100V/33A的N沟道场效应管IRF540NS,具有低导通电阻和低阈值电压等特性

2024-05-13 SLKOR(萨科微)官网
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MOS(金属氧化物半导体)场效应管是一种常用的半导体器件,用于放大或开关电信号。在数字电路中,MOS场效应管常用于构建逻辑门和存储单元等元件。在数据传输中,MOS场效应管可以被用来控制电流的流动,从而实现信号的放大、调节和传输。通过控制栅极电压,可以改变MOS场效应管的导通状态,从而影响信号的传输和处理。


萨科微SLKOR中压MOS管IRF540NS产品图

中压MOS管IRF540NS作为一款性能卓越的N沟道场效应管,其高漏源电压、连续漏极电流、低导通电阻和低阈值电压等特性,使其成为通信系统中电源管理、驱动控制和能量转换的理想选择。IRF540NS的应用将进一步推动通信技术的发展,为人们提供更加便捷、高效的通信体验。


萨科微Slkor中压MOS管IRF540NS


首先,IRF540NS的漏源电压(Vdss)达到100V,这使得它可以在大多数通信系统中承受较高的电压。在数据传输过程中,它能够提供稳定可靠的电源管理和驱动功能。其次,此元器件的连续漏极电流(Id)为33A,表明它具有出色的电流承载能力。在通信系统中,会出现大量的电流变化和瞬间负载,该MOS管的高漏极电流特性可以有效应对这些变化,保证整个系统的正常运行。此外,该场效应管在导通状态下的导通电阻(RDS(on))仅为30mΩ@10V、15A,这意味着它能够以较低的功耗和热耗实现高效率的能量转换。在通信系统中,其导通特性有助于减少功耗,提高整个系统的效率。最后,此产品的阈值电压(Vgs(th))为4.0V@250μA,这意味着它可以在较低的门源电压下启动和控制。


萨科微Slkor中压MOS管IRF540NS相关参数

IRF540NS中压MOS管在通信技术中具有广泛的应用前景,IRF540NS可用于通信系统中的电源管理模块或者驱动控制电路中。在通信系统中的直流-交流转换、逆变器和变频器等能量转换环节中发挥重要作用。也可以用于通信系统中的过压保护、电流限制和瞬态保护等功能。在一些特殊的通信场景中,IRF540NS还可以用于控制输电线路中的电流,确保信号的稳定传输。


中压MOS管IRF540NS具有稳定可靠的性能,其优秀的参数使得其成为通信技术领域中不可或缺的组成部分,推动着数据传输技术的不断进步和创新,为用户提供更加高效、可靠的通信服务。相信随着技术的不断创新和发展,半导体产品在通信技术领域的应用将会得到进一步拓展和深化。

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

选型指南  -  SLKOR  - 2022/10/9 PDF 中文 下载

MOS选用原则分享

MOS(金属氧化物半导体场效应管)是广泛使用的核心器件之一。由于其高速开关、低导通损耗以及驱动简单的特性,MOSFET被广泛应用于电源管理、马达控制和射频电路中。然而,针对不同应用,选择合适的MOS管至关重要。本文辰达行来给大家分享MOS选用原则。

技术探讨    发布时间 : 2024-10-26

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播,带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术,点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率,电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓(GaN)功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微(ALKAIDSEMI)  |  中国半导体功率器件十强企业:扬杰科技(YANGJIE)  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体(Archimedes)  |  中国领先的碳化硅(SiC)半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子(InventChip)  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子(CRM ICBG )  |  Kyocera(京瓷)——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen(新电元)——“桥王”,整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能(NCEPOWER)  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动(HVIC)制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics)  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯(SOCAY)  | 

活动    发布时间 : 2024-10-12

【经验】如何正确选择mosfet场效应晶体管?

近年来,随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等行业广泛使用场效应管产品,功率场效应管备受关注。在未来,场效应晶体管仍将是许多刚进入该领域的工程师会接触到的器件。本文SLKOR将从基础上讨论场效应晶体管的一些基本知识,包括关键常数的选择、介绍、系统和散热考虑等。

设计经验    发布时间 : 2022-01-02

富信科技(Fuxin)半导体器件选型指南

描述- 富信科技是一家集半导体热电制冷器件、制冷系统以及热电整机产品研究、制造与定制化服务于一体的半导体热电技术高新企业。2021年上市,证券代码688662。 公司所掌握的半导体热电技术是一种环保型制冷技术和绿色能源技术,能够广泛应用于消费电子、通信、医疗实验、汽车、工业、航天国防、油气采矿等众多领域。

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

选型指南  -  富信  - 2024/8/5 PDF 中文 下载

IRF540N/NS 100V N-Channel MOSFET

型号- IRF540NS,IRF540N

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【经验】一文解析MOS管的源极和漏极的区别

源极简称场效应管,T仅是由多数载流子参与导电,与双极型相反,也称为单极型晶体管。漏极利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动,或驱动比芯片电源电压高的负载。本文SLKOR将介绍MOS管的源极和漏极的区别。

设计经验    发布时间 : 2021-12-18

【产品】萨科微N沟道功率MOSFET器件2N7002,漏源电压高达60V,可适应各种电源电压要求

2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件,具有高漏源电压和高效导通等特点,适用于多种应用场合。该器件的漏源电压高达60V,可适应各种电源电压要求。同时,其导通电阻低,最小值为7.5Ω,能够提供更高的效率。此外,MOS管2N700的阈值电压高达2.5V,具有更好的抗干扰能力。该器件采用SOT-23封装,尺寸小巧,便于布局设计和集成。

产品    发布时间 : 2023-09-27

【经验】一文带你了解MOS管的构造、原理、特性等基本知识

MOS即MOSFET的简写,全称是金属氧化物场效应晶体管。就是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。MOS管的构造、原理、特性、符号规则和封装种类等,本文SLKOR将一一展开详细介绍。

设计经验    发布时间 : 2021-10-27

萨科微卖的好的IGBT有哪些型号?SL20T65K1/SL15T120FL/SL15T65FK

萨科微卖的好的IGBT有SL20T65K1、SL15T120FL、SL15T65FK等型号,这些型号都是比较常见的IGBT(绝缘栅双极晶体管),可用于高功率应用和电力电子设备中。本文简单描述它们的特点及应用。

产品    发布时间 : 2024-08-09

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