【元件】蓉矽1200V 40mΩ SiC MOS NC1M120C40HT通过AEC-Q101车规级测试，最大可持续电流达75A

时间： 2024-03-18 来源：NOVUSEM

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车载充电机接受来自交流电输入并将其转换为合适直流电输出，并通常包括两个模块。一级模块为PFC（功率因素校正）控制器，负责同步输入交流电的电压与电流的同时将输入交流电转换为直流电。电源路径的下一个模块为DC-DC转换器，负责将来自PFC直流高压输出转换为合适的电池充电电压。随着OBC输出功率需求的逐渐增加，使用SiC MOS可以有效提高频率开关以及更高的电压上限，达到提升能量密度从而减少OBC体积。

图1 采用了蓉矽1200V 40mΩ SiC MOS的OBC系统拓扑

近日，蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。采用1200V SiC器件会简化系统拓扑复杂度，总损耗可降低50%以上，磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上。

蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A。

产品特点如下：

1.采用沟道自对准工艺和凸多边形密铺的元胞布局形式，增加沟道密度、降低沟道电阻，提升器件在单位面积内的电流能力；

2.采用多晶硅网络优化技术，充分降低栅极内阻，提高器件在开关过程中对输入电容的充放电速度，降低器件开关损耗；

3.采用结终端优化技术，降低器件在结终端的曲率效应，提高器件耐压能力；采用开尔文源的PAD设置，降低封装中的杂散电感；

4.VDD=800V时，短路耐受时间≥3μs，TO-247-4封装测试开启损耗为635μJ；

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2024-11-27 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

蓉矽1200V 75/40mΩ工规级SiC MOS，采用多晶硅网络优化技术，充分降低栅极内阻

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2024-06-07 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【元件】蓉矽半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证

近日，NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。

2024-03-11 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

华润微电子（CRM ICBG）功率器件选型指南

描述- 华润微电子功率器件事业群（Power Device Business Group，简称PDBG）是华润微电子旗下全面负责功率器件设计、研发、制造与销售服务的业务单元。其下设有中低压MOS产品线，高压MOS产品线，IGBT产品线，特种器件产品线和模块产品线。拥有CRMICRO、华晶和IPS三个功率器件自主品牌。

型号- CRSM076N04N2Z,CRXB10D065G2,CRTD080N02U2-G,CRMV0318D,CRTT048N08N,CRG75T60AK3SD,CRTS030N04L,CS4N90FA9HD,CRJL99N65G2,CS630FA9H,CRTS025N04L2-G,CRXQ40D065G2,CS4N80ARHD-G,CS630FA9R,CR7N60A4K,CS55N10AQ3-G,3DG3001A1-H,CS16N06AE-G,CS45N06A3,CRMM4976C,CRTK055N03L2P,CS45N06A4,CRTS150N15N,CS5N20A4,CS5N20A3,CS7N70A4R-G,CRGMF800T120DS1AH,CRJW125N60G2F,CRGMF50T120FSC,CS12N70FA9H,CRG30T65A05SDZ,CS50N20ANR,CRJT99N65G2,2CR60K60AND,CRXQF60M065G1,CRTD370P10L,CRSS056N07N,CR7N60A3K,CS460FA9H,CRGMP40T120DV2A3,CRG75T60AK3H,CRJQ30N60G2F,CRJF550N65G2,D92-02,CRTD055N03L,CS24N60ANR,CRM50TD04R1,CRMM4978C,CRTT056N06N,CS5N60A3H,CS4N65A3R,CRST113N20N,2CR15K120A8C,CRG75T65BK5HD,CRXB20D120G2,CRTT019N03L2-G,CRM50TA04E1,CRTH105N06L,CR2N60A4K,CS10N40A8R,CRMR0410D,CRG 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2024/3/11 - 华润微电子 - 选型指南代理服务技术支持现货查询批量订货

