSTO2N10,CSSX65M110B,CSSD70M910B,CSSC600D120Z2MN,CSBW60N60CF,CSFP150R12DBF,CSVX2N65BK,CSBW50N65BH,CSSD100D170C6XN,CSSX60M350B,CSSW65M046CFD,CSSS300D120Z2MW,CSFP15R12CBF,CSBW40N120BF,CSFP50R12TBF,CSSS500D170C3MN,CSFP25R12EBF,CSSX70M900,CSSS380D170C3MN,CSVA12N65F,CSSX60M370,CSBM10N60BTB,CSBW40N65BF,CSFP50R12DBF,CSSA65M1150E,CSCX120R40BKX,CSGJ010R075,CSSX65M830B,CSTO4N85,CSSW65M030CCFD,CSSW60M115B,CSFF75R12RBF,CSSW65M065E,CSVX8N70,CSVX7N60B,CSGJ80R040,CSSS250D170C3MN,CSSX80M850B,CSVX4N65F,CSVX4N65B,CSCX10N65A,CSCX2N65A,CSSX65M810,CSFS200R12DBF,CSSX70M1K1B,CSGP10R033,CSFF200R12KBF,CSVX20N65F,CSSS200D120R3PN,CSVX20N65B,CSSS100D120R3ON,CSFP40R12CBF,CSHVIC25,CSSX60M190B,CSSW60M150B,CSSS100F120R3OW,CSSX65M165B,CSVX12N65B,CSSS100F120R3PN,CSSX70M360B,CSVX3N60BCFD,CSRC25U20AL,CSCZ120R30BKY,CSSX80M250B,LPHVIC75B,CSTD50N30R,CSFF150R12RB,CSVM03N60TA,CSVA8N65B,CSFF450R12MBF,CSSA70M180B,CSVM03N60TD,CSFF100R07RBF,CSFS100R12DBF,CSSX65M130B,CSTP80N60N,CSFF150R12KBF,CSCX120R30BKX,CSSC600D120R3MN,CSCX8N65A,CSFP25R12CBF,CSSX70M700,CSKP1N30AK,CSSX80M380B,CSCE1N40AKH,CSFF200R12KB,CSFP50R12FBF,CSSX65M1K0B,CSFF450R17MBF,CSTO3N60N,CSVX18N50B,CSVX4N70,CSCE40N120A,CSSX60M600,CSGJ06R030,CSSA65M180CFD,CSSS250D170G3MN,CSSX60M160,CSHVIC15,CSBW15N120BF,SSX65M450B,CSFF100R12RB,CSCX120R16BKX,CSSS050F120R3OW,CSBA15N65B,CSSD100F170C6XN,CSSC600D12R3MN,CSFB15R12WBF,CSSP65M600AKH,CSFF400R12KBF,CSVX7N65B,CSSA60M250CFD,CSFF150R12RBF,CSVM07N60TD,CSVX7N65F,CSSS300D120R3MW,CSBX20N60B,CSVM07N60TA,CSVA20N50F,CSSS300D170C3MN,CSBW40N60BF,CSFF600R12MBF,CSBL50N120B,CSBM15N60BTB,CSVX4N60B,CSSA70M230B,CSSD050D170C6XN,CSCK30N65A,CSRT80U40B,CSSS900D120R3TW,CSCX4N65A,CSFP40R12EBF,CSBA10N60E,CSFF300R17KBF,CSSD050F170C6XN,CSBX10N60B,CSVX6N70,CSBW25N60BF,CSSX65M380B,CSBC15N60B,CSVX5N50CCFD,CSSW60M043CFD,CSGJ10R7,CSBW25N120BF,CSHVIC75,CSVX12N60B,CSCC6N120A,CSVA11N70,CSTO3N60,CSBX10N65EF,CSFF300R12KBF,CSSX70M1K,CSVX2N65B,CSSX60M160CFD,CSSS600D120Z2MW,CSSD100D120Z2QN,CSVX4N150D,CSSS1000D170C3XN,CSSX70M420B,CSFB600R12DBF,CSBA15N60B,CSFF300R12KB,CSSX65M1K6,CSVA13N50F,CSBL75N120BF,CSSX60M760,CSSX60M082,CSFF100R12RBF,CSFP15R12WBF,CSFF150R07RBF,CSGC20R170,CSRT60U30B,CSSX65M650,CSSX70M290,LPHVIC2A

选型指南  -  芯际探索  - 2023/10/13 PDF 中文 下载

碳化硅SiC势头不减,瑞之辰坚守行业信心

意法半导体、安森美、英飞凌、罗姆等厂商在不同地点建设工厂;多家碳化硅(SiC)厂商宣布未来几年扩大产能计划;8英寸SiC的推出促进了技术扩展,降低了成本……近期,SiC作为第三代宽禁带半导体材料,在半导体行业中势头不减。在这场SiC技术与产能的竞赛中,深圳市瑞之辰科技早已布局SiC功率器件与封装形式,始终坚持对这一领域的信心。

原厂动态    发布时间 : 2024-10-30

展开更多

电子商城

查看更多

品牌:博电

品类:IGBT局放性能测试平台

价格:

现货: 0

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

暂无此商品

海量正品紧缺物料,超低价格,限量库存搜索料号

服务

查看更多

低功耗测试

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

射频无源器件定制

可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。

最小起订量: 1 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面