60V/30A的N沟道MOSFET SL30N06D，在汽车模拟领域有卓越的性能和广泛的应用前景

时间： 2024-05-23 来源：SLKOR（萨科微）官网

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随着汽车产业的快速发展，对汽车电子系统的需求不断增加。智能驾驶、电气化和高效能耗已经成为汽车行业的发展趋势。在这样的背景下，MOSFET SL30N06D作为一种关键器件，不断进行技术创新和优化，以满足汽车电子系统的需求。并且该产品的优秀特性和稳定性，为汽车电子系统的高效能耗和智能化提供了重要支持。

萨科微SLKOR 中压MOS管SL30N06D产品图

SL30N06D是一款性能卓越的N沟道MOSFET，该器件的高漏源电压（60V）、大电流承载能力（30A）、低导通电阻（27mΩ@10V，30A）以及较低的阈值电压（1.6V@250μA）等特点，使其成为汽车电子系统中的理想选择，而在汽车电子技术的不断发展的条件下，SL30N06D的潜力将进一步得到挖掘和应用。

萨科微Slkor中压MOS管SL30N06D

首先，SL30N06D具有高达60V的漏源电压（V_dss），这使得它能够承受汽车电路中的高电压环境，保证系统的稳定性和可靠性。同时，它拥有30A的连续漏极电流（I_d）能力，可以稳定地工作在高负载条件下，满足汽车电子系统对高功率输出的需求。另外，SL30N06D的导通电阻（R_DS(on)）表现出较低的导通电阻，有助于减小功耗和温升，提高系统的效率。此外，该器件具有较低的门极阈值电压（V_gs(th)），可以实现快速的开关响应和灵敏的控制，提升系统的性能。

萨科微Slkor中压MOS管SL30N06D相关参数

其适用于多种汽车电子系统，如电动驱动系统、照明系统和供电系统等。在电动驱动系统中，SL30N06D可以有效地控制电机的驱动和运行，提高电动车辆的能量转换效率；在照明系统中，其高漏源电压和低导通电阻确保了灯具的稳定亮度和长寿命；在供电系统中，该器件的特性使其适用于直流-直流转换器和电源管理模块，确保供电系统的稳定性和效率。

综上所述，SL30N06D作为一款优秀的中压MOS管，在汽车模拟领域展现出了卓越的性能和广泛的应用前景，其成为汽车电子系统设计中不可或缺的重要组成部分。随着汽车行业向着智能化、电动化方向迈进，对功率半导体器件的要求也越来越高。萨科微产品凭借其技术创新、高性能、高可靠性等优势，在汽车模拟市场具有广泛的应用领域、良好的品牌声誉，成为功率半导体领域的领先者之一。公司将继续推动技术创新，使MOSFET成为汽车电子系统设计中的一颗闪耀的明星，为行业发展注入新的活力和动力。

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本文由Vicky转载自SLKOR（萨科微）官网，原文标题为:【每日一品】驱动汽车电子系统：萨科微SL30N06D中压MOS管 SL30N06D在汽车模拟领域的应用，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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2020/12/9 - 杜因特 - 选型指南代理服务技术支持批量订货

2SK3019 N沟道MOSFET

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21 December 2017 - SLKOR - 数据手册 - Rev.1 代理服务技术支持批量订货

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型号- IRF540NS,IRF540N

2022/11/25 - SLKOR - 数据手册代理服务技术支持批量订货

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型号- FDN337N

14 April 2020 - SLKOR - 数据手册 - Rev.1 代理服务技术支持批量订货

60V/50A的N沟道MOS场效应管SL50N06D，具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点

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2024-05-07 - 产品代理服务技术支持批量订货

SL3424 30V/3.8A N沟道MOSFET

描述- 该资料介绍了SL3424型30V/3.8A N-Channel MOSFET的特性。它采用沟槽功率LV MOSFET技术，具有高密度单元格设计以实现低RDS(ON)，并具备高速开关能力。

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24 June 2019 - SLKOR - 数据手册 - Rev.1 代理服务技术支持批量订货

60V/3A的N沟道MOS管SL2310，具有大功率处理能力，是小家电应用理想的开关和信号处理元件

Slkor萨科微SL2310是一款具有60V漏源电压和3A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（105mΩ@10V,3A）和较低的阈值电压（2V@250μA）而著称。这些特性使得SL2310成为小家电应用中理想的开关和信号处理元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。

2024-07-15 - 产品代理服务技术支持批量订货

60V/60A的N沟道MOS管SL60N06，导通电阻11.5mΩ，能在微波频率范围实现快速开关和精确控制

Slkor萨科微SL60N06是一款具有60V漏源电压和60A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（11.5mΩ@10V,30A）和较低的阈值电压（4V@250μA）而著称。该MOS管高频特性优越，能够在微波频率范围内实现快速开关和精确控制，具有高频率响应能力，能够满足高频信号的处理和传输需求。

2024-07-13 - 产品代理服务技术支持批量订货

FDV305N 20V/0.9A N沟道MOSFET

描述- 本资料介绍了FDV305N是一款20V/0.9A N-Channel MOSFET。该器件具有低栅极电荷、低导通电阻等特点，适用于电池保护和负载开关等应用。

型号- FDV305N

12 March 2020 - SLKOR - 数据手册 - Rev.1 代理服务技术支持批量订货

200V/18A的N沟道MOSFET IRF640，适用于新能源车电机驱动系统

IRF640是一款具有200V漏源电压和18A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（150mΩ@10V,11A）和较低的阈值电压（3V@250μA）而著称。这些特性使得IRF640成为新能源车电机驱动系统中理想的开关元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合，并且适用于多种中压开关和功率控制应用。

2024-05-03 - 产品代理服务技术支持批量订货

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BAS70W-05是一款具有70V漏源电压和100mA正向平均整流电流的N沟道MOSFET，具有大电流承受能力、正向压降低、开关速度快等特性。这些特性使得BAS70W-05成为中低压开关柜系统中理想的电流控制和电压调节元件，它不仅可以提高系统的能效和稳定性，还可以为系统提供多种功能，满足不同工业和电力场景下的需求。

2024-05-23 - 产品代理服务技术支持批量订货