纳芯微汽车电子解决方案助力汽车电动化和智能化发展

型号- NSI6602,NSI1311,NSE34050D-Q1,NCA1051,NSI6601,NSCSA2XX,NSR35XXX-Q1,NSI7258,NSM2013,NSD360X,NSM2015,NSC9260X,NSM2011,NSIP9XXX,NSC9262,NSI1300,NSD1025V,NSC9264,NSPAQ1,NSREF31XX,NSD12409-Q1,NSR2240X,NSP1830,NCA1042,NCA1043,NSD12416-Q1,NSOP905X,NSR7808,NSOPA240X,NCA1021S-Q1,NSD56008-Q1,NSE11409,NSP1831,NSP1832,NSM2020,NSR31,SPGM1,NSD7312,NSL2163X,NSR35,NSR33,NSD7315,NSOPA8XXX,NSD731X,NSD8308,NPC0X0N120,NSE11409-Q1,NSI826X,NSD8308-Q1,NSE34050,NSD11409,NSM201X,NSPDC1,NSR31XXX,NCA1021S,NSI1300D05,NSD10151,NSREF432,NSREF431,NSD1224,NSOPA801X,NSD83010-Q1,NSI6651,NSD11416,NCA1051A,NSD11416-Q1,NSUC1602,NSR31XXX-Q1,NSR33XX,NSE34050Q-Q1,NST1001,NSD56008,NSM3011,NSI82XX,NSL2363X,NSM3012,NSL21912,NSL2161X,NSI6801,NPC0X0N065,NSUC1610,NCA10XXA,NSD5604-Q1,NSI824X,NCA10XXB,NSD8306-Q1,NSM203X,NSI1300D25,NSL216XX,NSIP605X,NSD5604,NSOPA9XXX,NSR114XX-Q1,NSP1631,NSP1632,NSD12409,NSD83012-Q1,NSP1630,NSPASX,NSE425X,NCA102,NSI1624,NSE34050S-Q1,NSM1013,NSI8241WX,NSR33XXX-Q1,NSI6622,NSI822X,NSA9264,NCA1042B,NSD8381-Q1,NSD12416,NSPGM2,NSPGM1,NSIP6051,NSM101X,NSI6602V,NSD3608,NSIP6055,NSD3604,NSD3602,NSREF30XX,NSI6611,NSPAS1,NSPAS3,NCA1145,NSR31XX,NCA1043B,NSI6601M,NSR35XX,NSPAQX,NSAD795X,NSA9260X,NCA8T245,NSR114XX,NSR114X

2023年12月 - 纳芯微电子 - 应用及方案查看更多版本

阿基米德半导体（Archimedes）总部位于合肥市，主营新能源汽车及光伏储能充电用SiC/IGBT芯片及模块，致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者。公司核心技术团队由中国科学院院士领衔，团队成员来自英飞凌、安森美、华为、Vincotech、三菱等国内外大厂。公司将持续专注于功率半导体在新能源赛道的应用和升级，为中国实现碳达峰、碳中和目标贡献自己的力量。

IGBT 单管三电平IGBT模块 Boost IGBT模块 PFC IGBT模块半桥IGBT模块汽车电驱IGBT模块 SIC mos管 IGBT功率模块 IGBT分立器件 SiC功率模块 SiC分立器件

代理服务线上商城技术资料

【选型】OBC用SiC MOS推荐WM2A075120L，漏源极电压高达1200V，连续漏极电流33A

11KW的OBC项目需要一款SiC MOS，1200V电压、内阻60mΩ~80mΩ、TO247四角封装。推荐中电国基南方WM2A075120L，漏源极电压1200V，高阻压，适合高压复杂情况；连续漏极电流33A，驱动简单。

2023-03-16 - 器件选型代理服务技术支持现货查询批量订货

SIC产品及应用介绍

型号- ASZM01K170P,ASZM016120S7,ASZM080120N,ASZM480FB2N120HD,ASZD030120G,ASZM01K170T,ASZM080120P,ASZM025065P,ASZM080120T,ASZD030120C,ASZM600FB2N120HD,ASZM030120P,ASZM040120D88,AS3D006065A,ASZM030120T,AS3D020065A,ASZM360FB3N120HD,ASZD005120C,ASZM025065T,ASZM060065T,ASZM040065T,ASZM028120T,ASZD040120C-Q1,ASZD010120C,ASZM104065P,AS7D040120C,ASZM028120P,AS1M040120P,AS3D010065A,ASZM040065L,ASZM160120T,ASZM160120P,ASZM032120T,AS1M060065P,ASZM032120P,ASZM100HB13N120E2,ASZD030120P2,ASXM090065P,AS1M080120P,ASZM016120T,ASZD020120P2,ASZM040120T,ASZD002120C,ASZM040120P,ASZD015120C,ASZM040120N,ASZM01K70T,ASZM016120T-Q1,ASZD040120P2,ASZD020120G,AS1M025120P,AS3D008065A,AS2M060065P,ASZD020120C

2024/9/24 - 安邦 - 商品及供应商介绍 - REV3.2 代理服务技术支持现货查询批量订货

华太（Watech）成立于2010年3月16日，是集半导体器件与工艺开发、芯片设计、芯片封装、材料研发和制造为一体的高新科技企业，以射频芯片和功率芯片业务为主航道，是国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商，聚焦万物互联和数字能源两大应用领域。

IGBT单管 SiC SBD 功率器件碳化硅单管 SIC MOS FS IGBT Hybrid IGBT SJ IGBT LVMOS单管 SGT MOS SGTMOS 功率模块 SIC 模块 IGBT 模块电源 IC LDO DC-DC 门极驱动

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【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

NOVUSEM - 商品及供应商介绍代理服务技术支持现货查询批量订货

蓉矽1200V 30A SiC SBD（NC1D120C30KT）应用于40kW单向充电模块，电路损耗降低180W

本文以某品牌40kW单向充电模块为测试平台，对蓉矽SiC MOS和SiC SBD在该充电模块中应用表现进行了较为全面的测试。在该测试中，采用蓉矽NC1D120C30KT（1200V/30A/TO247-2）SiC SBD更换原机UFRD，蓉矽SiC SBD的Vf、Qrr以及trr均优于原机UFRD，且全功率范围效率高于原机，最大效率差为800V满载输出时，约0.45%，对应损耗降低180W。

2024-10-30 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

华润微电子SJ MOS和SiC二极管器件满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求

华润微电子针对充电桩、大功率电源等应用开发的的第四代、第五代SJ MOS，采用先进的多层外延技术，优化了元胞结构，具有电流能力强，短路能力好的特点。另外，新材料SiC二极管器件，具有导通损耗小，开关损耗小，抗雷击浪涌能力强的特性，在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。

2024-07-06 - 器件选型代理服务技术支持现货查询批量订货

WAYON Company Profile

型号- WMK043N10HGS,WMM80R1K0S,WMB190DN10LG2,WMO08N70EM,WMN26N65C4,WMK071N15HG2,WML25N50C4,WMO15N65F2,WMJ53N60F2,WMLL017N10HGS,WMJ30N80M3,WML26N65SR,WML10N70EM,WMB81N03T1,WMN10N65C4,WMO6N80D1,WMX10N80D1,WMJ13N80M3,WMN90R830S,WMM26N60C4,WMM12N80M3,WMM13N65EM,WMP08N95C2,WMQ50P03T1,WML10N70C4,WMJ12N105C2,WMM90R360S,WMK36N65F2,WM02DN560Q,WMX115N15HG2,WMK05N70MM,WMM3N150D1,WMO15N65C4,WMB076N06LG2,WMN18N50C4,WMP08N60C4,WMR050N03LG4,WMJ40N50D1,WMM6N90D1,EM 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2023/8/11 - WAYON - 商品及供应商介绍 - V1.0 代理服务技术支持现货查询批量订货

平伟实业参加2024先进热管理技术峰会，带来全新产品技术理念和新能源汽车新趋势、新发展的分享

平伟实业参加2024先进热管理技术峰会！本次峰会，平伟实业携众多的产品及汽车电子解决方案，于现场为观众带来全新的产品技术理念、新能源汽车的新趋势、新发展的分享和讲解。

2024-09-12 - 原厂动态代理服务技术支持现货查询批量订货

蓉矽1200V 40mΩ碳化硅产品NC1M120C40HT用于车载充电机，整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度，总损耗可降低50%以上，磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上。